Продукція > Si2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI2307-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.41 грн
6000+6.39 грн
9000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.84 грн
6000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
18+17.36 грн
100+10.95 грн
500+7.67 грн
1000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1539000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.11 грн
12000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307/A7SHB
на замовлення 800000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307AUMWDescription: 30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 15 V
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
29+10.57 грн
33+9.39 грн
100+7.53 грн
250+6.92 грн
500+6.55 грн
1000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307AUMWDescription: 30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.50 грн
6000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.29 грн
100+24.22 грн
500+17.45 грн
1000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P CHAN 30V
на замовлення 24332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+45.43 грн
417+33.93 грн
500+29.35 грн
1000+26.48 грн
3000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+42.15 грн
389+36.40 грн
500+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 2667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.83 грн
500+23.02 грн
1000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.00 грн
26+29.19 грн
50+27.87 грн
100+23.40 грн
250+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 3.2A 1.25W
на замовлення 67377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.60 грн
10+46.72 грн
100+30.66 грн
500+22.29 грн
1000+20.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 2667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.72 грн
19+43.16 грн
100+29.83 грн
500+23.02 грн
1000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.01 грн
17+45.07 грн
100+33.67 грн
500+28.08 грн
1000+24.32 грн
3000+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.41 грн
6000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 3.2A 1.25W 78mohm @ 10V
на замовлення 52775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
на замовлення 4109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+39.25 грн
100+25.56 грн
500+18.45 грн
1000+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-TI-E3
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDST1E3VISHAY
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CD
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A/3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
407+70.23 грн
Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 30V (D-S)
на замовлення 165772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2307CDS-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 30V, 3.5A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Si2307CDS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.78 грн
25+35.60 грн
50+29.83 грн
100+22.34 грн
250+18.46 грн
500+16.23 грн
1000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A/3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 5238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+32.91 грн
100+21.22 грн
500+15.18 грн
1000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-E3
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 18144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+39.25 грн
100+25.50 грн
500+18.37 грн
1000+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 407758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.82 грн
6000+14.01 грн
9000+13.39 грн
15000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.088 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
на замовлення 15941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.12 грн
500+17.74 грн
1500+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3VishayP-MOSFET 30V 3.5A 1.8W 88mΩ SI2307CDS Vishay TSI2307cds
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 95468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+32.53 грн
100+20.95 грн
500+14.99 грн
1000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
508+27.85 грн
613+23.10 грн
1000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 508 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.088 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
на замовлення 15941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.56 грн
50+35.77 грн
100+25.12 грн
500+17.74 грн
1500+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.00 грн
17+45.45 грн
32+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3Vishay SiliconixSOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 95325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.80 грн
6000+11.30 грн
9000+10.77 грн
15000+9.56 грн
21000+9.23 грн
30000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Gate charge: 6.2nC
On-state resistance: 138mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.42 грн
18+23.31 грн
50+17.28 грн
100+15.52 грн
500+12.83 грн
1000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si2307CDS-T1-GE3-MLMOSLEADERDescription: P -30V 3.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.61 грн
1000+2.46 грн
3000+2.29 грн
6000+2.11 грн
15000+2.04 грн
30000+1.96 грн
75000+1.81 грн
150000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3.VISHAYDescription: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3. - P CHANNEL MOSFET, -30V, 2.7A TO-236, FUL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2.7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.138
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS
Код товару: 152992
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DSVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DSVISHAY
на замовлення 150500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2307BDS-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-T1VISHAYSOT-23
на замовлення 160400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-T1-E3VISHAYSOT23
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-T1-E3Vishay SiliconixУСТАРЕВШ., ЗАМЕНЯТЬ НА Si2307CDS Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2307BDS-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-T1-E3-VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-T3Vishay / SiliconixMOSFET 30V, P-CH 145mohm 32M CELL TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-T7-E3
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-TI
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307K-TPMicro Commercial ComponentsSmall Signal MOSFETS
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 592 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307K-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 5350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
24+12.83 грн
100+8.04 грн
500+5.57 грн
1000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307K-TPMicro Commercial ComponentsSmall Signal MOSFETS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307K-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307K-TPMicro Commercial ComponentsSmall Signal MOSFETS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307K-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308AUMWDescription: 60V 2A 1.25W 160MR@10V,2A 3V@250
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
на замовлення 2128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
32+9.43 грн
37+8.30 грн
100+6.67 грн
250+6.11 грн
500+5.78 грн
1000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308AUMWDescription: 60V 2A 1.25W 160MR@10V,2A 3V@250
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS
Код товару: 124265
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS E8.TECH PUBLICTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 3A; 350mW; -55°C~150°C; Substitute: SI2308BDS-VB; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-GE3-VB; SI2308BDS TSI2308bds c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+32.83 грн
100+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 N CHAN 60V
на замовлення 79706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.23 грн
24000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2308BDS-T1-E3 - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2.3A, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.66W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.31 грн
25+35.93 грн
50+30.32 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.12 грн
18+42.19 грн
100+28.61 грн
500+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3
Код товару: 168915
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+42.15 грн
496+28.57 грн
580+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]