Продукція > BSC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 20 24 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC042N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGInfineonN-MOSFET 30V 93A 4.2mΩ BSC042N03LSGATMA1 Infineon TBSC042n03ls
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGInfineon TechnologiesDescription: BSC042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 93A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC042N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 93 A, 4200 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 8916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.67 грн
13+66.33 грн
100+44.06 грн
500+31.93 грн
1000+24.66 грн
5000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 93A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.35 грн
160+88.84 грн
186+76.10 грн
200+69.56 грн
500+60.22 грн
1000+54.30 грн
5000+47.71 грн
10000+44.82 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.63 грн
10+57.82 грн
100+38.34 грн
500+28.13 грн
1000+25.61 грн
2000+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 93A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+45.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 93A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+45.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.74 грн
10000+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03MS G
Код товару: 174773
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 4811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/93A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/93A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
10+62.12 грн
100+41.29 грн
500+30.34 грн
1000+27.63 грн
2000+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03SINFINEON
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03S GINF09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/95A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/95A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03SCINFINEON09+
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03SGinfineonTDSON-8
на замовлення 11994 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03STInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/50A TDSON
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3 GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GInfineonN-MOSFET 75V 100A 4.2mΩ BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon TBSC042ne7ns3g
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+120.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3G
Код товару: 151608
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GInfineon TechnologiesDescription: BSC042NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 37.5 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 19A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 4200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+134.12 грн
250+106.48 грн
1000+83.03 грн
3000+73.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 37.5 V
на замовлення 21088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.90 грн
10+136.69 грн
100+94.85 грн
500+75.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 19A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 4200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+230.85 грн
50+153.63 грн
250+117.05 грн
1000+85.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 7430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC046N02KS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 80A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC046N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 19A/80A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
на замовлення 4773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.68 грн
10+99.03 грн
100+67.27 грн
500+50.37 грн
1000+46.26 грн
2000+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC046N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 19A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC046N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 19A/80A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC046N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 19A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC046N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC046N10NS3 GInfineon
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC046N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC046N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8
на замовлення 4912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3 GInfineon
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC047N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 4700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.72 грн
10+147.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+69.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 16770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+211.59 грн
83+170.71 грн
100+159.90 грн
500+136.79 грн
1000+118.07 грн
2000+110.25 грн
5000+106.14 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.66 грн
10+258.83 грн
25+256.28 грн
100+201.58 грн
250+184.71 грн
500+149.92 грн
1000+122.28 грн
3000+117.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 40 V
на замовлення 10817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.71 грн
10+148.39 грн
100+103.04 грн
500+78.53 грн
1000+77.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+289.66 грн
55+258.83 грн
56+256.28 грн
100+201.58 грн
250+184.71 грн
500+149.92 грн
1000+122.28 грн
3000+117.92 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC048N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/89A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 89A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC048N025SGinfineon08+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1Infineon TechnologiesBSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1Infineon TechnologiesBSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 7619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
407+87.04 грн
500+78.35 грн
1000+72.25 грн
Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0500NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.28 грн
500+41.21 грн
1000+36.23 грн
5000+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1Infineon TechnologiesBSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1Infineon TechnologiesBSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
на замовлення 9032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.55 грн
10+115.78 грн
100+79.40 грн
500+59.93 грн
1000+55.24 грн
2000+51.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1Infineon TechnologiesBSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.93 грн
25+54.08 грн
100+51.31 грн
250+46.74 грн
500+44.14 грн
1000+43.39 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0500NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.95 грн
18+47.55 грн
100+46.74 грн
500+39.70 грн
1000+36.09 грн
5000+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1Infineon TechnologiesBSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1Infineon TechnologiesBSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+48.92 грн
500+45.25 грн
1000+43.39 грн
Мінімальне замовлення: 279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIInfineon TechnologiesBSC0501NSI
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+145.07 грн
103+138.58 грн
250+133.01 грн
500+123.64 грн
1000+110.74 грн
2500+103.17 грн
5000+100.39 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.26 грн
10+106.48 грн
100+71.21 грн
500+52.08 грн
1000+41.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 20566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
566+62.52 грн
1000+57.66 грн
10000+51.42 грн
Мінімальне замовлення: 566 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.71 грн
10+78.72 грн
100+55.63 грн
500+42.55 грн
1000+39.39 грн
2000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.21 грн
500+52.08 грн
1000+41.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+84.11 грн
185+76.56 грн
213+66.47 грн
228+59.92 грн
500+48.16 грн
1000+46.15 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIInfineon
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0502NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.66 грн
13+64.78 грн
100+50.48 грн
500+37.51 грн
1000+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 9928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+53.90 грн
1000+49.70 грн
10000+44.32 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0502NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.48 грн
500+37.51 грн
1000+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+65.72 грн
247+57.33 грн
253+55.91 грн
2000+53.74 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 23737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.17 грн
10+84.16 грн
100+56.65 грн
500+42.12 грн
1000+38.57 грн
2000+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 20 24 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]