Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP120N08S404AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 16972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP120N08S404AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP120N10S4-05 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(75V 120V( | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP120N10S403AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 13700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP120N10S403AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP120N10S403AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-CHANNEL 100+ | на замовлення 508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP120N10S403AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP120N10S403AKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP120N10S403AKSA1 - IPP120N10 75V-100V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 20700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 104 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP120N10S403AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP120N10S405AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP120N10S405AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP120N10S405AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 190W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm | на замовлення 6687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP120N10S405AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP120N10S405AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP120N10S405AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP120N10S405AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 100+ | на замовлення 6396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP120N20NFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 84A TO220-3 | на замовлення 821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP120N20NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP120N20NFDAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 84A TO220-3 | на замовлення 1012 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP120N20NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP120N20NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP120N20NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 84A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP120N20NFDAKSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP120N20NFDAKSA1 IPP120N20NFDA TIPP120n20nfda кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP120N20NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP120N20NFDAKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP120N20NFDAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0106 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP120N20NFDAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 84A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ FD | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP120P04P4-04 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -40V -120A TO220-3 OptiMOS-P2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP120P04P404AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP120P04P4L-03 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -40V -120A TO22 0-3 OptiMOS-P2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP120P04P4L03AKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 120 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 136 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: OptiMOS P2 Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -40V -120A TO22 0-3 OptiMOS-P2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 19290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP120P04P4L03AKSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP120P04P4L03AKSA2 Код товару: 203742
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP126N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 58A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 219 шт: термін постачання 322-331 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP126N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 58A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP126N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP129N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 525000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP129N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | на замовлення 911 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP129N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP129N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V | на замовлення 961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP129N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP129N10NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP129N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52 A, 0.0116 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP129N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP129N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP12CN10L G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 69A TO220-3 OptiMOS 2 | на замовлення 212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP12CN10LG | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 | на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP12CN10LGHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 69A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 69A TO220-3 OptiMOS 2 | на замовлення 1326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3 | на замовлення 214000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP12CN10LGXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP12CN10LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 69 A, 0.0099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.84V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3 | на замовлення 949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP12CN10N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 67A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 67A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP12CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 67A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP12CNE8N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 85V 67A TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP130N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP130N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP130N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPP130N20NM6AKSA1 | на замовлення 879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP130N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V | на замовлення 835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP130N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP139N08N3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP139N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 45A TO220-3 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP139N08N3 G L6505 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP139N08N3G | Infineon Technologies | IPP139N08N3G | на замовлення 3911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP139N08N3G | Infineon Technologies | IPP139N08N3G | на замовлення 11441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP139N08N3G | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V | на замовлення 15437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP139N08N3G | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP139N08N3G - IPP139N08 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 11261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 477 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP139N08N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 45A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP139N08N3GXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP139N08N3GXKSA1 - IPP139N08 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 477 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP139N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V | на замовлення 632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP139N08N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP139N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45 A, 0.0118 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 45 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 79 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 euEccn: NLR Verlustleistung: 79 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0118 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP139N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP13N03LB G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1355 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP147N03L G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 20A TO-220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP147N03LG | infineon | 09+ | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP147N12N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 56A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 2719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP147N12N3 G | Infineon | MOSFET N-CH 120V 56A TO-220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP147N12N3G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP147N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP147N12N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3 Mounting: THT Power dissipation: 107W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 56A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 120V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 14.7mΩ | на замовлення 39 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP147N12N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP147N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0126 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP147N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V | на замовлення 13495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP14N03LA | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP14N03LA | INF | TO-220 | на замовлення 47000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP15N03L | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP15N03L | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP16CN10LG | infineon | 07+ | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

