Продукція > SCS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCS210AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: TO-263AB Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 | на замовлення 1130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210AJTLL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210AJTLL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape Mounting: SMD Case: TO263AB Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Load current: 10A Power dissipation: 83W Max. forward voltage: 1.55V Max. forward impulse current: 150A Max. load current: 45A Max. off-state voltage: 650V Kind of package: reel; tape | на замовлення 7 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210AJTLL Код товару: 204613
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SCS210AJTLL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210AMC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS210AMC | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220FP-2; 34W Power dissipation: 34W Case: TO220FP-2 Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Load current: 10A Max. forward voltage: 1.55V Max. load current: 28A Max. off-state voltage: 650V Max. forward impulse current: 150A Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS210AMC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220FM Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Not For New Designs Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: TO-220FM Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210AMC | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210ANHRTRL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A LPDS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS210ANHRTRL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210ANHRTRL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V, 10A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive (3-pin package) | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210ANHRTRL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210ANHRTRL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A LPDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210ANHRTRL | ROHM | Description: ROHM - SCS210ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 11 nC, TO-263 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 Kapazitive Gesamtladung: 11nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210ANTRL | Rohm Semiconductor | Description: 650V, 10A, SMD, SILICON-CARBIDE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210ANTRL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A SM SIC SKY | на замовлення 891 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210ANTRL | Rohm Semiconductor | Description: 650V, 10A, SMD, SILICON-CARBIDE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210KE2C | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers DIODE: 10A 1200V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS210KE2C | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS210KE2C | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS210KE2GC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210KE2GC11 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 5A RDL SIC SKY | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210KE2GC11 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247N Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-247N Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200 Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5 | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210KE2GC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210KE2HR | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210KE2HRC | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A/10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified | на замовлення 271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS210KE2HRC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247 Qualification: AEC-Q101 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Grade: Automotive Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 20 Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: TO-247 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS210KE2HRC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210KE2HRC11 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes AECQ | на замовлення 798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210KE2HRC11 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A (DC) Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200 Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210KGC | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes DIODE: 10A 1200V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS210KGC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200 Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS210KGC17 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube | на замовлення 277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210KGC17 | ROHM | Description: ROHM - SCS210KGC17 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 34 nC, TO-220ACG Kapazitive Gesamtladung: 34 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220ACG Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Produktpalette: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS210KGC17 Код товару: 203353
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SCS210KGC17 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 10A RDL SIC SKY | на замовлення 752 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210KGC17 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFP Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-220ACFP Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200 Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 | на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210KGC17 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube | на замовлення 767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210KGC17 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS210KGHRC | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS210KGHRC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC Qualification: AEC-Q101 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Grade: Automotive Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200 Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS210KGHRC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 10A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS210KGHRC | ROHM | Description: ROHM - SCS210KGHRC - SiC-Schottky-Diode, SCS21, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 34 nC, TO-220AC Kapazitive Gesamtladung: 34 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220AC Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: SCS21 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS210KNHRTRL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210KNHRTRL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A LPDS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS210KNHRTRL | ROHM | Description: ROHM - SCS210KNHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 18 nC, TO-263 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210KNHRTRL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V, 10A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive (3-pin package) | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210KNHRTRL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A LPDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210KNHRTRL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS210KNTRL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 10A SM SIC SKY | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212AGC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS212AGC | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220AC; 93W; tube Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Mounting: THT Max. forward voltage: 1.55V Load current: 12A Max. forward impulse current: 170A Max. load current: 52A Power dissipation: 93W Max. off-state voltage: 650V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS212AGC | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers DIODE: 12A 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS212AGC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS212AGC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS212AGC17 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212AGC17 | ROHM | Description: ROHM - SCS212AGC17 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220ACG tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACG Kapazitive Gesamtladung: 18nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A SVHC: Lead (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212AGC17 | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers SILICON CARBIDE | на замовлення 1573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212AGC17 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIC 650V 12A TO220ACFP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220ACFP Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V | на замовлення 933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212AGC17 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212AGC17 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212AGHRC | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 12ASiC SBD AEC-Q101 Qualified | на замовлення 3576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS212AGHRC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 12A Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 1813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212AGHRC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212AJHRTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212AJHRTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212AJHRTLL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 12A SiC SBD AEC-Q101 Qualified | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212AJHRTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS212AJHRTLL | ROHM | Description: ROHM - SCS212AJHRTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263AB Kapazitive Gesamtladung: 18 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12 Anzahl der Pins: 3 Pins Bauform - Diode: TO-263AB Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: - SVHC: Lead (08-Jul-2021) | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212AJHRTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS212AJTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212AJTLL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SiC, SBD 650V 12A DPAK | на замовлення 876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212AJTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212AJTLL | ROHM | Description: ROHM - SCS212AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263AB tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB Kapazitive Gesamtladung: 18nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A SVHC: Lead (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212AJTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: TO-263AB Current - Average Rectified (Io): 12A Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS212AMC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Not For New Designs Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: TO-220FM Current - Average Rectified (Io): 12A Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212AMC | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 12A TO-220FM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS212AMC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS212ANHRTRL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212ANHRTRL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263L Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-263L Current - Average Rectified (Io): 12A Capacitance @ Vr, F: 440pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212ANHRTRL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 12A SM SIC SKY | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212ANHRTRL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212ANHRTRL | ROHM | Description: ROHM - SCS212ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 17 nC, TO-263 tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kapazitive Gesamtladung: 17nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Periodische Spitzensperrspannung: 650V rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212ANHRTRL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263L Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-263L Current - Average Rectified (Io): 12A Capacitance @ Vr, F: 440pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212ANHRTRL | ROHM | Description: ROHM - SCS212ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 17 nC, TO-263 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 Kapazitive Gesamtladung: 17nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS212ANTRL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 12A SM SIC SKY | на замовлення 985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215AEC | Rohm | Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 15A TO-247 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS215AEC | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO247-3; 110W; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 15A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-3 Max. forward voltage: 1.55V Max. forward impulse current: 200A Kind of package: tube Max. load current: 65A Power dissipation: 110W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS215AEC | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 15A TO-247 | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS215AEC | Rohm Semiconductor | Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS215AEC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS215AEGC11 | ROHM | Description: ROHM - SCS215AEGC11 - SiC-Schottky-Diode, SCS21, Einfach, 650 V, 15 A, 23 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 productTraceability: No Kapazitive Gesamtladung: 23nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Diodenmontage: Durchsteckmontage | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215AEGC11 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 15A RDL SIC SKY | на замовлення 504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215AEGC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube | на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215AEGC11 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247 Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-247 Current - Average Rectified (Io): 15A Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215AEGC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. |

