Продукція > VS-
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VS-FB180SA10P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-227 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 180A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-FB190SA10 | MOSFET N-CH 100V 190A SOT227 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| VS-FB190SA10 | VISHAY | Description: VISHAY - VS-FB190SA10 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 190 A, 100 V, 0.0054 ohm, 10 V, 3.3 V Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 190 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 568 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.3 SVHC: To Be Advised | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-FB190SA10 | Vishay Semiconductors | Discrete Semiconductor Modules 190 Amp 100 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-FB190SA10 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: MOSFET N-CH 100V 190A SOT227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 568W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.35V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-227 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-FC100SA65 | Vishay Semiconductors | MOSFET Modules Modules Mosfets - SOT-227 MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-FC150SA65 | Vishay Semiconductors | MOSFET Modules Modules Mosfets - SOT-227 MOSFET | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-FC220SA20 | Vishay Semiconductors | Discrete Semiconductor Modules Output & SW Modules - SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-FC220SA20 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 160 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-FC270SA20 | Vishay Semiconductors | MOSFET Modules 200V, 3.3mOhm, 270A SOT-227 Pwr Mod | на замовлення 406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-FC270SA20 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: MOSFET N-CH 200V 287A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 287A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 200A, 10V Power Dissipation (Max): 937W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-227 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 100 V | на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| VS-FC270SA20 | VISHAY | Description: VISHAY - VS-FC270SA20 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 287A, 200V, 0.0033 Ohm, 10V, 3.16V, SOT-227 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 287A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 937W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.16V euEccn: NLR Verlustleistung: 937W Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-FC420SA10 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 435A 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 160 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-FC420SA10 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 435A 4-Pin SOT-227 Tube | на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| VS-FC420SA10 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 435A 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 160 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-FC420SA10 | Vishay Semiconductors | MOSFET Modules 100V 435A Module SOT-227 | на замовлення 1156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-FC420SA10 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: MOSFET N-CH 100V 435A SOT227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 200A, 10V Power Dissipation (Max): 652W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 750µA Supplier Device Package: SOT-227 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17300 pF @ 25 V | на замовлення 5696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| VS-FC420SA10 | Vishay General Semiconduc | MOSFET N-CH 100V 435A SOT227 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-FC420SA10 | VISHAY | Description: VISHAY - VS-FC420SA10 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 435A, 100V, 0.0013 Ohm, 10V, 2.9V, SOT-227 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 435A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 652W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 652W SVHC: To Be Advised Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-FC420SA10 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 435A 4-Pin SOT-227 Tube | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| VS-FC420SA15 | Vishay Semiconductors | MOSFET Modules 150V, 1.93mOhm, 400A SOT-227 Pwr Mod | на замовлення 285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-FC420SA15 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: MOSFET N-CH 150V 400A SOT227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 200A, 10V Power Dissipation (Max): 909W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-227 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V | на замовлення 615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| VS-FC420SA15 | VISHAY | Description: VISHAY - VS-FC420SA15 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 400A, 150V, 0.00193 Ohm, 10V, 3.46V, SOT-227 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 909W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.46V Verlustleistung: 909W SVHC: To Be Advised Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal usEccn: EAR99 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00193ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1930µohm | на замовлення 492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-FC420SA15 | VISHAY | Category: Transistor modules Description: Module; single transistor; 150V; 300A; SOT227B; screw; Idm: 860A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 150V Drain current: 300A Electrical mounting: screw On-state resistance: 1.93mΩ Pulsed drain current: 860A Power dissipation: 909W Technology: ThunderFET Gate-source voltage: ±20V Mechanical mounting: screw Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Case: SOT227B | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-FC50SA65 | Vishay Semiconductors | MOSFET Modules Modules Mosfets - SOT-227 MOSFET | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-FC80NA20 | Vishay Semiconductors | Discrete Semiconductor Modules Output & SW Modules - SOT-227 IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-FC80NA20 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: MOSFET N-CH 200V 108A SOT227 Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: SOT-227 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 405W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-FCSP140LTR | на замовлення 160000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| VS-FR10-4 Код товару: 135410
