Продукція > 2SC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
2SC5964-TD-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5964-TD-H - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: NO
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 380MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
на замовлення 13473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.80 грн
10+36.20 грн
100+23.44 грн
500+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-HONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 3A; 1.3W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 380MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 380MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.84 грн
2000+14.73 грн
3000+13.97 грн
5000+12.32 грн
7000+11.84 грн
10000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-HonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 50V
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.12 грн
11+29.29 грн
100+21.19 грн
500+16.29 грн
1000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5966onsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5966-CAON Semiconductor2SC5966-CA
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+144.11 грн
500+135.84 грн
1000+128.76 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5966-CAONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5966-CA - 2SC5966-CA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+102.29 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5966-CAonsemiDescription: BIP NPN 20A 800V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 5992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+95.28 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC596N
на замовлення 3689 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC597TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5976(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 30V 3A 625mW 3-Pin TSM T/R
на замовлення 2907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
583+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 583 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC597N
на замовлення 3557 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC598TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5980-TL-ESanyoDescription: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
283+72.38 грн
Мінімальне замовлення: 283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5984TLQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT HIGH VOLT 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC599TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC59930PPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 180V 1.5A TO-220D-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-220D-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC59930QPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 180V 1.5A TO-220D-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-220D-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5994onsemi BIP NPN 2A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5994-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 420MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5994-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 5046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.05 грн
28+27.40 грн
100+19.15 грн
500+15.57 грн
1000+11.86 грн
2000+10.24 грн
5000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5994-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5994-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.87 грн
26+31.73 грн
50+26.98 грн
200+20.57 грн
500+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5994-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 5046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
518+27.40 грн
741+19.15 грн
878+16.15 грн
1067+12.81 грн
2000+10.66 грн
5000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 518 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5994-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5994-TD-ESANYO05+ SOT-89
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5994-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5994-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A PCP
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 420MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
11+29.62 грн
100+20.22 грн
500+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5994-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5994-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5994-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.98 грн
200+20.57 грн
500+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5994-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 5196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
754+18.82 грн
1058+13.40 грн
1447+9.80 грн
1461+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 754 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5994-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5994-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
на замовлення 19976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.76 грн
12+28.34 грн
100+16.98 грн
500+15.74 грн
1000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5996A-T111-1BN/A09+
на замовлення 15018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC60NECCAN
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC600NEC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6000TOS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6000(TE16L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: 2SC6000(TE16L1,NQ)
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PW-MOLD
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 83mA, 2.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6000(TE16L1,NQ)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR NEW PW-MOLD MOQ=2000 PD=20W F=150MHZ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC601NEC
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6010(T2MITUM,FMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 600V 1A MSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-71
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Supplier Device Package: MSTM
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6011Sanken Electric USA Inc.Description: TRANS NPN 200V 15A TO3P
Power - Max: 160 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Supplier Device Package: TO-3P
Frequency - Transition: 20MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.10 грн
10+249.71 грн
100+202.01 грн
500+168.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6011ASanken Electric USA Inc.Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3P
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 160 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Supplier Device Package: TO-3P
Frequency - Transition: 20MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6011A
Код товару: 152092
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6011AEVVODescription: AUDIO AMPLIFICATION TRANSISTOR T
Power - Max: 160 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Supplier Device Package: TO-3PN
Frequency - Transition: 20MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 0.5V @ 0.5A, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.03 грн
30+193.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6011ASPTECHTrans GP BJT NPN 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Bulk Transistor set with 2SA2150A ; Complementary to 2SA2151A 2SC6011A T2SC6011a
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+151.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6014-TD-EonsemiDescription: BIP NPN 5A 30V
Packaging: Bulk
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+818.51 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6014-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6014-TD-E - 2SC6014 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 5A 30V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+860.97 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6016-TD-ESanyoDescription: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
283+72.38 грн
Мінімальне замовлення: 283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6017onsemi BIP NPN 10A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6017-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6017-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 52366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6017-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 10A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 950 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6017-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 10A 950mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6017-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 10A 50V
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6017-E
Код товару: 107502
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6017-H-TL-ESanyo Electric2SC6017-H-TL-E
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1140+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 1140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6017-H-TL-ESanyoDescription: TRANS NPN 50V 10A DPAK/TP-FA
Power - Max: 950 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK/TP-FA
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
910+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 910 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6017-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 10A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 950 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6017-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6017-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.42 грн
500+41.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6017-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 10A 50V
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6017-TL-EON Semiconductor
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6017-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 10A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 950 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6017-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6017-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.08 грн
13+64.35 грн
100+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6017-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 10A 950mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6017-TL-EXonsemiDescription: TRANS NPN 50V 10A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 950 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6017-TL-EXON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 10A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC601N
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC602NEC
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6023-TR-EonsemiDescription: RF TRANS NPN 3.5V 14.5GHZ 4-MCP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 9.5dB ~ 11dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 4-MCP
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3030+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 3030 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6023-TR-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6023-TR-E - 2SC6023 - NPN 35MA 3.5V FT=14.5G
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6024-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6024-TL-E - 2SC6024-TL-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6024-TL-EonsemiDescription: RF TRANS NPN 3.5V 14GHZ 3-SSFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 9dB ~ 10.5dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2597+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 2597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026CT-GRToshibaBipolar Transistors - BJT 100mA 50V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026CT-GR,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 6655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.42 грн
26+11.59 грн
100+7.21 грн
500+4.98 грн
1000+4.41 грн
2000+3.92 грн
5000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026CT-GR,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026CT-GR,L3F(TToshiba2SC6026CT-GR,L3F(T
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1814+7.82 грн
1985+7.14 грн
2312+6.13 грн
2440+5.60 грн
10000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 1814 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026CT-GR,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC6026CT-GR,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 100 mW, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.51 грн
1000+2.62 грн
5000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026CT-GR,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC6026CT-GR,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 100 mW, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19.41 грн
68+11.92 грн
109+7.42 грн
500+4.67 грн
1000+3.81 грн
5000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026CT-Y(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - BJT 100mA 50V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026CT-Y(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026CT-Y(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026CT-Y(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026CTGRTPL3Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
на замовлення 6389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026CTGRTPL3Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
на замовлення 6389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026CTGRTPL3Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFVTOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 11270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFV-GR(TPL3ToshibaBipolar Transistors - BJT 150mA 50V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFV-Y(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - BJT 150mA 50V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFV-Y,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: VESM
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFV-Y,L3FToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFV-Y,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: VESM
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 21468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
46+6.58 грн
100+4.05 грн
500+2.77 грн
1000+2.43 грн
2000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFV-Y,L3FToshibaBipolar Transistors - BJT TRANSISTOR50V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
26+12.73 грн
37+8.73 грн
100+4.76 грн
1000+2.14 грн
2500+1.86 грн
8000+1.38 грн
48000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFV-Y,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC6026MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+11.76 грн
115+7.06 грн
185+4.37 грн
500+2.96 грн
1000+2.14 грн
5000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFVG,L3XG(TToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4099+3.46 грн
4110+3.45 грн
4808+2.95 грн
8000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 4099 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFVG,L3XG(TToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFVGR,L3FToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]