Продукція > BSC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 24 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC0503NSIInfineon
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 88 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.22 грн
500+30.19 грн
1000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.72 грн
203+69.68 грн
231+61.29 грн
500+51.01 грн
1000+45.12 грн
5000+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/88A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 9378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.06 грн
10+75.33 грн
100+50.45 грн
500+37.33 грн
1000+34.10 грн
2000+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 88 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.61 грн
14+61.78 грн
100+44.22 грн
500+30.19 грн
1000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
684+51.76 грн
1000+47.74 грн
Мінімальне замовлення: 684 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/88A TDSON
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIInfineon
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 30W
Drain current: 64A
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0504NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.31 грн
500+25.13 грн
1000+22.50 грн
5000+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.17 грн
25+30.84 грн
27+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1
Код товару: 161029
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
631+22.44 грн
725+19.52 грн
743+19.05 грн
754+18.09 грн
1000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 631 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0504NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.09 грн
100+27.31 грн
500+25.13 грн
1000+22.50 грн
5000+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 7477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSINF09+
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 79A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 6550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGinfineon08+
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 5731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.79 грн
50+54.30 грн
250+35.60 грн
1000+22.12 грн
3000+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 79A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+31.12 грн
472+29.98 грн
580+24.42 грн
1000+21.28 грн
5000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.18 грн
250+32.35 грн
1000+19.40 грн
3000+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
10+44.23 грн
100+28.86 грн
500+20.90 грн
1000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGXTInfineon TechnologiesDescription: BSC050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 79A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 80A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03MSGInfineon technologies
на замовлення 9925 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/80A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 72A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/80A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSINFINEON08+09+ SOP8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGInfineon technologies
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 72988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
990+35.73 грн
1074+32.94 грн
10000+29.37 грн
Мінімальне замовлення: 990 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC050N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 14577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.79 грн
15+54.70 грн
100+36.01 грн
500+23.85 грн
1000+18.25 грн
5000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 20 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.37 грн
10000+18.24 грн
15000+17.53 грн
25000+15.71 грн
35000+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+111.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 20 V
на замовлення 41863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.22 грн
10+51.70 грн
100+34.01 грн
500+24.76 грн
1000+22.45 грн
2000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 71A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 71A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N0LSGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5Infineon TechnologiesBSC050N10NS5
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+356.82 грн
42+341.49 грн
50+328.48 грн
100+306.00 грн
250+274.74 грн
500+256.57 грн
1000+250.30 грн
2500+244.77 грн
5000+239.90 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 15214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.58 грн
500+110.35 грн
1000+101.77 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.64 грн
25+50.29 грн
100+47.03 грн
250+43.48 грн
500+40.64 грн
1000+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.16 грн
250+70.39 грн
1000+61.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+145.21 грн
99+144.26 грн
100+142.38 грн
2000+130.02 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 136W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
на замовлення 4767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.68 грн
10+72.84 грн
100+60.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+212.15 грн
50+137.37 грн
250+95.10 грн
1000+65.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.58 грн
500+110.35 грн
1000+101.77 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSInfineonMOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 7716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+70.37 грн
250+67.54 грн
500+65.11 грн
1000+60.74 грн
2500+54.57 грн
5000+50.98 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC050NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 58 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.02 грн
23+36.74 грн
100+28.21 грн
500+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+21.29 грн
709+19.97 грн
711+19.91 грн
735+18.57 грн
1000+16.43 грн
3000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1
Код товару: 116189
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.15 грн
10000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 5267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1271+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 1271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
415+34.13 грн
416+34.04 грн
500+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 415 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC050NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 58 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.21 грн
500+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V
на замовлення 12416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+45.74 грн
100+29.87 грн
500+21.63 грн
1000+19.57 грн
2000+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.39 грн
39+19.37 грн
100+18.48 грн
250+16.95 грн
500+16.11 грн
1000+15.65 грн
3000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N03LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 8477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+53.67 грн
100+35.32 грн
500+25.74 грн
1000+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC052N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 4300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.96 грн
500+22.19 грн
1000+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC052N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 4300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.93 грн
22+37.23 грн
100+27.96 грн
500+22.19 грн
1000+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N03SINF09+
на замовлення 3823 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N03S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N03SGINF07+;
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5InfineonMOSFET N-CH 80V 95A 8TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5Infineon
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+126.59 грн
124+114.58 грн
250+106.26 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 24 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]