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| VS-FR13WP Код товару: 109425
Додати до обраних
Обраний товар
| Visaton | Корпусні та встановлювальні вироби > Динаміки, мікрофони, звуковипромінювачі Тип: Зумери Опис: П'єзовипромінювач 4 kHz, 80 dBA Габаритні розміри: Ø17; h=9 мм | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-FR16WP (динамік) Код товару: 46078
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| VS-FR8WP-4B | VISATON GmbH & Co. KG | Аудіоперетворювачі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-FR8WP-8B | VISATON GmbH & Co. KG | Аудіоперетворювачі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-FR9.15 Код товару: 94028
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| VS-FRS-5-X Код товару: 125536
Додати до обраних
Обраний товар
| Корпусні та встановлювальні вироби > Динаміки, мікрофони, звуковипромінювачі | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| VS-FRS-5-XWP Код товару: 131669
Додати до обраних
Обраний товар
| Корпусні та встановлювальні вироби > Динаміки, мікрофони, звуковипромінювачі | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| VS-FSBPXS-OE-94F/1,0 | PHOENIX CONTACT | Description: PHOENIX CONTACT - VS-FSBPXS-OE-94F/1,0 - Sensorkabel, 8P, Cat5, M12-Buchse, Abisoliertes Aderende, 8 Positionen, 1 m, 3.28 ft, SPEEDCON Kabellänge - Imperial: 3.28 Anzahl der Positionen: 8 Positionen Steckverbinder Typ B: Abisoliertes Aderende Kabellänge - Metrisch: 1 Steckverbinder Typ A: M12-Buchse Produktpalette: SPEEDCON SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-FSBPXS-OE-94F/10,0 | PHOENIX CONTACT | Description: PHOENIX CONTACT - VS-FSBPXS-OE-94F/10,0 - Sensorkabel, 4 Positionen, 10 m, 32.8 ft Kabellänge - Imperial: 32.8 Anzahl der Positionen: 4 Positionen Steckverbinder Typ B: - Kabellänge - Metrisch: 10 Steckverbinder Typ A: - Produktpalette: - SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GA100NA60UP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 600V 100A 250W SOT227 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 30 V Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Power - Max: 250 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-227 NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GA100TS120UPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GA100TS60SF | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 600V 220A INT-A-PAK Packaging: Bulk Package / Case: INT-A-PAK Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.28V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT Type: PT Current - Collector (Ic) (Max): 220 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 780 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16.25 nF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GA100TS60SFPBF | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 600V 220A INT-A-PAK Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16.25 nF @ 30 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 780 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 220 A IGBT Type: PT Supplier Device Package: INT-A-PAK NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.28V @ 15V, 100A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: INT-A-PAK Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GA200HS60S1 | Vishay Semiconductors | Rectifiers Output & SW Modules - IAP IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GA200HS60S1 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MODULE 600V 480A INT-A-PAK Packaging: Bulk Package / Case: INT-A-PAK Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: INT-A-PAK Current - Collector (Ic) (Max): 480 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 830 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 32.5 nF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GA200HS60S1PBF | VS-GA200HS60S1PBF GA200HS60S1PBF Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| VS-GA200HS60S1PBF | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MODULE 600V 480A INT-A-PAK Packaging: Bulk Package / Case: INT-A-PAK Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: INT-A-PAK Current - Collector (Ic) (Max): 480 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 830 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 32.5 nF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GA200HS60S1PBF | Vishay Semiconductors | IGBT Modules 200 Volt 200 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GA200SA60SP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MODULE 600V 781W SOT-227 Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16.25 nF @ 30 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 781 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-227 NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 100A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 180 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GA200SA60SP | Vishay Semiconductors | IGBT Transistors RECOMMENDED ALT 78-VS-GA250SA60S | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GA200SA60SP | IGBT Module Single 600 V 781 W Chassis Mount SOT-227 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| VS-GA200SA60SP | VISHAY | на замовлення 360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| VS-GA200SA60UP | VISHAY | Description: VISHAY - VS-GA200SA60UP - IGBT-Modul, Einfach, 200 A, 1.92 V, 500 W, 150 °C, SOT-227 IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.92 Verlustleistung Pd: 500 Bauform - Transistor: SOT-227 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - IGBT-Konfiguration: Einfach Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: To Be Advised | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GA200SA60UP | VS-GA200SA60UP GA200SA60UP IGBT SOT227 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| VS-GA200SA60UP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 600V 200A 500W SOT227 Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16.5 nF @ 30 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 500 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Supplier Device Package: SOT-227 NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GA200SA60UP | Vishay Semiconductors | IGBT Transistors N-Ch 600 Volt 100A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GA200SA60UP | VS-GA200SA60UP GA200SA60UP IGBT SOT227 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| VS-GA200TH60S | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 600V 260A INT-A-PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GA200TH60S | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GA200TS60UPBF | VS-GA200TS60UPBF GA200TS60UPBF IGBT Module Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| VS-GA250SA60S | Vishay Semiconductors | IGBTs 600 Volt 250 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GA250SA60S | Vishay | IGBT MOD 600V 400A 961W SOT-227 Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GA250SA60S | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 600V 400A 961W SOT227 Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16.25 nF @ 30 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 961 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 400 A Supplier Device Package: SOT-227 NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.66V @ 15V, 200A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GA300TD60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: IGBT 600V 530A 1136W INT-A-PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GA300TD60S | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GA400TD60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: IGBT 600V 750A 1563W INT-A-PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GA400TD60S | Vishay Semiconductors | IGBT Transistors 600 Volt 400 Amp | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GA75TS120UPBF | Vishay Semiconductors | IGBT Modules 110 Amp 1200 Volt Half-Bridge | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB05XP120KTPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: IGBT MODULE 1200V 0 76W MTP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 105 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB100DA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: MODULE IGBT SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 180 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB100LH120N | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB100LH120N | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB100LP120N | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB100LP120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB100NH120N | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB100NH120N | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.58 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 833 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Supplier Device Package: Double INT-A-PAK NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 100A Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 4) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB100TH120N | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB100TH120N | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB100TH120U | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.45 nF @ 20 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 1136 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 A IGBT Type: NPT Supplier Device Package: Double INT-A-PAK NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 100A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 4) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB100TH120U | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB100TP120N | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB100TP120N | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB100TP120U | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 1200V 150A INT-A-PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB100TS60NPBF | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 600V 108A INT-A-PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB100TS60NPBF | Vishay Semiconductors | IGBT Modules 108 Amp 600 Volt Half-Bridge | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB100YG120NT | Vishay Semiconductors | IGBT Modules SW Mod - ECONO IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB150LH120N | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB150LH120N | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 1200V 300A INT-A-PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB150TH120N | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 1200V 300A INT-A-PAK Current - Collector (Ic) (Max): 300 A Supplier Device Package: Double INT-A-PAK NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 150A Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 4) Packaging: Bulk Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 1008 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB150TH120N | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB150TH120U | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB150TH120U | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 1200V 280A INT-A-PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB150TS60NPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: IGBT 600V 138A 500W INT-A-PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB150TS60NPBF | Vishay Semiconductors | IGBT Modules 138 Amp 600 Volt Half-Bridge | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB150YG120NT | Vishay Semiconductors | IGBT Modules SW Mod - ECONO IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB15XP120KTPBF | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MODULE 1200V 30A 187W MTP Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.95 nF @ 30 V Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Power - Max: 187 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 30 A IGBT Type: NPT Supplier Device Package: MTP NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.66V @ 15V, 30A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: 12-MTP Module Configuration: Three Phase Inverter Input: Standard Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB200LH120N | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB200LH120N | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 1200V 370A INT-A-PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB200NH120N | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 1200V 420A INT-A-PAK Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 1562 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 420 A Supplier Device Package: Double INT-A-PAK NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 200A (Typ) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 4) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB200NH120N | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| VS-GB200TH120N | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

