Продукція > BSC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC040N10NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+88.69 грн
10000+88.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+84.66 грн
10000+83.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+147.66 грн
500+133.48 грн
1000+122.85 грн
10000+105.37 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC040N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 42834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1InfineonMOSFET N-CH 100V 100A QFN-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.89 грн
10+129.20 грн
100+118.18 грн
500+93.67 грн
1000+80.49 грн
5000+73.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 174835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+147.66 грн
500+133.48 грн
1000+122.85 грн
10000+105.37 грн
100000+81.74 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.35 грн
10+133.49 грн
50+102.31 грн
100+86.58 грн
500+70.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A TDSON-8
на замовлення 39719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+84.66 грн
10000+83.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.76 грн
10+111.58 грн
25+85.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 140A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+350.32 грн
43+335.27 грн
50+322.49 грн
100+300.43 грн
250+269.74 грн
500+251.90 грн
1000+245.74 грн
2500+240.32 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCInfineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 140A WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC040N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 140 A, 3400 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCATMA1InfineonN-Channel 100V 140A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount PG-WSON-8-2 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 140A WSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC040N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 140 A, 3400 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 140A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCATMA2Infineon TechnologiesDescription: BSC040N10NS5SCATMA2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCATMA2Infineon Technologies IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSINF09+
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGInfineon TechnologiesDescription: BSC042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGInfineonN-MOSFET 30V 93A 4.2mΩ BSC042N03LSGATMA1 Infineon TBSC042n03ls
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 93A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 93A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.58 грн
160+89.04 грн
186+76.27 грн
200+69.71 грн
500+60.35 грн
1000+54.42 грн
5000+47.81 грн
10000+44.92 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
на замовлення 17286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.66 грн
10+46.67 грн
100+30.54 грн
500+22.14 грн
1000+20.04 грн
2000+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC042N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 93 A, 4200 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 8916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 93A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 93A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.11 грн
10000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 4811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03MS G
Код товару: 174773
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/93A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.74 грн
10+61.55 грн
100+40.91 грн
500+30.06 грн
1000+27.38 грн
2000+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/93A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03SINFINEON
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/95A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03S GINF09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/95A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03SCINFINEON09+
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03SGinfineonTDSON-8
на замовлення 11994 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03STInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/50A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3 GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3G
Код товару: 151608
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GInfineonN-MOSFET 75V 100A 4.2mΩ BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon TBSC042ne7ns3g
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+120.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GInfineon TechnologiesDescription: BSC042NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+95.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 37.5 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.62 грн
10+125.61 грн
25+96.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.54 грн
10+187.20 грн
100+143.38 грн
500+112.79 грн
1000+100.92 грн
2500+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+277.50 грн
75+189.23 грн
100+144.93 грн
500+114.02 грн
1000+102.01 грн
2500+95.47 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 4200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+287.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 37.5 V
на замовлення 12577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.41 грн
10+106.50 грн
50+80.86 грн
100+68.13 грн
500+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.46 грн
10+151.43 грн
100+121.91 грн
500+98.96 грн
1000+88.96 грн
2500+83.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+95.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 4200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC046N02KS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 80A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC046N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 19A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC046N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 19A/80A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC046N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 19A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC046N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 19A/80A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
на замовлення 4773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.21 грн
10+98.12 грн
100+66.66 грн
500+49.91 грн
1000+45.84 грн
2000+42.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC046N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC046N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8
на замовлення 4912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC046N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC047N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 4700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.30 грн
10+259.40 грн
25+256.85 грн
100+202.02 грн
250+185.12 грн
500+150.26 грн
1000+122.55 грн
3000+118.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+290.30 грн
55+259.40 грн
56+256.85 грн
100+202.02 грн
250+185.12 грн
500+150.26 грн
1000+122.55 грн
3000+118.18 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.19 грн
10+107.54 грн
50+81.79 грн
100+68.94 грн
500+55.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 16770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+212.06 грн
83+171.09 грн
100+160.25 грн
500+137.10 грн
1000+118.34 грн
2000+110.50 грн
5000+106.38 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC048N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/89A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC048N025SGinfineon08+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1Infineon TechnologiesBSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1Infineon TechnologiesBSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.06 грн
25+54.20 грн
100+51.42 грн
250+46.84 грн
500+44.23 грн
1000+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0500NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1Infineon TechnologiesBSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
на замовлення 9032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.84 грн
10+114.72 грн
100+78.68 грн
500+59.38 грн
1000+54.73 грн
2000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1Infineon TechnologiesBSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+49.03 грн
500+45.35 грн
1000+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1Infineon TechnologiesBSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0500NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.