Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 20 24 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD12N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12N03LBGInfineon
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12NLBGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD130N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.36 грн
10+88.92 грн
100+50.81 грн
500+40.32 грн
1000+35.83 грн
2000+32.72 грн
4000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD130N10NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; 71W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK3
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.6nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD130N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.27 грн
10+71.65 грн
100+47.91 грн
500+35.41 грн
1000+32.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD130N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03L G
Код товару: 128409
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGinfineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD135N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.39 грн
50+25.05 грн
100+24.08 грн
500+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 30A DPAK-2
на замовлення 17033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.04 грн
10+34.93 грн
100+21.75 грн
500+16.71 грн
1000+15.05 грн
2500+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.03 грн
5000+16.91 грн
7500+15.32 грн
17500+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD135N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.08 грн
500+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 31W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 681 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+37.59 грн
15+29.25 грн
50+24.10 грн
100+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 28599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.61 грн
10+30.44 грн
100+22.91 грн
500+19.25 грн
1000+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: LV POWER MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGXTInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
596+59.56 грн
1000+54.93 грн
Мінімальне замовлення: 596 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
596+59.56 грн
1000+54.93 грн
Мінімальне замовлення: 596 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.18 грн
25+42.86 грн
100+41.02 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD135N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45 A, 0.0114 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.65 грн
100+38.10 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.24 грн
10+84.58 грн
100+56.61 грн
500+41.87 грн
1000+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+52.39 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.09 грн
5000+43.65 грн
7500+43.21 грн
12500+41.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.65 грн
5000+44.21 грн
7500+43.76 грн
12500+41.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1
Код товару: 164353
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
596+59.56 грн
1000+54.93 грн
Мінімальне замовлення: 596 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD135N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45 A, 0.0114 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.78 грн
10+89.71 грн
100+51.50 грн
500+40.94 грн
1000+36.31 грн
2500+33.21 грн
5000+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD13N03LAInfineon0504+
на замовлення 136057 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD13N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD13N03LA GINFINEON09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD13N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD13N03LA GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 30A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD13N03LA G
Код товару: 46550
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD13N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD13N03LAGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD13N03LAGBUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD13N03LAP
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD144N06NGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD144N06NGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N03Linfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N05infineon04+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S2-80Infineon TechnologiesDescription: IPD14N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S2-80Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 17A DPAK-2 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S280ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S280ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD14N06S280ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 47W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.00 грн
500+20.49 грн
1000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S280ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S280ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD14N06S280ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.81 грн
100+30.61 грн
500+22.06 грн
1000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S280ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.00 грн
100+33.56 грн
500+24.46 грн
1000+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S280ATMA2InfineonТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S280ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.72 грн
23+33.41 грн
25+31.25 грн
50+29.83 грн
100+26.28 грн
250+24.68 грн
500+22.18 грн
1000+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S280ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.29 грн
10+62.16 грн
100+35.62 грн
500+28.03 грн
1000+23.95 грн
2500+21.61 грн
5000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S280ATMA2
Код товару: 154372
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N03Linfineon04+
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L-64Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 19A DPAK-2 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L-64INFINEON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64INFINEON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.12 грн
10+51.68 грн
100+31.89 грн
500+26.37 грн
1000+23.95 грн
2500+20.78 грн
5000+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD15N06S2L64ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.83 грн
500+26.85 грн
1000+22.57 грн
5000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2
Код товару: 122996
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD15N06S2L64ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.85 грн
100+33.83 грн
500+26.85 грн
1000+22.57 грн
5000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
10+37.02 грн
100+29.83 грн
500+25.67 грн
1000+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.43 грн
13+59.70 грн
25+49.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD160N04LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD160N04LGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD16CN10N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD16CN10NGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD16CNE8N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD16CNE8NGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD170N04NGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10NInfineon
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GInfineon technologies
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 5283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.15 грн
10+74.04 грн
100+49.55 грн
500+36.66 грн
1000+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 6782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.58 грн
10+90.50 грн
100+52.19 грн
500+41.35 грн
1000+36.73 грн
2500+33.62 грн
5000+32.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 43A; Idm: 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Application: automotive industry
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+39.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.27 грн
5000+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.87 грн
23+34.29 грн
25+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+35.56 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GBTMA1
Код товару: 144724
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 20 24 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]