Продукція > STL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STL15N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.68 грн
10+84.79 грн
25+84.59 грн
100+73.37 грн
250+67.70 грн
500+63.26 грн
1000+61.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+109.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL15N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 650V 0.335Ohm 10A MDmesh M5
на замовлення 5733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL15N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 8073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.82 грн
10+157.67 грн
50+121.55 грн
100+103.15 грн
500+84.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+282.33 грн
10+242.47 грн
25+238.42 грн
100+189.11 грн
250+159.38 грн
500+148.64 грн
1000+120.94 грн
3000+118.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL15N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 52W; PowerFLAT 5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 52W
Case: PowerFLAT 5x6
On-state resistance: 375mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+373.62 грн
55+261.65 грн
68+210.97 грн
100+173.89 грн
500+126.28 грн
1000+117.19 грн
2000+108.10 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL15N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+77.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+126.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+108.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N10F8STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 158A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 158A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 90nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N10F8STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 100V 158A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N10F8STMicroelectronicsDescription: POWER FLAT 8L 6X5X1 P1.27
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N10F8STMicroelectronicsMOSFETs N-Channel Enhancement Mode 100V, 3.2mOhm max, 158A STripFET F8 Power MOSFET
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N10F8STMicroelectronicsDescription: POWER FLAT 8L 6X5X1 P1.27
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6375 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N3LLH6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30V 0.0011 Ohm 35A STripFET VI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 240A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 240A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+134.36 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N4F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+90.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N4F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.52 грн
10+85.59 грн
50+64.53 грн
100+54.18 грн
500+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N4F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N4F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N4F7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 40V; 120A; 111W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Power dissipation: 111W
Case: PowerFLAT 5x6
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
On-state resistance: 2.5mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N4F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+74.57 грн
218+65.09 грн
500+59.15 грн
1000+54.61 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N4F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+83.84 грн
11+74.57 грн
100+65.09 грн
500+57.04 грн
1000+50.56 грн
3000+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N4F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
на замовлення 3530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N4F8STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 111W; 8-PowerVDFN
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 111W
Case: 8-PowerVDFN
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 40V
On-state resistance: 2.6mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N4F8STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 40V, 2.6 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N4F8STMicroelectronicsDescription: LV MOSFET TRENCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N6LF7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL160N6LF7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 2500 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N6LF7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N6LF7STMicroelectronicsDescription: N CHANNEL LOGIC 60V 2.5MOHM MAX
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N6LF7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL160N6LF7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 2500 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL160N6LF7STMicroelectronicsDescription: N CHANNEL LOGIC 60V 2.5MOHM MAX
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.63 грн
10+94.57 грн
50+71.51 грн
100+60.12 грн
500+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL160NS3LLH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL160NS3LLH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL160NS3LLH7STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL1638STATICTECCategory: Tapes and Labels
Description: Self-adhesive label; ESD; 16x38mm; 1000pcs; reel; black,yellow
Quantity in set/package: 1000pcs.
Colour: black; yellow
Version: ESD
Language: EN
Dimensions: 16x38mm
Kind of package: reel
Type of antistatic accessories: self-adhesive label
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1002.51 грн
5+872.20 грн
10+825.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STL165N10F8AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL165N10F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 158 A, 3200 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL165N10F8AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL165N10F8AGSTMicroelectronicsDescription: POWERFLAT 5X6 WF
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL165N4F8AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40V, 2.6MOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL165N4F8AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL165N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 154 A, 2600 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL165N4F8AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET
на замовлення 3051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL165N4F8AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40V, 2.6MOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.82 грн
10+83.10 грн
100+56.17 грн
500+41.91 грн
1000+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL16N1VH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 12V 16A POWERFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL16N1VH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 12V 16A POWERFLAT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL16N1VH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 12V 16A POWERFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL16N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 355mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL16N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL16N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 355mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704 pF @ 100 V
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.12 грн
10+135.41 грн
50+103.77 грн
100+87.81 грн
500+71.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL16N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.25 грн
10+156.69 грн
50+120.78 грн
100+102.50 грн
500+83.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL16N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.30 Ohm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL16N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL16N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL16N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.12 грн
10+135.86 грн
50+104.13 грн
100+88.14 грн
500+71.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL16N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL16N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 2A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL16N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 2A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+187.45 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL16N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL170N4LF8STMicroelectronicsMOSFETs N-Channel Enhancement Mode 40V Logic level 2.2mOhm 167A STripFET F8 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL175N4LF8AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 40V 167A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL175N4LF8AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel logic level 40V 2.2 mOhm 167A STripFET F8 PowerMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL17N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL17N3LLH6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL17N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL17N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+101.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL17N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 300 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 p
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL17N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+102.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL17N65M5STMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL17N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 374mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL17N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 1.8A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL17N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 374mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL180N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL180N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+107.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL180N6F7STMMOSFET N-CH 60V 32A/120A PWRFLAT Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL180N6F7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 32A; 4.8W; 8-PowerVDFN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 32A
Power dissipation: 4.8W
Case: 8-PowerVDFN
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79.5nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL180N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL180N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 1.9 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL180N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+106.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL180N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 32A/120A PWRFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 2.4A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 2.4A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+224.32 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N55M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1352 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 308mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
на замовлення 5068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.79 грн
10+145.67 грн
50+111.74 грн
100+94.58 грн
500+76.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 278 mOhm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 308mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 308mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 9 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 57W; PowerFLAT 5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: PowerFLAT 5x6
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+105.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+102.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 764 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
на замовлення 3711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+102.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+106.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 764 pF @ 100 V
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.93 грн
10+147.94 грн
50+113.76 грн
100+96.44 грн
500+78.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.