Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFH7787TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 68A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7787TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 68A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7787TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7787TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 68 A, 0.0066 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 5963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7787TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 68A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7787TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 68A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 7979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7882TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 26A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3186 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7885TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 22A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2311 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7911TR Код товару: 99497
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PQFN5*6 Uds,V: 30 V Idd,A: 10/23 A Rds(on), Ohm: 8.6/3.0 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1060/4450/8.3/34 Монтаж: SMD | у наявності: 20 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRFH7911TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 18-PowerVQFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W, 3.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7911TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13A/28A 18-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7911TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 18-PowerVQFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W, 3.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7911TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13A/28A 18-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7911TRPBF | на замовлення 680 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFH7911TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 8.6mOhms 8.3nC | на замовлення 2196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7914TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7914TR2PBF Код товару: 56503
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFH7914TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7914TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0075 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7914TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7914TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC | на замовлення 2054 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7914TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7914TRPBF | International Rectifier | Description: IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL PO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk | на замовлення 3375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7914TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PQFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7914TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7914TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0075 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7914TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 5729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7921TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/34A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7921TR2PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7921TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/34A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7921TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/34A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7921TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 34A; 3.1W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 34A Power dissipation: 3.1W Case: PQFN8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7921TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7921TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/34A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7921TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 14180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7921TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 9.3nC | на замовлення 5362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7921TRPBF-IR | International Rectifier | Description: IRFH7921 - HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V | на замовлення 7666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7923 | IOR | 09+ | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7923TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 33A (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7923TRPBF | IR | 0822+ QFN-8 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7932PBF | Infineon / IR | MOSFET SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7932TR | International Rectifier | N-MOSFET 30V 24A 3.1W 3.3mΩ IRFH7932TR International Rectifier TIRFH7932 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 37 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7932TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 30V 24A 3.3mOhm 34nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7932TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7932TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.4W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7932TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7932TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/104A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7932TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7932TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.4W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7932TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/104A PQFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 15 V | на замовлення 4084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7932TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC | на замовлення 4484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7932TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7932TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/104A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7934TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7934TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 2120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7934TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7934TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7934TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 20nC | на замовлення 323 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7934TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 8662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7934TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7934TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7934TRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFH7934TRPBF - IRFH7934 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7934TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 3.1W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 24A Power dissipation: 3.1W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7934TRPBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V | на замовлення 2403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7934TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7936TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PQFN56 Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7936TR2PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 20A 4.8mOhm 17nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7936TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 4530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH7936TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.8mOhms 17nC | на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH7936TRPBF | International Rectifier | Description: IRFH7936 - N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V | на замовлення 4530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH8201 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 19027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 13 V | на замовлення 7947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 7930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 324A; 156W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 324A Power dissipation: 156W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 13 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N-CH 25V 100A PQFN | на замовлення 3046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH8201TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 156W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm | на замовлення 7930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH8202TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH8202TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET N-CH 25V 100A PQFN | на замовлення 3896 шт: термін постачання 189-198 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH8202TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8202TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 47 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 47 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.6 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 900 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH8202TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 47A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH8202TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH8202TRPBFTR | Infineon Technologies | Description: IRFH8202 - 12V-300V N-CHANNEL PO Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH8303 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736 pF @ 24 V | на замовлення 481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.7W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736 pF @ 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N-CH 30V 100A PQFN | на замовлення 1924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.7W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH8303TRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |