Продукція > DMP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP21D0UFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.5 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
19+16.23 грн
100+10.25 грн
500+7.18 грн
1000+6.38 грн
2000+5.72 грн
5000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.5 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.88 грн
20000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFB-7BDiodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh FET Pd .43W -8Vgss -5.0A
на замовлення 14893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFB4Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFB4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D0UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 770 mA, 0.495 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 770mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1388+10.22 грн
2093+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 1388 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.54 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
на замовлення 49464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
17+18.47 грн
25+15.35 грн
50+12.55 грн
100+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.04 грн
20000+5.36 грн
30000+5.30 грн
50000+4.84 грн
100000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFB4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D0UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 770 mA, 0.495 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 770mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
925+10.19 грн
1000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 925 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.04 грн
20000+5.36 грн
30000+5.30 грн
50000+4.84 грн
100000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.54 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.72 грн
30000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch ENH Mode 495mOhm -4.5V -0.77A
на замовлення 243615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFB4-7RDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.5 pF @ 10 V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
17+18.40 грн
100+9.30 грн
500+7.74 грн
1000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFB4-7RDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-3 T&R 3K
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFB4-7RDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFB4-7RDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.5 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
на замовлення 2445000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.83 грн
6000+6.03 грн
9000+5.75 грн
15000+5.10 грн
21000+4.93 грн
30000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3 T&R 3K
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.82 грн
6000+8.73 грн
9000+7.95 грн
24000+7.17 грн
30000+6.56 грн
45000+6.29 грн
75000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.90 грн
6000+8.82 грн
9000+8.03 грн
24000+7.24 грн
30000+6.63 грн
45000+6.36 грн
75000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D0UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.14 A, 0.495 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 930mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
на замовлення 2445667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
19+16.23 грн
100+10.93 грн
500+7.94 грн
1000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2304000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D0UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.14 A, 0.495 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 930mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2439000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.01 грн
6000+7.32 грн
12000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 590MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.54 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 1056000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes INC.P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 590 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 80 @ 10, Qg, нКл = 1,54 @ 8 В, Rds = 495 мОм @ 400 мA, 4,5 В, Ugs(th) = 0,7 @ 250 мкА, Р, Вт = 0,24, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-523 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 1131000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 590 mA, 0.495 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 590mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.66 грн
6000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET PD 0.24W MIN RDSon
на замовлення 76716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 590MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.54 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
19+16.15 грн
100+10.16 грн
500+7.10 грн
1000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7DIODES/ZETEXTransistor P-MOSFET; 20V; 8V; 495mOhm; 590mA; 240mW; -55°C ~ 150°C; DMP21D0UT-7 TDMP21D0UT-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 590 mA, 0.495 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 590mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D1UFB4Q-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 9120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D1UT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 710mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D1UT-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D1UT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D1UT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 710mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D1UT-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D1UT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R 3K
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D1UTQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V SOT523 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D1UTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 710mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D1UTQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D1UTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 710mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.97 грн
6000+4.31 грн
15000+3.83 грн
30000+3.37 грн
75000+2.99 грн
150000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D1UTQ-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V SOT523 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D2UFA-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D2UFA-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D2UFA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.33A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 590000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D2UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49 pF @ 15 V
на замовлення 222538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
22+14.06 грн
100+8.82 грн
500+6.13 грн
1000+5.44 грн
2000+4.85 грн
5000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D2UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 20VDS 8VGS 49pF
на замовлення 12079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D2UFA-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D2UFA-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D2UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49 pF @ 15 V
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.22 грн
20000+3.71 грн
30000+3.53 грн
50000+3.13 грн
70000+3.01 грн
100000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D2UFA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.33A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.85 грн
20000+4.46 грн
50000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 54148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D5UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.67 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 570000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2146+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 2146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 970mOhm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
на замовлення 150505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
21+14.51 грн
100+9.09 грн
500+6.32 грн
1000+5.60 грн
2000+5.00 грн
5000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.85 грн
20000+4.46 грн
50000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D5UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.67 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 970mOhm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.36 грн
20000+3.84 грн
30000+3.65 грн
50000+3.23 грн
70000+3.11 грн
100000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFD-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET 1.0Ohm -20V -600mA
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 580MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 16490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 580MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
16+19.30 грн
100+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 6637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D6UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 1626000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3887+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 3887 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
на замовлення 1434727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
23+13.01 грн
100+8.16 грн
500+5.66 грн
1000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D6UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
на замовлення 1434000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.63 грн
6000+4.01 грн
9000+3.78 грн
15000+3.31 грн
21000+3.17 грн
30000+3.03 грн
75000+2.69 грн
150000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2200UDW-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 900 mA, 900 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 900mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 600mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 600mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 8046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2066+4.61 грн
3000+4.46 грн
6000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 2066 шт
В кошику  од. на суму  грн.