Продукція > STL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STL15N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL15N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL15N65M5 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 10A; 52W; PowerFLAT 5x6; SMT | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL15N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 10A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL15N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL15N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 2903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL15N65M5 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 52W; PowerFLAT 5x6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: PowerFLAT 5x6 On-state resistance: 375mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 22nC Drain current: 10A Power dissipation: 52W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL160N10F8 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Channel Enhancement Mode 100V, 3.2mOhm max, 158A STripFET F8 Power MOSFET | на замовлення 2901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL160N10F8 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 100V 158A 8-Pin PowerFLAT EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL160N10F8 | STMicroelectronics | Description: POWER FLAT 8L 6X5X1 P1.27 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL160N3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 30V 0.0011 Ohm 35A STripFET VI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL160N3LLH6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 240A 8-Pin Power Flat T/R | на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL160N3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6375 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 17.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL160N3LLH6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 240A 8-Pin Power Flat T/R | на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL160N4F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 111W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL160N4F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL160N4F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL160N4F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL160N4F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 111W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V | на замовлення 2422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL160N4F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL160N4F7 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 | на замовлення 4225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL160N4F8 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 40V, 2.6 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL160N6LF7 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET | на замовлення 719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL160NS3LLH7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 84W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL160NS3LLH7 | STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | на замовлення 1832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL160NS3LLH7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 84W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL165N10F8AG | STMicroelectronics | MOSFETs Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET | на замовлення 1002 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL165N10F8AG | STMicroelectronics | Description: POWERFLAT 5X6 WF Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL165N4F8AG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL165N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 154 A, 2600 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: TBA Dauer-Drainstrom Id: 154A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 111W Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F8 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL165N4F8AG | STMicroelectronics | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40V, 2.6MOH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 111W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL165N4F8AG | STMicroelectronics | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40V, 2.6MOH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 111W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL165N4F8AG | STMicroelectronics | MOSFETs Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET | на замовлення 3051 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL16N1VH5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 12V 16A POWERFLAT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL16N1VH5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 12V 16A POWERFLAT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL16N1VH5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 12V 16A POWERFLAT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL16N60M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV | на замовлення 2616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL16N60M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 355mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704 pF @ 100 V | на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL16N60M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 355mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL16N60M6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 0.30 Ohm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL16N60M6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL16N60M6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active | на замовлення 962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL16N65M2 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 7.5A; 56W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 650V Drain current: 7.5A Power dissipation: 56W Gate-source voltage: 25V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 19.5nC | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL16N65M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V | на замовлення 1665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL16N65M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 | на замовлення 1340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL16N65M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL16N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 2A 4-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL16N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 12A PWRFLAT HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL16N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 2A 4-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL170N4LF8 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Channel Enhancement Mode 40V Logic level 2.2mOhm 167A STripFET F8 Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL175N4LF8AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 40V 167A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL175N4LF8AG | STMicroelectronics | MOSFETs Automotive-grade N-channel logic level 40V 2.2 mOhm 167A STripFET F8 PowerMOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL17N3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 8.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL17N3LLH6 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STL17N3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 8.5A, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL17N60M6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL17N60M6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Power Dissipation (Max): 90W (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL17N60M6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 300 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 p | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL17N60M6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL17N65M5 | STMicroelectronics | MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE | на замовлення 958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL17N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 374mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL17N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 1.8A 4-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL17N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 374mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL180N6F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL180N6F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 32A/120A PWRFLAT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 166W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL180N6F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL180N6F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL180N6F7 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 60 V, 1.9 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL180N6F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL180N6F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 32A/120A PWRFLAT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 166W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL18N55M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1352 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 90W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL18N55M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 550V 2.4A 4-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL18N55M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 550V 2.4A 4-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL18N55M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1352 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 90W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL18N60M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 308mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL18N60M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 278 mOhm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL18N60M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 308mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V | на замовлення 2068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL18N60M6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 308mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL18N60M6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 9 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL18N65M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL18N65M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 764 pF @ 100 V | на замовлення 2044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL18N65M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL18N65M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H | на замовлення 3721 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL18N65M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL18N65M2 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 57W; PowerFLAT 5x6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 57W Case: PowerFLAT 5x6 On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Gate charge: 21.5nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL18N65M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL18N65M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 764 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL18N65M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL18N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V | на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL18N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 8-Pin Power Flat T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL18N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 8-Pin Power Flat T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL18N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 8-Pin Power Flat T/R | на замовлення 2761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL18N65M5 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 6.5A; Idm: 60A; 57W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 6.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 57W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL18N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL18N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 8-Pin Power Flat T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL18N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 8-Pin Power Flat T/R | на замовлення 2761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL18N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 8-Pin Power Flat T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL18N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 8-Pin Power Flat T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STL18N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 8-Pin Power Flat T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL18N65M5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-CH 650V 0.215Ohm 15A MDmesh M5 | на замовлення 3485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STL18NM60N | STMicroelectronics | на замовлення 558 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

