Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SCS210AJTLLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-263AB
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+421.71 грн
10+272.75 грн
100+197.15 грн
500+184.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AJTLLRohm SemiconductorDiode Schottky 650V 10A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+390.81 грн
100+282.67 грн
250+282.46 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AJTLLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Mounting: SMD
Case: TO263AB
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Load current: 10A
Power dissipation: 83W
Max. forward voltage: 1.55V
Max. forward impulse current: 150A
Max. load current: 45A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+367.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AJTLL
Код товару: 204613
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AJTLLRohm SemiconductorDiode Schottky 650V 10A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+518.80 грн
50+359.10 грн
100+273.10 грн
200+250.59 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AJTLLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+167.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AMCRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AMCROHM SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220FP-2; 34W
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP-2
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Load current: 10A
Max. forward voltage: 1.55V
Max. load current: 28A
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AMCRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220FM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Not For New Designs
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220FM
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210AMCROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+422.83 грн
10+316.76 грн
100+257.50 грн
500+245.76 грн
1000+233.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210ANHRTRLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210ANHRTRLRohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+311.85 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210ANHRTRLROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V, 10A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive (3-pin package)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+358.40 грн
10+235.79 грн
100+165.68 грн
500+147.04 грн
1000+120.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210ANHRTRLRohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+319.23 грн
50+288.94 грн
250+253.75 грн
500+229.51 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210ANHRTRLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.16 грн
10+222.04 грн
100+169.49 грн
500+143.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210ANHRTRLROHMDescription: ROHM - SCS210ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 11 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 11nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.60 грн
10+219.07 грн
100+157.05 грн
500+128.63 грн
1000+110.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210ANTRLRohm SemiconductorDescription: 650V, 10A, SMD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+124.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210ANTRLROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes RECT 650V 10A SM SIC SKY
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+355.18 грн
10+232.61 грн
100+160.85 грн
500+142.90 грн
1000+120.81 грн
2000+117.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210ANTRLRohm SemiconductorDescription: 650V, 10A, SMD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.61 грн
10+216.81 грн
100+154.60 грн
500+137.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2CROHM SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers DIODE: 10A 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2CRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2CRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2GC11Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+714.66 грн
28+520.93 грн
50+461.87 грн
100+418.04 грн
200+364.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2GC11ROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 5A RDL SIC SKY
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+794.12 грн
10+475.54 грн
100+351.38 грн
450+345.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2GC11Rohm SemiconductorDescription: DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247N
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247N
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+725.38 грн
30+466.60 грн
120+406.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2GC11Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+691.56 грн
25+661.85 грн
50+636.64 грн
100+593.07 грн
250+532.48 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2HRRohm SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+484.78 грн
32+454.54 грн
50+447.93 грн
100+418.26 грн
200+379.69 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2HRCROHM SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A/10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2HRCRohm SemiconductorDescription: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247
Qualification: AEC-Q101
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Grade: Automotive
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 20
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2HRC11Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+755.13 грн
25+720.27 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2HRC11ROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes AECQ
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+766.74 грн
10+450.93 грн
100+384.52 грн
450+367.26 грн
900+361.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KE2HRC11Rohm SemiconductorDescription: DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+742.46 грн
30+415.34 грн
120+363.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGCROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes DIODE: 10A 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGCRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGC17Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+886.41 грн
50+482.90 грн
100+451.71 грн
200+425.55 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGC17ROHMDescription: ROHM - SCS210KGC17 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 34 nC, TO-220ACG
Kapazitive Gesamtladung: 34
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220ACG
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGC17
Код товару: 203353
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGC17ROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 10A RDL SIC SKY
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+650.76 грн
10+354.08 грн
100+283.73 грн
1000+262.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGC17Rohm SemiconductorDescription: DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFP
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+630.63 грн
50+334.93 грн
100+308.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGC17Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+870.53 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGC17Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGHRCROHM SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGHRCRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Qualification: AEC-Q101
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGHRCRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky 1.2KV 10A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KGHRCROHMDescription: ROHM - SCS210KGHRC - SiC-Schottky-Diode, SCS21, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 34 nC, TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 34
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220AC
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: SCS21
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KNHRTRLRohm SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+542.69 грн
50+506.58 грн
100+471.38 грн
250+348.84 грн
500+304.73 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KNHRTRLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KNHRTRLROHMDescription: ROHM - SCS210KNHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 18 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+612.10 грн
5+522.70 грн
10+432.50 грн
50+368.70 грн
100+309.27 грн
250+303.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KNHRTRLROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes 1200V, 10A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive (3-pin package)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+550.89 грн
10+382.66 грн
100+277.52 грн
500+256.12 грн
1000+217.46 грн
2000+215.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KNHRTRLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+591.02 грн
10+386.95 грн
100+348.25 грн
500+301.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KNHRTRLRohm SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+908.38 грн
