Продукція > 2SB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SB1205T-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
832+42.61 грн
1000+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 832 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1205T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 5 A, 10 W, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
832+42.61 грн
1000+39.30 грн
10000+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 832 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
832+42.61 грн
1000+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 832 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-TL-EXON Semiconductor2SB1205T-TL-EX
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1190+29.80 грн
10000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 1190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-TL-EXonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A DPAK/TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: DPAK/TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-TL-EXONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1205T-TL-EX - 2SB1205 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR, 5A 20V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB121NECCAN
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1211
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1212
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1212
Код товару: 45459
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
УКТЗЕД: 8541 29 00 90
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1214SANYO
на замовлення 121100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1214-TL-EON SemiconductorTrans Darlington PNP 60V 3A 1000mW
на замовлення 38500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+33.26 грн
701+29.11 грн
1401+23.25 грн
4901+21.60 грн
7701+19.24 грн
14701+17.82 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215onsemi BIP PNP 3A 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 100V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 140-149 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-HonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1215S-H - 2SB1215S-H, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 100V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-HonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 8998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
634+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 634 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-TL-EONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 1W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1W
Case: DPAK
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 100V
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.18 грн
10+65.14 грн
100+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1215S-TL-H - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-TL-HonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-TL-HonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
634+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 634 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-TL-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 100V
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
881+40.25 грн
1000+37.12 грн
10000+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 881 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 100V
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1215T-E - TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, 100V, 3A-TO251
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
961+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 961 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-HON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-HonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 100V
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-N-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A 2-TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 2-TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-N-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1215T-N-TL-E - 2SB1215 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR, 3A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-N-TL-EON Semiconductor2SB1215T-N-TL-E
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.73 грн
1000+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.93 грн
1000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
568+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 568 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 41300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.93 грн
1000+41.44 грн
10000+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1215T-TL-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
881+40.25 грн
1000+37.12 грн
Мінімальне замовлення: 881 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-TL-HonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1215T-TL-H - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-TL-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 100V
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215T-TL-HonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 9400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
634+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 634 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216onsemionsemi BIP PNP 4A 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216A4SIRECTIFIERCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Case: TO252
Current gain: 70...400
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.24 грн
10+55.19 грн
100+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 100V
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-HON SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 4A TP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
10+52.50 грн
100+36.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+31.53 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-TL-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 100V
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-TL-HON SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 4A TP-FA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-TL-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216TSANYO09+
на замовлення 15768 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216T-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1216T-E - 2SB1216T-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216T-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 100V
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216T-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 833 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216T-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216T-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216T-HON SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 4A TP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216T-TL-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216T-TL-EON SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 4A TP-FA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216T-TL-HonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A TPFA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
847+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216T-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1216T-TL-H - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216T-TL-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1217
на замовлення 20158 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1217-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1218-R(TX)(A-R)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1218-SPANASONIC00+ SOT-323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1218-S(TW)(A-S)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1218-S(TX)(A-S)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1218APANASONISOT-323
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1218A-(TX)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 16964 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1218A-(TX)(B.)
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1218A-(TX).SOPANASONICSOT323-BR PB-FRE
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1218A-(TX).SOSOT323-BPANASONIC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1218A-(TX).SOSOT323-BRPANASONIC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1218A-<TX>PANASONICSOT23
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1218A-Q(TX)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP GP AMP 45VCEO SMINI 3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1218A-Q(TX)(B.Q)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1218A-Q(TX).MR+PanasonicSOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1218A-Q?TX?PANASONICSOT23
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1218A-RPANASONICSOT-323
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1218A-R(TX)(B-R)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.