Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 17 34 51 68 85 102 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 136 153 170 176  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
VS-FB180SA10PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 180A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FB190SA10MOSFET N-CH 100V 190A SOT227 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FB190SA10VISHAYDescription: VISHAY - VS-FB190SA10 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 190 A, 100 V, 0.0054 ohm, 10 V, 3.3 V
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 190
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 568
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.3
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FB190SA10Vishay SemiconductorsDiscrete Semiconductor Modules 190 Amp 100 Volt
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FB190SA10Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.35V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC100SA65Vishay SemiconductorsMOSFET Modules Modules Mosfets - SOT-227 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC150SA65Vishay SemiconductorsMOSFET Modules Modules Mosfets - SOT-227 MOSFET
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC220SA20Vishay SemiconductorsDiscrete Semiconductor Modules Output & SW Modules - SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC220SA20Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC270SA20Vishay SemiconductorsMOSFET Modules 200V, 3.3mOhm, 270A SOT-227 Pwr Mod
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC270SA20Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MOSFET N-CH 200V 287A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 287A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 937W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 100 V
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2079.62 грн
10+1463.79 грн
100+1182.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC270SA20VISHAYDescription: VISHAY - VS-FC270SA20 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 287A, 200V, 0.0033 Ohm, 10V, 3.16V, SOT-227
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 287A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 937W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.16V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 937W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC420SA10VishayTrans MOSFET N-CH 100V 435A 4-Pin SOT-227 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC420SA10VishayTrans MOSFET N-CH 100V 435A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+1857.81 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC420SA10VishayTrans MOSFET N-CH 100V 435A 4-Pin SOT-227 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC420SA10Vishay SemiconductorsMOSFET Modules 100V 435A Module SOT-227
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC420SA10Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MOSFET N-CH 100V 435A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 750µA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17300 pF @ 25 V
на замовлення 5696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2053.21 грн
10+1436.97 грн
50+1206.68 грн
100+1063.06 грн
500+1038.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC420SA10Vishay General SemiconducMOSFET N-CH 100V 435A SOT227 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC420SA10VISHAYDescription: VISHAY - VS-FC420SA10 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 435A, 100V, 0.0013 Ohm, 10V, 2.9V, SOT-227
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 652W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 652W
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC420SA10VishayTrans MOSFET N-CH 100V 435A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+1857.36 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC420SA15Vishay SemiconductorsMOSFET Modules 150V, 1.93mOhm, 400A SOT-227 Pwr Mod
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC420SA15Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MOSFET N-CH 150V 400A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 909W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1981.16 грн
10+1390.33 грн
50+1170.00 грн
100+1044.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC420SA15VISHAYDescription: VISHAY - VS-FC420SA15 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 400A, 150V, 0.00193 Ohm, 10V, 3.46V, SOT-227
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 909W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.46V
Verlustleistung: 909W
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00193ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1930µohm
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC420SA15VISHAYCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 150V; 300A; SOT227B; screw; Idm: 860A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 300A
Electrical mounting: screw
On-state resistance: 1.93mΩ
Pulsed drain current: 860A
Power dissipation: 909W
Technology: ThunderFET
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: SOT227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC50SA65Vishay SemiconductorsMOSFET Modules Modules Mosfets - SOT-227 MOSFET
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC80NA20Vishay SemiconductorsDiscrete Semiconductor Modules Output & SW Modules - SOT-227 IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC80NA20Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MOSFET N-CH 200V 108A SOT227
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FCSP140LTR
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FR10-4
Код товару: 135410
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FR13WP
Код товару: 109425
Додати до обраних Обраний товар
VisatonКорпусні та встановлювальні вироби > Динаміки, мікрофони, звуковипромінювачі
Тип: Зумери
Опис: П'єзовипромінювач 4 kHz, 80 dBA
Габаритні розміри: Ø17; h=9 мм
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FR16WP (динамік)
Код товару: 46078
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FR8WP-4BVISATON GmbH & Co. KGАудіоперетворювачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FR8WP-8BVISATON GmbH & Co. KGАудіоперетворювачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FR9.15
Код товару: 94028
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FRS-5-X
Код товару: 125536
Додати до обраних Обраний товар
Корпусні та встановлювальні вироби > Динаміки, мікрофони, звуковипромінювачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FRS-5-XWP
Код товару: 131669
Додати до обраних Обраний товар
Корпусні та встановлювальні вироби > Динаміки, мікрофони, звуковипромінювачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FSBPXS-OE-94F/1,0PHOENIX CONTACTDescription: PHOENIX CONTACT - VS-FSBPXS-OE-94F/1,0 - Sensorkabel, 8P, Cat5, M12-Buchse, Abisoliertes Aderende, 8 Positionen, 1 m, 3.28 ft, SPEEDCON
Kabellänge - Imperial: 3.28
Anzahl der Positionen: 8 Positionen
Steckverbinder Typ B: Abisoliertes Aderende
Kabellänge - Metrisch: 1
Steckverbinder Typ A: M12-Buchse
Produktpalette: SPEEDCON
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FSBPXS-OE-94F/10,0PHOENIX CONTACTDescription: PHOENIX CONTACT - VS-FSBPXS-OE-94F/10,0 - Sensorkabel, 4 Positionen, 10 m, 32.8 ft
Kabellänge - Imperial: 32.8
Anzahl der Positionen: 4 Positionen
Steckverbinder Typ B: -
Kabellänge - Metrisch: 10
Steckverbinder Typ A: -
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA100NA60UPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 100A 250W SOT227
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 250 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA100TS120UPBFVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA100TS60SFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 220A INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: INT-A-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.28V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK
IGBT Type: PT
