Продукція > STD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 25 30 35 40 45 50 53  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STD10NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 10A
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60NSTMicroelectronicsSTD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60NSTMicroelectronicsSTD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60NSTMicroelectronicsSTD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 4487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+120.15 грн
119+115.07 грн
250+106.19 грн
500+101.59 грн
1000+101.24 грн
3000+100.90 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60NSTMicroelectronicsSTD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+135.40 грн
107+133.33 грн
108+131.25 грн
110+124.56 грн
250+113.48 грн
500+107.17 грн
1000+105.31 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60NSTMicroelectronicsSTD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.50 грн
10+121.77 грн
25+120.04 грн
100+114.09 грн
250+104.10 грн
500+98.45 грн
1000+96.98 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD10NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.78 грн
10+151.19 грн
100+119.49 грн
500+94.35 грн
1000+85.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 577 pF @ 50 V
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.60 грн
10+120.46 грн
100+83.03 грн
500+64.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60NDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD10NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.57 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.96 грн
10+129.24 грн
100+90.23 грн
500+63.63 грн
1000+54.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60NDSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 577 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM65N
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM65NSTMMOSFET N-CH 650V 9A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 650V Power MDmesh
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P10F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P10F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.36 грн
5000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P10F6STMicroelectronicsCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -10A; 40W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -10A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 16.5nC
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 40W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P10F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 80 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P10F6STMicroelectronicsMOSFETs P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 5196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P10F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.29 грн
193+73.55 грн
227+62.51 грн
500+48.28 грн
1000+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P10F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P10F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 80 V
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.06 грн
10+56.84 грн
100+37.57 грн
500+27.49 грн
1000+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P10F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P10F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 48404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.92 грн
50+60.31 грн
100+45.60 грн
500+31.17 грн
1000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6STMMOSFET P-CH 60V 10A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.07 грн
5000+32.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 21903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.98 грн
10+59.55 грн
100+39.43 грн
500+28.90 грн
1000+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 48404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.60 грн
500+31.17 грн
1000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+123.52 грн
200+81.47 грн
500+69.30 грн
1000+53.64 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.96 грн
5000+23.14 грн
7500+22.19 грн
12500+19.83 грн
17500+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6
Код товару: 171157
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6STMicroelectronicsMOSFETs P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat
на замовлення 10735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10PF06STMicroelectronicsMOSFETs P-Ch 60 Volt 10 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10PF06STM07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10PF06-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10PF06-1STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 99917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.68 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10PF06-1STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10PF06-1
Код товару: 143519
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10PF06-1STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10PF06-1STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 99917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
297+47.68 грн
Мінімальне замовлення: 297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10PF06-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10PF06-W
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10PF06T4
Код товару: 27076
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Id, A: 10 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 850/16
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+35.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD10PF06T4STMicroelectronicsMOSFET P-Ch 60 Volt 10 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10PF06T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10PF06T4STMP-CHANNEL 60V - 0.18 W - 10A IPAK/DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10PF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1109-102M-B
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1109T-221M-B-S
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1109T-470M-S
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1109T-680M-B-S
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD110N02RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD110N02RT4G
на замовлення 127500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD110N02RT4GON SemiconductorMOSFET NFET 24V SPCL TR
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD110N02RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD110N02RT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 24V SPCL
на замовлення 2213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD110N02RT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 32A/110A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.88W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD110N02RT4G-VF01ON SemiconductorPower MOSFET 24 V, 110 A, N-Channel DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD110N8F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD110N8F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD110N8F6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD110N8F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 5600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.77 грн
10+120.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD110N8F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD110N8F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD110N8F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD110N8F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD110N8F6STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 167W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 167W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD110N8F6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD110N8F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0056 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.33 грн
500+63.18 грн
1000+54.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD110N8F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD110N8F6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK packa
на замовлення 3109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD110N8F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.36 грн
10+109.07 грн
100+74.47 грн
500+56.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD110NH02
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD110NH02LST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD110NH02LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4450 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD110NH02LT4
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD116GK08SIRECTIFIER05+
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD116GK12SIRECTIFIER05+
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD116GK14SIRECTIFIER05+
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD116GK16SIRECTIFIER05+
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD116GK18SIRECTIFIER05+
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD118D
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N50M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD11N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.61 грн
11+74.62 грн
100+50.15 грн
500+43.93 грн
1000+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N50M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N50M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 100 V
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+60.53 грн
100+40.28 грн
500+29.65 грн
1000+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N50M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD11N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.58 грн
500+43.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N50M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 500 V, 0.45 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N50M2STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Ciss, пФ @ Uds, В = 395pF @ 100V, Qg, нКл = 12, Rds = 0,53 Ом, Ugs(th) = 25, Р, Вт = 85, Тексп, °C = -55...150,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N50M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N50M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 4081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60DM2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 10A; 110W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 25V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+62.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.60 грн
10+101.44 грн
100+69.03 грн
500+51.76 грн
1000+47.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 25 30 35 40 45 50 53  [ Наступна Сторінка >> ]