Продукція > FCP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FCPF20N60TonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60Tonsemi / FairchildMOSFETs 600V N-CH SuperFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60TON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60TONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF20N60T - MOSFET, N, TO-220F
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60TYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF21N60NTonsemi / FairchildMOSFETs SupreMOS, 21A TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF21N60NTFAIRCHILDFCPF21N60NT
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+313.51 грн
500+297.01 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF21N60NTFairchild SemiconductorDescription: 1-ELEMENT, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: TO-220F
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+398.85 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF21N60NTONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF21N60NT - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF21N60NTonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF21N60NTON SemiconductorMOSFET SupreMOS, 21A TO220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+313.51 грн
500+297.01 грн
1000+280.51 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF220N80onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF220N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF220N80onsemiMOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF220N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 23A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.3mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 100 V
на замовлення 18797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+404.45 грн
50+213.63 грн
100+205.04 грн
500+174.87 грн
1000+173.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF220N80ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 23A; Idm: 57A; 44W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain current: 23A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 44W
Pulsed drain current: 57A
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 78nC
On-state resistance: 0.22Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF220N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF2250N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF2250N80ZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+115.09 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF2250N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF2250N80Zonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 2.6 A, 2.25 O
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF2250N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF2250N80Z - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 974 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF2250N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF22N60NTonsemiMOSFETs 600V N-Channel SupreMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF22N60NTonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±45V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF22N60NTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 139691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+268.73 грн
500+254.58 грн
1000+240.44 грн
10000+218.21 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF22N60NTonsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel SupreMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3L1onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3L1ON Semiconductor / FairchildMOSFET SuperFET3 650V 250 mOhm, TO220F PKG
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3L1-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3L1-F154onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3L1-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+100.10 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3L1-F154ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF250N65S3L1-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.25 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 31W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3L1-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.52 грн
10+129.16 грн
25+127.87 грн
50+122.06 грн
100+107.86 грн
250+102.51 грн
500+89.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3L1-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0LonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0LON SemiconductorMOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF250N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.25 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+155.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154onsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.34 грн
10+212.40 грн
50+166.37 грн
100+142.21 грн
500+117.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+153.98 грн
10+135.68 грн
25+135.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+180.92 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+135.49 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60EONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 45A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 48nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60EFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+164.36 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60Eonsemi / FairchildMOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60EONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF260N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.26 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.34 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60EonsemiDescription: MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+312.74 грн
10+199.26 грн
50+155.68 грн
100+132.93 грн
500+109.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60EonsemiMOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+189.76 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E-F152onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E-F152ON Semiconductor / FairchildMOSFET 650V, 260mOhm SuperFET II MOSFET
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E-F152ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF260N60E-F152 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 282 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E-F154onsemiMOSFET SF2 600V 260MOHM E TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N65FL1Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
на замовлення 3523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+128.25 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N65FL1ON Semiconductor / FairchildMOSFET Power MOSFET, N-Channel, SuperFET II, FRFET , 650 V, 15 A, 260 mO, TO-220F
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N65FL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N65FL1-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N65FL1-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N65FL1-F154onsemiMOSFETs SF2 650V 260MOHM F TO220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF290N80Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V
на замовлення 7634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+287.17 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF290N80onsemi / FairchildMOSFETs SuperFET2 800V 290 mOhm
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF290N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF290N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.21 грн
10+328.33 грн
50+261.56 грн
100+225.30 грн
500+197.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF290N80onsemiMOSFETs SuperFET2 800V 290 mOhm
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF290N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF290N80ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF290N80 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 7634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF290N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+340.49 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220F
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0LonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 10A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+80.34 грн
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0LonsemiMOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0L-F154ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 10A; 27W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.36Ω
Polarisation: N
Technology: PowerTrench®
Drain current: 10A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0L-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0L-F154onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0L-F154ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF360N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 27W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0L-F154onsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.98 грн
10+172.39 грн
50+133.88 грн
100+114.01 грн
500+93.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF36N60NTFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 36A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF36N60NTonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 36A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF36N60NTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF36N60NTONS/FAIMOSFET N-CH 600V 36A TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF36N60NTonsemi / FairchildMOSFET SM 600V 90MOHM F TO220F
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V
на замовлення 5454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+123.84 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60ONS/FAIMOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60onsemiMOSFETs SuperFET2, 380mohm
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.25 грн
10+157.15 грн
50+121.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.2A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 30.6A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60-F152onsemiMOSFETs 650V, 380mOhm SuperFET II MOSFET
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60-F152onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60-F152ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60-F152Fairchild SemiconductorDescription: 600V, N-CHANNEL, MOSFET, TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+98.79 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60-F152ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.