Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFH5250TR Код товару: 99494
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PQFN5*6 Напруга сток-витік Uds, В: 25 В Струм стоку Idd, А: 45 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,15 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 7174/110 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFH5250TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 25V 100A 1.15mOhm 52nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 45A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 1.15mOhms 52nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm | на замовлення 3623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V | на замовлення 5750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 45A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 45A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5255TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 13 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5255TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 2537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5255TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 15A/51A 8PQFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5255TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 7nC | на замовлення 3540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5255TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5255TRPBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 25V 15A/51A PQFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 13 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5300 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5300TR2 Код товару: 99495
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PQFN CC Напруга сток-витік Uds, В: 30 В Струм стоку Idd, А: 40 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,4 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 7200/120 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFH5300TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5300TR2PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 100A 1.4mOhm mx 50nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | International Rectifier | N-Channel 30V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V | на замовлення 7524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 35881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5300TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm | на замовлення 3768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V SINGLE N-CH 1.4mOhms 50nC | на замовлення 20043 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 35881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 18932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5300TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm | на замовлення 3768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5301 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5301TR2PBF Код товару: 60293
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFH5301TR2PBF | International Rectifier | HEXFET Power MOSFET, N-Channel, 30V, 29A, 2.5 mOhm,VQFN-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5301TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V | на замовлення 3806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 10106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 5998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 22998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm | на замовлення 11732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 1.85mOhms 37nC | на замовлення 6437 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 5998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm | на замовлення 11732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5302 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5302DTR2PBF | International Rectifier | HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0025 Ohm, VQFN-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5302DTR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3635 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5302DTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5302DTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5302DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.002 ohm, PQFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: n-Kanal Produktpalette: HEXFET SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5302DTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3635 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5302DTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5302DTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5302DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.002 ohm, PQFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 104 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5302DTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 20V DUAL N / P CH 2.5mOhms 26nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5302DTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3635 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5302TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5302TR2PBF | International Rectifier | HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0021 Ohm, PQFN5x6 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm | на замовлення 3450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 32A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm | на замовлення 3450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5303TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 23A/82A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 49A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5303TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 23A/82A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 49A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5304TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 47A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5304TR2PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5304TR2PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 79 A, 0.0038 ohm, PQFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 79 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 46 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35 Verlustleistung: 46 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5304TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5304TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5304TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 79 A, 0.0038 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 46 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5304TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 22A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5304TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 14924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5304TRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN Транзистори | на замовлення 4 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5304TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V | на замовлення 10924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5304TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5304TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 16nC | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5306TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5306TR2PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 44A 8.1mOhm mx 7.8nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |