Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V | на замовлення 4668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm | на замовлення 11732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 10106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 5998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 22998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH5302 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5302DTR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3635 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5302DTR2PBF | International Rectifier | HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0025 Ohm, VQFN-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5302DTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5302DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.002 ohm, PQFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 104 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5302DTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 20V DUAL N / P CH 2.5mOhms 26nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5302DTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3635 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5302DTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5302DTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5302DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.002 ohm, PQFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: n-Kanal Produktpalette: HEXFET SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5302DTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3635 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5302DTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5302TR2PBF | International Rectifier | HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0021 Ohm, PQFN5x6 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5302TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm | на замовлення 3450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm | на замовлення 3450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH5303TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 23A/82A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 49A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5303TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 23A/82A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 49A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5304TR2PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5304TR2PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 79 A, 0.0038 ohm, PQFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 79 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 46 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35 Verlustleistung: 46 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5304TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 47A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5304TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH5304TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5304TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 16nC | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5304TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5304TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 79 A, 0.0038 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 46 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5304TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 14924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH5304TRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN Транзистори | на замовлення 4 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH5304TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V | на замовлення 10924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH5306TR2PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 44A 8.1mOhm mx 7.8nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5306TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5306TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/44A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5306TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 7.8nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5406 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5406TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 40A 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 24A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5406TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5406TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5406TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0114 ohm, PQFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 40 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 2 - 1 Jahr Verlustleistung Pd: 46 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0114 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5406TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 11A/40A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5406TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5406TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5406TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 14.4mOhms 23nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5406TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 11A/40A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH6200 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH6200TR2 Код товару: 99496
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PQFN5*6 Напруга сток-витік Uds, В: 20 В Струм стоку Idd, А: 49 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,99 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 10890/155 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRFH6200TR2PBF Код товару: 144113
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFH6200TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH6200TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH6200TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH6200TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH6200TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH6200TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH6200TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 156W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm | на замовлення 3660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH6200TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH6200TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH6200TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V | на замовлення 3912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH6200TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 156W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm | на замовлення 3660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH6200TRPBF Код товару: 150522
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFH6200TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH6200TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH6200TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 20V SINGLE N-CH 1.2mOhms 155nC | на замовлення 17385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7004 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7004TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7004TR2PBF Код товару: 63217
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 7730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 13884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 100A 1.4mOhm HEXFET 156W 134nC | на замовлення 4129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7004TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7004TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 6127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7084 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7084TRPBF | Infineon Technologies | IRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7084TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 25 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7084TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1250 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 8534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7084TRPBF | Infineon Technologies | IRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7084TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N-CH 40V 100A PQFN | на замовлення 24220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7084TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7084TRPBF | Infineon Technologies | IRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|