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 780 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16.25 nF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA100TS60SFPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 220A INT-A-PAK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16.25 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 780 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.28V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: INT-A-PAK
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA200HS60S1Vishay SemiconductorsRectifiers Output & SW Modules - IAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA200HS60S1Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 600V 480A INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: INT-A-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 32.5 nF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA200HS60S1PBFVS-GA200HS60S1PBF GA200HS60S1PBF Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA200HS60S1PBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 600V 480A INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: INT-A-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 32.5 nF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA200HS60S1PBFVishay SemiconductorsIGBT Modules 200 Volt 200 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA200SA60SPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 600V 781W SOT-227
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16.25 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 781 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA200SA60SPVishay SemiconductorsIGBT Transistors RECOMMENDED ALT 78-VS-GA250SA60S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA200SA60SPIGBT Module Single 600 V 781 W Chassis Mount SOT-227 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA200SA60SPVISHAY
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA200SA60UPVISHAYDescription: VISHAY - VS-GA200SA60UP - IGBT-Modul, Einfach, 200 A, 1.92 V, 500 W, 150 °C, SOT-227
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.92
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SOT-227
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Einfach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA200SA60UPVS-GA200SA60UP GA200SA60UP IGBT SOT227 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA200SA60UPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 200A 500W SOT227
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16.5 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 500 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA200SA60UPVishay SemiconductorsIGBT Transistors N-Ch 600 Volt 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA200SA60UPVS-GA200SA60UP GA200SA60UP IGBT SOT227 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA200TH60SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 260A INT-A-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA200TH60SVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA200TS60UPBFVS-GA200TS60UPBF GA200TS60UPBF IGBT Module Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA250SA60SVishay SemiconductorsIGBTs 600 Volt 250 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA250SA60SVishayIGBT MOD 600V 400A 961W SOT-227 Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA250SA60SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 400A 961W SOT227
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16.25 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 961 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.66V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA300TD60SVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT 600V 530A 1136W INT-A-PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA300TD60SVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA400TD60SVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT 600V 750A 1563W INT-A-PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA400TD60SVishay SemiconductorsIGBT Transistors 600 Volt 400 Amp
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GA75TS120UPBFVishay SemiconductorsIGBT Modules 110 Amp 1200 Volt Half-Bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB05XP120KTPBFVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 0 76W MTP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB100DA60UPVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: MODULE IGBT SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB100LH120NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB100LH120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB100LP120NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB100LP120NVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB100NH120NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB100NH120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.58 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 833 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 100A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 4)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB100TH120NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB100TH120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB100TH120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.45 nF @ 20 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 1136 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 4)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB100TH120UVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB100TP120NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB100TP120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB100TP120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 150A INT-A-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB100TS60NPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 108A INT-A-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB100TS60NPBFVishay SemiconductorsIGBT Modules 108 Amp 600 Volt Half-Bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB100YG120NTVishay SemiconductorsIGBT Modules SW Mod - ECONO IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB150LH120NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB150LH120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 300A INT-A-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB150TH120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 300A INT-A-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 150A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 4)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 1008 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB150TH120NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB150TH120UVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB150TH120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 280A INT-A-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB150TS60NPBFVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT 600V 138A 500W INT-A-PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB150TS60NPBFVishay SemiconductorsIGBT Modules 138 Amp 600 Volt Half-Bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB150YG120NTVishay SemiconductorsIGBT Modules SW Mod - ECONO IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB15XP120KTPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 30A 187W MTP
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.95 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 187 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: MTP
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.66V @ 15V, 30A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: 12-MTP Module
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB200LH120NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB200LH120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 370A INT-A-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB200NH120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 420A INT-A-PAK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 1562 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 420 A
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 200A (Typ)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 4)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB200NH120NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GB200TH120NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 17 34 51 68 85 102 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 136 153 170 176  Наступна Сторінка >> ]