24+608.34 грн
50+530.38 грн
100+426.01 грн
200+377.58 грн
500+302.74 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KNTRLROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 10A SM SIC SKY
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+533.98 грн
10+371.54 грн
100+269.23 грн
500+249.21 грн
1000+211.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGCRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGCROHM SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220AC; 93W; tube
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.55V
Load current: 12A
Max. forward impulse current: 170A
Max. load current: 52A
Power dissipation: 93W
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGCROHM SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers DIODE: 12A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGCRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGCRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGC17Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+341.73 грн
50+330.81 грн
100+302.91 грн
250+284.87 грн
500+226.86 грн
1000+214.72 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGC17ROHMDescription: ROHM - SCS212AGC17 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220ACG
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220ACG
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+452.63 грн
10+248.87 грн
100+228.73 грн
500+195.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGC17ROHM SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SILICON CARBIDE
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.30 грн
10+359.63 грн
100+251.97 грн
250+238.17 грн
500+229.19 грн
1000+191.91 грн
3000+180.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGC17Rohm SemiconductorDescription: DIODE SIC 650V 12A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.89 грн
50+230.73 грн
100+211.27 грн
500+166.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGC17Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+375.64 грн
45+315.39 грн
50+289.41 грн
100+246.04 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGC17Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+330.75 грн
54+267.44 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGHRCROHM SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 650V 12ASiC SBD AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGHRCRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+490.06 грн
10+404.07 грн
100+336.68 грн
500+278.78 грн
1000+250.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AGHRCRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+489.17 грн
31+468.15 грн
50+450.31 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJHRTLLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+587.13 грн
10+484.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJHRTLLRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+464.47 грн
32+444.51 грн
50+427.57 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJHRTLLROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 12A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+697.47 грн
10+457.28 грн
100+345.86 грн
500+309.96 грн
1000+292.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJHRTLLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJHRTLLROHMDescription: ROHM - SCS212AJHRTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263AB
Kapazitive Gesamtladung: 18
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263AB
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+430.89 грн
10+389.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJHRTLLRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJTLLRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky 650V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+249.24 грн
66+216.17 грн
100+205.54 грн
200+197.06 грн
500+168.75 грн
1000+153.90 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJTLLROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes SiC, SBD 650V 12A DPAK
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.88 грн
10+246.11 грн
500+209.17 грн
1000+181.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJTLLRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky 650V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+184.28 грн
88+161.60 грн
100+156.87 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJTLLROHMDescription: ROHM - SCS212AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+462.30 грн
10+310.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJTLLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.55 грн
10+242.23 грн
100+232.59 грн
500+183.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJTLLRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky 650V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+302.83 грн
50+300.06 грн
100+287.55 грн
250+262.95 грн
500+223.06 грн
1000+222.26 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJTLLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-263AB
Current - Average Rectified (Io): 12A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AMCRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Not For New Designs
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220FM
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+514.13 грн
10+334.90 грн
100+243.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AMCROHM SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 12A TO-220FM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AMCRohm SemiconductorRectifier Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212ANHRTRLRohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+282.15 грн
53+271.39 грн
100+262.19 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212ANHRTRLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263L
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-263L
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 440pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+418.61 грн
10+264.45 грн
25+228.31 грн
100+175.83 грн
250+156.98 грн
500+145.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212ANHRTRLROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes RECT 650V 12A SM SIC SKY
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+413.17 грн
10+272.30 грн
100+169.82 грн
500+152.57 грн
1000+144.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212ANHRTRLRohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+229.64 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212ANHRTRLROHMDescription: ROHM - SCS212ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 17 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+168.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212ANHRTRLRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-263L
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 440pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+155.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212ANHRTRLROHMDescription: ROHM - SCS212ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 17 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+351.15 грн
10+235.18 грн
100+168.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212ANTRLROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes RECT 650V 12A SM SIC SKY
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+404.31 грн
10+265.95 грн
100+165.68 грн
500+147.73 грн
1000+138.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS215AECRohmSchottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 15A TO-247 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS215AECROHM SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO247-3; 110W; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.55V
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: tube
Max. load current: 65A
Power dissipation: 110W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS215AECROHM SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 15A TO-247
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS215AECRohm SemiconductorDiode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS215AECRohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS215AEGC11ROHMDescription: ROHM - SCS215AEGC11 - SiC-Schottky-Diode, SCS21, Einfach, 650 V, 15 A, 23 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Durchsteckmontage
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+358.40 грн
5+320.55 грн
10+281.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS215AEGC11ROHM SemiconductorSiC Schottky Diodes RECT 650V 15A RDL SIC SKY
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+641.10 грн
10+373.13 грн
100+270.61 грн
450+260.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS215AEGC11Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+457.38 грн
50+452.66 грн
100+385.56 грн
200+349.01 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS215AEGC11Rohm SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+640.72 грн
30+356.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS215AEGC11Rohm SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24  Наступна Сторінка >> ]