Продукція > BSC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC0500NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0500NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1Infineon TechnologiesBSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1Infineon TechnologiesBSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0500NSIATMA1Infineon TechnologiesBSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.06 грн
25+54.20 грн
100+51.42 грн
250+46.84 грн
500+44.23 грн
1000+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIInfineon TechnologiesBSC0501NSI
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+145.39 грн
103+138.89 грн
250+133.31 грн
500+123.91 грн
1000+110.99 грн
2500+103.40 грн
5000+100.62 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
566+62.66 грн
1000+57.79 грн
10000+51.53 грн
Мінімальне замовлення: 566 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+84.29 грн
185+76.73 грн
213+66.62 грн
228+60.05 грн
500+48.26 грн
1000+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V
на замовлення 11742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.60 грн
10+78.00 грн
100+55.12 грн
500+42.16 грн
1000+39.03 грн
2000+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 20376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIInfineon
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0502NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+65.87 грн
247+57.46 грн
253+56.04 грн
2000+53.85 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 9918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0502NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 23737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.91 грн
10+83.39 грн
100+56.13 грн
500+41.73 грн
1000+38.21 грн
2000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+54.02 грн
1000+49.81 грн
10000+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIInfineon
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/88A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 88 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.95 грн
203+69.84 грн
231+61.42 грн
500+51.12 грн
1000+45.22 грн
5000+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 88 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/88A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 9378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.93 грн
10+74.64 грн
100+49.99 грн
500+36.98 грн
1000+33.79 грн
2000+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
684+51.87 грн
1000+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 684 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIInfineon
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.25 грн
25+30.91 грн
27+28.67 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.88 грн
15000+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0504NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
631+22.49 грн
725+19.56 грн
743+19.09 грн
754+18.13 грн
1000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 631 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 7477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 30W
Drain current: 64A
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1
Код товару: 161029
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0504NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 33726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
10+48.24 грн
50+35.70 грн
100+29.70 грн
500+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSINF09+
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 79A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGinfineon08+
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+45.47 грн
50+33.50 грн
100+27.83 грн
500+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+31.18 грн
472+30.05 грн
580+24.48 грн
1000+21.32 грн
5000+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 5731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 79A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 79A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGXTInfineon TechnologiesDescription: BSC050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 80A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03MSGInfineon technologies
на замовлення 9925 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/80A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 72A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSINFINEON08+09+ SOP8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 6242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGInfineon technologies
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.12 грн
13+60.90 грн
50+44.82 грн
100+38.21 грн
500+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC050N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 14434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.91 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1428+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 1428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 71A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 71A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 20 V
на замовлення 3691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+40.53 грн
50+29.84 грн
100+24.75 грн
500+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+60.90 грн
317+44.83 грн
358+39.62 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N0LSGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5Infineon TechnologiesBSC050N10NS5
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+376.52 грн
40+360.34 грн
50+346.61 грн
100+322.88 грн
250+289.90 грн
500+270.73 грн
1000+264.11 грн
2500+258.28 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 136W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+84.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.23 грн
10+89.94 грн
25+88.65 грн
100+84.24 грн
250+76.85 грн
500+72.67 грн
1000+71.56 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.73 грн
10+154.82 грн
100+115.86 грн
500+103.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.75 грн
500+127.58 грн
1000+117.65 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 13236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
на замовлення 6845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.80 грн
10+132.37 грн
50+101.35 грн
100+85.72 грн
500+69.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.