Продукція > SI2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI2305BHE3-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI2305BHE3-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305BHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305BHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305BHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.98 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
16+19.32 грн
100+12.25 грн
500+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305BHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.98 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305BS-T1-E3
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 8V 4.41A
на замовлення 24677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-BE3Vishay SiliconixP-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET SOT-23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2305CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.035 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.33 грн
12+25.29 грн
50+18.39 грн
100+15.14 грн
500+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -4.7A; Idm: -20A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -4.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2305CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.035 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 101861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V
на замовлення 221000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.62 грн
9000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 101861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.24 грн
6000+11.20 грн
9000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3VishayTransistor P-MOSFET; 8V; 8V; 65mOhm; 5,8A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2305CDST1GE3; SI2305CDS-T1-GE3; SI2305DS; SI2305-TP; SI2305CDS-T1-BE3; KSI2305CDS-T1-GE3; SI2305CDS Vishay TSI2305cds
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.84 грн
16+26.42 грн
100+15.52 грн
500+10.99 грн
1000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3VishayP-MOSFET 3.5A 8V 1.25W 0.052Ω SI2305DS TSI2305ds
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -8V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 35969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
504+28.12 грн
710+19.93 грн
1000+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 504 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 Транзистори
на замовлення 6195 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
94+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V
на замовлення 221587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.33 грн
12+25.29 грн
50+18.39 грн
100+15.14 грн
500+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3KUUMosfet P-ch 8V 5.8A SOT23-3 / Trans Mosfet P-ch 8V 4.4A 3-PIN SOT-23 T/r KSI2305CDS-T1-GE3 SOT23 KUU TSI2305cds KUU
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si2305CDS-T1-GE3-MLMOSLEADERDescription: P -8V 5.8A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.63 грн
1000+2.47 грн
3000+2.30 грн
6000+2.12 грн
15000+2.05 грн
30000+1.97 грн
75000+1.82 грн
150000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 1.8V
Power Dissipation (Max): 1.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CHE3-TPMicro Computer ControlSI2305CHE3-TP
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305DS-E3
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305DS-T1VISHAY06+
на замовлення 29481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305DS-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SI2305CDS-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305DS-T1 SOT23-A5VISHAY
на замовлення 9659 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305DS-T1 SOT23-A5VISHAY
на замовлення 3489 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305DS-T1-B3VISHAYSOT23
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305DS-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SI2305CDS-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305DS-T1-E3--VISHAY
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305DS-T1-E3-SVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2305CDS-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305DS-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305DS-T1-T23(A5*)
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305DS-T1SOT23-A5VISHAY
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305DS-T3Vishay / SiliconixMOSFET 8V, P-CH 118mOhm 1.8V Rated Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305DS-TI-E3
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305DST1E3
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305DS\A5VISHAYSOT-23
на замовлення 940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306KEXIN09+
на замовлення 201018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306GOODWORKDescription: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A
Power Dissipation (Max): 0.75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 3V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5103+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 5103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.89 грн
6000+6.41 грн
9000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.09 грн
6000+6.40 грн
9000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306AUMWDescription: 30V 3.5A 1.25W 57MR@10V,3.5A 3V@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
35+8.76 грн
40+7.67 грн
100+6.14 грн
250+5.63 грн
500+5.32 грн
1000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306AUMWDescription: 30V 3.5A 1.25W 57MR@10V,3.5A 3V@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 N-CH 30V 3.16A
на замовлення 4622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 4.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.90 грн
11+39.16 грн
50+27.76 грн
100+23.99 грн
500+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+36.16 грн
500+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2306BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.047 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V
на замовлення 31806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+38.04 грн
100+24.68 грн
500+17.76 грн
1000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2306BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.047 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 4.0A 0.75W
на замовлення 39336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.28 грн
6000+13.52 грн
9000+12.92 грн
15000+11.49 грн
21000+11.11 грн
30000+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.81 грн
6000+13.10 грн
9000+12.51 грн
15000+11.12 грн
21000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.25 грн
17+45.91 грн
100+31.77 грн
500+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V
на замовлення 13565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
309+45.91 грн
446+31.77 грн
568+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V
на замовлення 23344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+36.98 грн
100+23.99 грн
500+17.24 грн
1000+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306DSVISHAY
на замовлення 129600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306DS
Код товару: 183135
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306DS-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2306BDS-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306DS-T1
Код товару: 39762
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306DS-T1VISHAYSOT-23
на замовлення 12550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306DS-T1-E3VISHAY
на замовлення 57200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306DS-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2306BDS-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306DS-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306DS-T3Vishay / SiliconixMOSFET 30V, N-CHANNEL, 94mohm 4.5V RATED TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306DST1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]