Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC | на замовлення 2785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5015TRPBF | International Rectifier | MOSFET 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC, PQFN-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5015TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 3.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm | на замовлення 4519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5015TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V | на замовлення 7892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5015TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 10A Power dissipation: 250W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5015TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 3.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm | на замовлення 4519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5020TR Код товару: 99487
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PQFN5*6 Uds,V: 200 V Idd,A: 43 A Rds(on), Ohm: 55 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2290/36 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFH5020TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5020TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5020TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 3.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5020TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.1A; 3.6W; PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Case: PQFN5X6 Kind of package: reel Polarisation: unipolar Power dissipation: 3.6W Drain current: 5.1A Drain-source voltage: 200V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 100 V | на замовлення 3671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5020TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5020TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 3.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 55mOhms 11nC | на замовлення 2506 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5025 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5025TR2 Код товару: 99488
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PQFN5*6 Uds,V: 250 V Idd,A: 25 A Rds(on), Ohm: 100 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2150/37 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFH5025TR2PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 250V 31A 104mOhm 36nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5025TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5025TR2PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5025TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5025TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V | на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5025TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 3788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5025TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5025TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.084 ohm, PQFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.6 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 11421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5025TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5025TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 3788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5025TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 250V 1 N-CH HEXFET 5MM X 6MM PQFN | на замовлення 3987 шт: термін постачання 189-198 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5025TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5025TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.084 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 3.6 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 11421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5025TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3.8A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 3.8A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5053TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5053TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5053TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5053TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.0144 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5053TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5053TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 24nC | на замовлення 2133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5053TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5053TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5053TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.0144 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5053TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.3A; 3.1W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.3A Power dissipation: 3.1W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5053TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5053TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5053TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V | на замовлення 6455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5053TRPBFXUMA1 | Infineon Technologies | IRFH5053TRPBFXUMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5053TRPBFXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5104TR2 Код товару: 99489
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PQFN5*6 Uds,V: 40 V Idd,A: 24 A Rds(on), Ohm: 3,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3120/53 Монтаж: SMD | у наявності: 1 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRFH5104TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 114W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5104TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 114W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5104TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 53nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5104TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 114W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5106 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5106TR2 Код товару: 99490
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PQFN5*6 Uds,V: 60 V Idd,A: 21 A Rds(on), Ohm: 5,6 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3090/50 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFH5106TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5106TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5110 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5110PbF (транзистор) Код товару: 83582
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||||
| IRFH5110TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 37A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3152 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5110TR2PBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5110TR2PBF транзисторы Код товару: 103125
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFH5110TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3152 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5110TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6 Power dissipation: 3.6W Mounting: SMD Kind of package: reel Case: PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5110TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0124 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 114W SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5110TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 48nC | на замовлення 591 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5110TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5110TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0124 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 114W SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5110TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5204 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFH5204TR2 Код товару: 99491
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PQFN5*6 Uds,V: 40 V Idd,A: 22 A Rds(on), Ohm: 4,3 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2460/43 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFH5204TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 22A PQFN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5204TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 22A/100A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 105W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5206TR2 Код товару: 99492
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PQFN5*6 Uds,V: 60 V Idd,A: 89 A Rds(on), Ohm: 6,7 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2490/40 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFH5206TR2PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 60V 87A 7mOhm 40nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5206TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5206TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 60V SINGLE N-CH 6.7mOhms 40nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5206TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 16A/89A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5206TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 16A/89A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 89A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5207TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 43A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2474 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5207TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 13A/71A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 105W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2474 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5207TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 9.6mOhms 39nC | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5210TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 14.9mOhms 39nC | на замовлення 5639 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0149 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 104W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0149ohm | на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 11900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0149 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 104W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0149ohm | на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V | на замовлення 5303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|