Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3 | на замовлення 949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 69A TO220-3 OptiMOS 2 | на замовлення 1326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP12CN10N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 67A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 67A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP12CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 67A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP12CNE8N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 85V 67A TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP130N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP130N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V | на замовлення 665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP130N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP130N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP139N08N3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP139N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 45A TO220-3 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP139N08N3 G L6505 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP139N08N3G | Infineon Technologies | IPP139N08N3G | на замовлення 11441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP139N08N3G | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | на замовлення 15437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP139N08N3G | Infineon Technologies | IPP139N08N3G | на замовлення 3911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP139N08N3G | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP139N08N3G - IPP139N08 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 11261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP139N08N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 45A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP139N08N3GXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP139N08N3GXKSA1 - IPP139N08 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP139N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP139N08N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP139N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45 A, 0.0118 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 45 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 79 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 euEccn: NLR Verlustleistung: 79 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0118 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP139N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V | на замовлення 632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP13N03LB G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1355 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP147N03L G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 20A TO-220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP147N03LG | infineon | 09+ | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP147N12N3 G | Infineon | MOSFET N-CH 120V 56A TO-220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP147N12N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 56A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 2719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP147N12N3G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP147N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 13495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP147N12N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 56A Power dissipation: 107W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14.7mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 39 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP147N12N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP147N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0126 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP147N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP14N03LA | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP14N03LA | INF | TO-220 | на замовлення 47000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP15N03L | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP15N03L | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP16CN10LG | infineon | 07+ | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP16CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 54A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 61µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4190 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP16CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 54A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 61µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4190 pF @ 50 V | на замовлення 13937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP16CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 53A TO220-3 OptiMOS 2 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP16CN10NG | Rochester Electronics, LLC | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 | на замовлення 1369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 521 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP16CN10NGHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP16CN10NGHKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP16CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP16CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP16CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 53A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP16CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 53A TO220-3 | на замовлення 494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP16CNE8N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 85V 53A TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP16CNE8N G | INF | TO-220 | на замовлення 23000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP175N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 9.7A | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP175N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V | на замовлення 477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP175N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 9.7A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP17N25S3-100 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 250V 17A TO220-3 | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP17N25S3100AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP17N25S3100AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP17N25S3100AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V | на замовлення 887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP17N25S3100AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 250V 17A TO220-3 | на замовлення 425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP17N25S3100AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 13.3A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 107W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ T | на замовлення 482 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP17N25S3100AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP180N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 43A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP180N10N3 G | Infineon | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPP180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V | на замовлення 816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP180N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 43A Power dissipation: 71W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP180N10N3GXKSA1 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP180N10N3GXKSA1 Код товару: 150492
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPP180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 43A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP180N10N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP180N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP1FAD2 | Apem | Pushbutton Switches IP67 Sealed Pushbutton Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP1FAD2UL | Apem | Pushbutton Switches IP67 Sealed Pushbutton Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP1SAD1100 | Apem | Pushbutton Switches PUSHBUTTON SWITCH FD DBLE ICON | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP1SAD1100 | APEM Inc. | Description: PUSHBUTTON SWITCH FD DBLE ICON Packaging: Bulk Current Rating (Amps): 2A (AC), 4A (DC) Mounting Type: Panel Mount, Front Circuit: SPST Type: Standard Switch Function: Off-On Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Solder Lug Actuator Type: Round, Button, Flush Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Circular - 13.60mm Dia Color - Actuator/Cap: Blue Voltage Rating - AC: 125 V Voltage Rating - DC: 12 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP1SAD2100 | Apem | Pushbutton Switches PUSHBUTTON SWITCH FD DBLE ICON | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP1SAD3100 | Apem | Pushbutton Switches IP67 Sealed Pushbutton Switch | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP1SADB170 | Apem | Pushbutton Switches PUSHBUTTON SWITCH FD DBLE ICON | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP200N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP200N15N3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP200N15N3 G | Infineon | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPP200N15N3G | Infineon technologies | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPP200N15N3GHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 150W; PG-TO220-3 Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 50A On-state resistance: 20mΩ Power dissipation: 150W Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 402 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 77 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 150V 50A TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP200N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 4489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

