Продукція > SCS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SCS210AGC17ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; Ufmax: 1.55V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Max. forward voltage: 1.55V
Max. forward impulse current: 38A
Leakage current: 0.2mA
Capacitance: 365pF
на замовлення 787 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+251.98 грн
30+193.73 грн
50+185.34 грн
100+179.47 грн
300+157.67 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AGC17Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AGC17Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+408.43 грн
50+322.32 грн
100+294.63 грн
500+237.34 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AGC17ROHMDescription: ROHM - SCS210AGC17 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220ACG
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220ACG
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AGC17Rohm SemiconductorDescription: DIODE SIC 650V 10A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+442.07 грн
10+285.61 грн
50+225.39 грн
100+193.35 грн
500+161.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AGC17Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+472.19 грн
55+258.20 грн
100+251.14 грн
500+229.74 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AGC17ROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 10A, 2nd Gen
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AGHRCROHMDescription: ROHM - SCS210AGHRC - SiC-Schottky-Diode, SCS21, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 15
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220AC
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: SCS21
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AGHRCRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AGHRCROHM SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AGHRCRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky 650V 10A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+456.31 грн
33+436.70 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AJHRTLLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AJHRTLLROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AJHRTLLRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AJHRTLLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+569.05 грн
10+373.54 грн
100+292.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AJHRTLLRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+395.42 грн
38+378.43 грн
50+364.02 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AJHRTLLROHMDescription: ROHM - SCS210AJHRTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263AB
Kapazitive Gesamtladung: 15
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263AB
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AJTLLRohm SemiconductorDiode Schottky 650V 10A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+517.65 грн
50+358.30 грн
100+272.50 грн
200+250.04 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AJTLLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.61 грн
10+275.27 грн
100+198.98 грн
500+186.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AJTLLRohm SemiconductorDiode Schottky 650V 10A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+389.95 грн
100+282.04 грн
250+281.83 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AJTLLROHMDescription: ROHM - SCS210AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Barriere, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263AB
Kapazitive Gesamtladung: 15
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263AB
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AJTLLRohm SemiconductorDiode Schottky 650V 10A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+389.95 грн
100+282.04 грн
250+281.83 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AJTLL
Код товару: 204613
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AJTLLROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes DIODE: 10A 600V
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AJTLLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Mounting: SMD
Case: TO263AB
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 1.55V
Power dissipation: 83W
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Max. load current: 45A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+371.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AJTLLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+168.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AMCRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AMCROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AMCROHM SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220FP-2; 34W
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP-2
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Load current: 10A
Max. forward voltage: 1.55V
Max. load current: 28A
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AMCRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210ANHRTRLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210ANHRTRLROHMDescription: ROHM - SCS210ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 11 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 11nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210ANHRTRLRohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+311.16 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210ANHRTRLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.37 грн
10+224.10 грн
100+171.06 грн
500+145.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210ANHRTRLRohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+318.52 грн
50+288.30 грн
250+253.19 грн
500+229.00 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210ANHRTRLROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V, 10A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive (3-pin package)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210ANTRLRohm SemiconductorDescription: 650V, 10A, SMD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+125.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210ANTRLROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes RECT 650V 10A SM SIC SKY
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210ANTRLRohm SemiconductorDescription: 650V, 10A, SMD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.74 грн
10+218.81 грн
100+156.03 грн
500+139.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2CRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2CROHM SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers DIODE: 10A 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2CRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2GC11Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+713.07 грн
28+519.77 грн
50+460.84 грн
100+417.11 грн
200+364.11 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2GC11Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+690.02 грн
25+660.38 грн
50+635.22 грн
100+591.75 грн
250+531.30 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2GC11ROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 5A RDL SIC SKY
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2GC11Rohm SemiconductorDescription: DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A (DC)
Supplier Device Package: TO-247N
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+732.08 грн
30+470.91 грн
120+410.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2HRRohm SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+483.71 грн
32+453.53 грн
50+446.93 грн
100+417.33 грн
