Продукція > DMP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 33 36 38  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP21D0UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFB4-7RDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-3 T&R 3K
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.43 грн
16+20.96 грн
100+11.39 грн
1000+5.94 грн
3000+5.32 грн
9000+4.63 грн
24000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFB4-7RDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.5 pF @ 10 V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
17+18.40 грн
100+9.30 грн
500+7.74 грн
1000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFB4-7RDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.5 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFB4-7RDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D0UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.14 A, 0.495 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 930mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.16 грн
28+28.91 грн
100+11.84 грн
500+9.05 грн
1000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.82 грн
6000+8.73 грн
9000+7.95 грн
24000+7.17 грн
30000+6.56 грн
45000+6.29 грн
75000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.90 грн
6000+8.82 грн
9000+8.03 грн
24000+7.24 грн
30000+6.63 грн
45000+6.36 грн
75000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
на замовлення 2445667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
19+16.23 грн
100+10.93 грн
500+7.94 грн
1000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D0UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.14 A, 0.495 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 930mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.84 грн
500+9.05 грн
1000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2304000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3 T&R 3K
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.92 грн
13+25.40 грн
100+9.87 грн
1000+7.73 грн
3000+6.56 грн
9000+5.94 грн
24000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
на замовлення 2445000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.83 грн
6000+6.03 грн
9000+5.75 грн
15000+5.10 грн
21000+4.93 грн
30000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2439000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.01 грн
6000+7.32 грн
12000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 590MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.54 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 1056000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 590 mA, 0.495 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 590mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.62 грн
500+5.46 грн
1500+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes INC.P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 590 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 80 @ 10, Qg, нКл = 1,54 @ 8 В, Rds = 495 мОм @ 400 мA, 4,5 В, Ugs(th) = 0,7 @ 250 мкА, Р, Вт = 0,24, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-523 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET PD 0.24W MIN RDSon
на замовлення 76716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.04 грн
26+12.31 грн
100+6.63 грн
500+6.21 грн
1000+5.59 грн
3000+4.69 грн
6000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 1131000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 590MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.54 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
19+16.15 грн
100+10.16 грн
500+7.10 грн
1000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.66 грн
6000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 590 mA, 0.495 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 590mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+13.85 грн
85+9.58 грн
129+6.28 грн
500+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UT-7DIODES/ZETEXTransistor P-MOSFET; 20V; 8V; 495mOhm; 590mA; 240mW; -55°C ~ 150°C; DMP21D0UT-7 TDMP21D0UT-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D1UFB4Q-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 8433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.52 грн
19+16.91 грн
100+8.35 грн
500+5.66 грн
1000+4.49 грн
2500+3.93 грн
5000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D1UT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 710mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D1UT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT523 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D1UT-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D1UT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT523 T&R 3K
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.87 грн
21+15.24 грн
100+8.35 грн
500+5.25 грн
1000+4.00 грн
3000+3.11 грн
6000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D1UT-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D1UT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 710mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D1UTQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V SOT523 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D1UTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 710mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D1UTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 710mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.97 грн
6000+4.31 грн
15000+3.83 грн
30000+3.37 грн
75000+2.99 грн
150000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D1UTQ-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V SOT523 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D1UTQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D2UFA-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D2UFA-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.62 грн
500+6.24 грн
1000+4.14 грн
5000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D2UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49 pF @ 15 V
на замовлення 222538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
22+14.06 грн
100+8.82 грн
500+6.13 грн
1000+5.44 грн
2000+4.85 грн
5000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D2UFA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.33A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 590000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D2UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 20VDS 8VGS 49pF
на замовлення 12079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.52 грн
23+13.97 грн
100+7.66 грн
500+5.73 грн
1000+4.49 грн
5000+3.93 грн
10000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D2UFA-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D2UFA-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.81 грн
37+22.31 грн
100+8.62 грн
500+6.24 грн
1000+4.14 грн
5000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D2UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49 pF @ 15 V
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.22 грн
20000+3.71 грн
30000+3.53 грн
50000+3.13 грн
70000+3.01 грн
100000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D2UFA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.33A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.85 грн
20000+4.46 грн
50000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D5UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.67 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.70 грн
500+6.90 грн
1000+4.92 грн
5000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 570000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2146+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 2146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 5V
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 970mOhm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 150505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
21+14.51 грн
100+9.09 грн
500+6.32 грн
1000+5.60 грн
2000+5.00 грн
5000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D5UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.67 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+21.42 грн
61+13.21 грн
100+8.70 грн
500+6.90 грн
1000+4.92 грн
5000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.85 грн
20000+4.46 грн
50000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 970mOhm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.36 грн
20000+3.84 грн
30000+3.65 грн
50000+3.23 грн
70000+3.11 грн
100000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 54148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.98 грн
19+17.15 грн
100+9.39 грн
500+6.56 грн
1000+4.97 грн
2500+4.83 грн
5000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFD-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET 1.0Ohm -20V -600mA
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D5UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 16490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.98 грн
16+20.96 грн
100+11.67 грн
500+8.70 грн
1000+6.70 грн
5000+6.01 грн
10000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 580MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 580MA 3DFN
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
16+19.30 грн
100+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 1626000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3887+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 3887 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1434000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.63 грн
6000+4.01 грн
9000+3.78 грн
15000+3.31 грн
21000+3.17 грн
30000+3.03 грн
75000+2.69 грн
150000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D6UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.16 грн
41+19.97 грн
104+7.76 грн
500+5.59 грн
1000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 6637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.96 грн
27+12.15 грн
100+4.35 грн
1000+3.24 грн
3000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D6UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.97 грн
104+7.76 грн
500+5.59 грн
1000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1434727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
23+13.01 грн
100+8.16 грн
500+5.66 грн
1000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2200UDW-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 900 mA, 900 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 900mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 600mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 600mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.77 грн
38+21.42 грн
100+8.86 грн
500+6.61 грн
1000+4.61 грн
5000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -700mA; 600mW; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Gate charge: 2.1nC
Power dissipation: 0.6W
On-state resistance: 1Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 9627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
18+16.98 грн
100+10.70 грн
500+7.48 грн
1000+6.65 грн
2000+5.95 грн
5000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 8046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2066+4.61 грн
3000+4.46 грн
6000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 2066 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs Dual -20V P-Ch FET 260mOhm -4.5V -0.9A
на замовлення 72084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.80 грн
18+18.10 грн
100+9.94 грн
500+7.46 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-13DiodesMosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 900mA 450mW Surface Mount SOT-363 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 450mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184pF @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2200UDW-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 900 mA, 900 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 900mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 600mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 600mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.61 грн
1000+4.61 грн
5000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 8046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3074+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 3074 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-7DiodesMosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 900mA 450mW Surface Mount SOT-363 Транзистори
на замовлення 74 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
51+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2200UDW-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 900 mA, 900 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 900mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+26.90 грн
50+16.27 грн
100+10.07 грн
500+7.07 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 450mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 4152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
21+14.43 грн
100+9.01 грн
500+6.28 грн
1000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 33 36 38  [ Наступна Сторінка >> ]