Продукція > FCP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FCPF190N65S3L1 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.4mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF190N65S3L1 | ON Semiconductor | N-Channel SuperFET MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF190N65S3R0L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF190N65S3R0L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCPF190N65S3R0L - MOSFET, N-CH, 650V, 17A, TO-220FP tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 58079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF190N65S3R0L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF190N65S3R0L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF190N65S3R0L | ON Semiconductor | на замовлення 228 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FCPF190N65S3R0L | onsemi | MOSFETs SUPERFET3 650V 17A 190 mOhm | на замовлення 603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF20N60 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 98nC Pulsed drain current: 60A | на замовлення 16 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF20N60 | On Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220-3 Full Pack Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF20N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF20N60 Код товару: 60737
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FCPF20N60 | onsemi | MOSFETs 600V N-Channel SuperFET | на замовлення 892 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF20N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF20N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF20N60 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCPF20N60 - MOSFET, N, TO-220F tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF20N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF20N60 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF20N60C | Fairchild | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FCPF20N60FS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF20N60S | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF20N60S | FAIRCHILD | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FCPF20N60ST | Fairchild Semiconductor | Description: 20A, 600V, 0.19OHM, N CHANNEL , Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF20N60T | On Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF20N60T | onsemi / Fairchild | MOSFETs 600V N-CH SuperFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF20N60T | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF20N60T | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF20N60T | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCPF20N60T - MOSFET, N, TO-220F tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF20N60TYDTU | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF21N60NT | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCPF21N60NT - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF21N60NT | Fairchild Semiconductor | Description: 1-ELEMENT, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: TO-220F Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF21N60NT | ON Semiconductor | MOSFET SupreMOS, 21A TO220F | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF21N60NT | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO-220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: TO-220F-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF21N60NT | onsemi / Fairchild | MOSFETs SupreMOS, 21A TO220F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF21N60NT | FAIRCHILD | FCPF21N60NT | на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF220N80 | onsemi | MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET | на замовлення 715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF220N80 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF220N80 | ON Semiconductor | на замовлення 950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FCPF220N80 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 23A; Idm: 57A; 44W; TO220FP Case: TO220FP Drain current: 23A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 44W Pulsed drain current: 57A Drain-source voltage: 800V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 78nC On-state resistance: 0.22Ω | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF220N80 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 23A TO220F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.3mA Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 18797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF220N80 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET | на замовлення 751 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF220N80 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF2250N80Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF2250N80Z | ON Semiconductor | на замовлення 980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FCPF2250N80Z | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF2250N80Z | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 2.6 A, 2.25 O | на замовлення 785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF2250N80Z | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCPF2250N80Z - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 974 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF2250N80Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF2250N80Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF22N60NT | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 139691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF22N60NT | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±45V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF22N60NT | onsemi / Fairchild | MOSFETs 600V N-Channel SupreMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF22N60NT | ON Semiconductor | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FCPF22N60NT | onsemi | MOSFETs 600V N-Channel SupreMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF250N65S3L1 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF250N65S3L1 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET SuperFET3 650V 250 mOhm, TO220F PKG | на замовлення 1688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF250N65S3L1 | ON Semiconductor | на замовлення 9840 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FCPF250N65S3L1-F154 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF250N65S3L1-F154 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCPF250N65S3L1-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.25 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 31W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF250N65S3L1-F154 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF250N65S3L1-F154 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF250N65S3L1-F154 | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V | на замовлення 15978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF250N65S3L1-F154 | onsemi | MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF250N65S3L1-F154 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF250N65S3R0L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF250N65S3R0L | ON Semiconductor | MOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG | на замовлення 887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF250N65S3R0L | ON Semiconductor | на замовлення 1686 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FCPF250N65S3R0L-F154 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF250N65S3R0L-F154 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF250N65S3R0L-F154 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF250N65S3R0L-F154 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCPF250N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.25 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 31W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF250N65S3R0L-F154 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF250N65S3R0L-F154 | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V | на замовлення 1830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF250N65S3R0L-F154 | onsemi | MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG | на замовлення 863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF260N60E | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF260N60E | onsemi / Fairchild | MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF260N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF260N60E | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 45A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF260N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF260N60E | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCPF260N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.26 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 36W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm | на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF260N60E | onsemi | Description: MOSFET N CH 600V 15A TO-220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V | на замовлення 4720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF260N60E | onsemi | MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF260N60E | ON Semiconductor | на замовлення 49650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FCPF260N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF260N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF260N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF260N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF260N60E-F152 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCPF260N60E-F152 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 8375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF260N60E-F152 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220F Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF260N60E-F152 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 650V, 260mOhm SuperFET II MOSFET | на замовлення 877 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF260N60E-F154 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF260N60E-F154 | onsemi | MOSFET SF2 600V 260MOHM E TO220F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF260N65FL1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF260N65FL1 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V | на замовлення 3523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF260N65FL1 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SuperFET II, FRFET , 650 V, 15 A, 260 mO, TO-220F | на замовлення 122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF260N65FL1-F154 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF260N65FL1-F154 | onsemi | MOSFETs SF2 650V 260MOHM F TO220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF260N65FL1-F154 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FCPF290N80 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V | на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FCPF290N80 | onsemi | MOSFETs SuperFET2 800V 290 mOhm | на замовлення 718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