200+378.84 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2HRCROHM SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A/10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2HRCRohm SemiconductorDescription: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 20
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2HRC11Rohm SemiconductorDescription: DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+749.33 грн
30+419.18 грн
120+366.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2HRC11Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+753.45 грн
25+718.67 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2HRC11ROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes AECQ
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGCROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes DIODE: 10A 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGCRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGC17Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+868.60 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGC17ROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 10A RDL SIC SKY
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGC17Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGC17
Код товару: 203353
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGC17Rohm SemiconductorDescription: DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+636.46 грн
50+338.02 грн
100+311.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGC17Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+884.44 грн
50+481.82 грн
100+450.71 грн
200+424.61 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGC17ROHMDescription: ROHM - SCS210KGC17 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 34 nC, TO-220ACG
Kapazitive Gesamtladung: 34
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220ACG
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGHRCROHMDescription: ROHM - SCS210KGHRC - SiC-Schottky-Diode, SCS21, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 34 nC, TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 34
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220AC
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: SCS21
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGHRCROHM SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGHRCRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky 1.2KV 10A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGHRCRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KNHRTRLRohm SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+906.36 грн
24+606.99 грн
50+529.20 грн
100+425.06 грн
200+376.74 грн
500+302.06 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KNHRTRLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KNHRTRLROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes 1200V, 10A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive (3-pin package)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KNHRTRLRohm SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+541.49 грн
50+505.45 грн
100+470.34 грн
250+348.06 грн
500+304.05 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KNHRTRLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+596.48 грн
10+390.53 грн
100+351.47 грн
500+304.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KNHRTRLROHMDescription: ROHM - SCS210KNHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 18 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KNTRLROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 10A SM SIC SKY
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGCROHM SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220AC; 93W; tube
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.55V
Load current: 12A
Max. forward impulse current: 170A
Max. load current: 52A
Power dissipation: 93W
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGCRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGCROHM SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers DIODE: 12A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGCRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGCRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGC17Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+330.02 грн
54+266.84 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGC17ROHM SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SILICON CARBIDE
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGC17Rohm SemiconductorDescription: DIODE SIC 650V 12A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.04 грн
50+232.87 грн
100+213.23 грн
500+167.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGC17Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+340.97 грн
50+330.07 грн
100+302.24 грн
250+284.24 грн
500+226.35 грн
1000+214.25 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGC17ROHMDescription: ROHM - SCS212AGC17 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220ACG
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220ACG
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGC17Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+374.80 грн
45+314.69 грн
50+288.76 грн
100+245.49 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGHRCRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+488.08 грн
31+467.11 грн
50+449.31 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGHRCROHM SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 650V 12ASiC SBD AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGHRCRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+494.59 грн
10+407.81 грн
100+339.79 грн
500+281.36 грн
1000+253.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJHRTLLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+592.56 грн
10+489.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJHRTLLROHMDescription: ROHM - SCS212AJHRTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263AB
Kapazitive Gesamtladung: 18
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263AB
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJHRTLLRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJHRTLLROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 12A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJHRTLLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJHRTLLRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+463.44 грн
32+443.52 грн
50+426.62 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJTLLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.39 грн
10+244.47 грн
100+234.75 грн
500+185.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJTLLRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky 650V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+248.69 грн
66+215.69 грн
100+205.08 грн
200+196.62 грн
500+168.38 грн
1000+153.56 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJTLLRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky 650V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+183.87 грн
88+161.24 грн
100+156.52 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJTLLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJTLLROHMDescription: ROHM - SCS212AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJTLLROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes SiC, SBD 650V 12A DPAK
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJTLLRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky 650V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+302.16 грн
50+299.39 грн
100+286.92 грн
250+262.36 грн
500+222.56 грн
1000+221.77 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AMCRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.