Продукція > 2SB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SB1205S-EonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
895+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 895 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1205S-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 93100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
832+42.52 грн
1000+39.22 грн
10000+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 832 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
832+42.52 грн
1000+39.22 грн
10000+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 832 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
832+42.52 грн
1000+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 832 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1205S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 5 A, 10 W, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 83300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
832+42.52 грн
1000+39.22 грн
10000+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 832 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
832+42.52 грн
1000+39.22 грн
10000+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 832 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
832+42.52 грн
1000+39.22 грн
10000+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 832 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-TL-ESANYOSOT252/2.5
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.89 грн
10+54.32 грн
100+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
832+42.52 грн
1000+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 832 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
929+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 929 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-EonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1205T-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 127000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A TP-FA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
832+42.52 грн
1000+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 832 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
832+42.52 грн
1000+39.22 грн
10000+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 832 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-TL-ESANYO
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1205T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 5 A, 10 W, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A TP-FA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
599+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 599 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
832+42.52 грн
1000+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 832 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-TL-EXONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1205T-TL-EX - 2SB1205 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR, 5A 20V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-TL-EXonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A DPAK/TP-FA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: DPAK/TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-TL-EXON Semiconductor2SB1205T-TL-EX
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1190+29.73 грн
10000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 1190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB121NECCAN
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1211
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1212
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1212
Код товару: 45459
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
УКТЗЕД: 8541 29 00 90
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1214SANYO
на замовлення 121100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1214-TL-ESANYOSOT252/2.5
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1214-TL-EON SemiconductorTrans Darlington PNP 60V 3A 1000mW
на замовлення 38500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+33.19 грн
701+29.04 грн
1401+23.20 грн
4901+21.55 грн
7701+19.19 грн
14701+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215onsemi BIP PNP 3A 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 100V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 140-149 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 100V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-HonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 8998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
634+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 634 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1215S-H - 2SB1215S-H, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-HonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.94 грн
10+64.99 грн
100+43.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-TL-EON Semiconductor
на замовлення 363 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 100V
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-TL-EONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 1W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Collector current: 3A
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-TL-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 100V
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1215S-TL-H - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-TL-HonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
634+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 634 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
881+40.16 грн
1000+37.04 грн
10000+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 881 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-TL-HonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
961+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 961 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 100V
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1215T-E - TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, 100V, 3A-TO251
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-HonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 100V
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-HON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-N-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1215T-N-TL-E - 2SB1215 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR, 3A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-N-TL-EON Semiconductor2SB1215T-N-TL-E
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.64 грн
1000+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-N-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A 2-TP-FA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 2-TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1215T-TL-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.83 грн
1000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 41300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.83 грн
1000+41.35 грн
10000+36.87 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
568+34.90 грн
Мінімальне замовлення: 568 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-TL-HonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
881+40.16 грн
1000+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 881 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-TL-HonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 9400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
634+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 634 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1215T-TL-H - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-TL-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 100V
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216onsemionsemi BIP PNP 4A 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216A4SIRECTIFIERCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Case: TO252
Current gain: 70...400
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 100V
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.09 грн
10+55.07 грн
100+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A TP
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TP
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-EON Semiconductor
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-HON SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 4A TP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A TPFA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.77 грн
10+52.38 грн
100+36.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-TL-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 100V
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A TPFA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-TL-HON SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 4A TP-FA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-TL-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216TSANYO09+
на замовлення 15768 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216T-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1216T-E - 2SB1216T-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216T-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A TP
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TP
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216T-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 100V
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216T-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 833 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]