Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFH5302DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 29A/100A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3635 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302DTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 29A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 29A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH5302DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.002 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Produktpalette: HEXFET
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 29A/100A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3635 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V DUAL N / P CH 2.5mOhms 26nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH5302DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.002 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 104
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TR2PBFInternational RectifierHEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0021 Ohm, PQFN5x6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.55 грн
10+50.83 грн
100+38.53 грн
500+34.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+50.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.00 грн
500+34.34 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+71.24 грн
553+64.12 грн
1000+59.14 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+50.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.87 грн
11+74.70 грн
100+51.00 грн
500+34.34 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+48.10 грн
355+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.49 грн
13+61.59 грн
25+60.97 грн
100+48.72 грн
250+44.66 грн
500+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+61.59 грн
233+60.97 грн
281+50.53 грн
284+48.23 грн
500+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5303TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/82A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5303TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/82A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5304TR2PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH5304TR2PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 79 A, 0.0038 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 79
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 46
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35
Verlustleistung: 46
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5304TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5304TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH5304TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 79 A, 0.0038 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 46
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.53 грн
500+37.97 грн
1000+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5304TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5304TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 14924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
771+45.98 грн
1000+42.42 грн
10000+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 771 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5304TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5304TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+73.43 грн
304+46.78 грн
500+40.07 грн
1000+36.63 грн
2000+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5304TRPBFInfineonMOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN Транзистори
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+108.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5304TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V
на замовлення 10924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
555+36.32 грн
Мінімальне замовлення: 555 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5304TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 16nC
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.20 грн
10+62.56 грн
100+42.46 грн
500+35.05 грн
1000+27.72 грн
2000+25.84 грн
4000+25.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5306TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5306TR2PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 44A 8.1mOhm mx 7.8nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5306TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/44A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5306TRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 7.8nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/40A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 14.4mOhms 23nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH5406TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0114 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 46
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0114
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.86 грн
10+141.75 грн
100+110.79 грн
500+84.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/40A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TR2
Код товару: 99496
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN5*6
Uds,V: 20 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,99 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10890/155
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+39.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TR2PBF
Код товару: 144113
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 45A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 45A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 3662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.88 грн
500+60.06 грн
1000+51.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+104.33 грн
500+93.90 грн
1000+86.60 грн
Мінімальне замовлення: 340 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+72.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+211.68 грн
105+135.14 грн
116+122.85 грн
200+89.30 грн
500+77.29 грн
1000+64.41 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 3662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.34 грн
10+106.72 грн
100+77.88 грн
500+60.06 грн
1000+51.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V SINGLE N-CH 1.2mOhms 155nC
на замовлення 17385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.89 грн
10+110.01 грн
100+67.87 грн
500+53.98 грн
1000+49.65 грн
2000+47.06 грн
4000+44.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+104.33 грн
500+93.90 грн
1000+86.60 грн
Мінімальне замовлення: 340 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V
на замовлення 3912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.90 грн
10+104.39 грн
100+71.15 грн
500+53.41 грн
1000+49.11 грн
2000+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+62.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF
Код товару: 150522
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+72.35 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TR2PBF
Код товару: 63217
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.63 грн
500+86.97 грн
1000+80.19 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.63 грн
500+86.97 грн
1000+80.19 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+75.55 грн
190+74.80 грн
213+66.75 грн
250+55.80 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+62.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.26 грн
10+73.30 грн
100+56.23 грн
500+46.66 грн
1000+43.35 грн
2000+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+92.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.97 грн
11+75.55 грн
25+74.80 грн
100+64.36 грн
250+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 164A; Idm: 1247A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 164A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1247A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH7004TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.40 грн
14+62.08 грн
100+59.23 грн
500+53.41 грн
1000+48.39 грн
5000+40.29 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.63 грн
500+86.97 грн
1000+80.19 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 100A 1.4mOhm HEXFET 156W 134nC
на замовлення 4129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.72 грн
10+48.10 грн
25+41.27 грн
100+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 13884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+56.35 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.63 грн
500+86.97 грн
1000+80.19 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+62.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBF
Код товару: 173649
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBFInfineon TechnologiesIRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1250 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+162.12 грн
10+98.57 грн
100+68.35 грн
500+48.26 грн
1000+43.22 грн
5000+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBFInfineon TechnologiesIRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBFInfineon TechnologiesIRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.94 грн
25+67.26 грн
100+52.74 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 25 V
на замовлення 8924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.18 грн
10+101.52 грн
100+69.07 грн
500+51.81 грн
1000+47.62 грн
2000+47.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1250 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.35 грн
500+48.26 грн
1000+43.22 грн
5000+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET N-CH 40V 100A PQFN
на замовлення 20425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.86 грн
10+102.79 грн
100+60.68 грн
500+51.60 грн
1000+47.41 грн
2000+46.09 грн
4000+43.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7085TRInternational RectifierN-MOSFET 60V 100A 3.2mΩ IRFH708TR International Rectifier TIRFH7085
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+75.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7085TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+125.21 грн
500+112.69 грн
1000+103.93 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7085TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.87 грн
500+68.69 грн
1000+60.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]