Продукція > Si2

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI2307BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.13 грн
10+36.94 грн
100+24.00 грн
500+17.29 грн
1000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P CHAN 30V
на замовлення 22856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.95 грн
15+50.88 грн
100+36.54 грн
500+29.56 грн
1000+25.84 грн
3000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 3.2A 1.25W
на замовлення 56244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
на замовлення 9407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.89 грн
10+46.29 грн
100+30.38 грн
500+22.08 грн
1000+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+82.95 грн
279+50.88 грн
388+36.54 грн
500+29.56 грн
1000+25.84 грн
3000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+42.24 грн
389+36.48 грн
500+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.5A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.70 грн
28+27.62 грн
50+26.37 грн
100+22.69 грн
250+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.23 грн
6000+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
на замовлення 4109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+38.89 грн
100+25.33 грн
500+18.28 грн
1000+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 3.2A 1.25W 78mohm @ 10V
на замовлення 49990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-TI-E3
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDST1E3VISHAY
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CD
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A/3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2307CDS-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 30V, 3.5A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Si2307CDS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 30V (D-S)
на замовлення 165061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A/3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 5238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.14 грн
10+32.61 грн
100+21.02 грн
500+15.04 грн
1000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
407+70.38 грн
Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.67 грн
6000+13.88 грн
9000+13.26 грн
15000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 18144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+38.89 грн
100+25.26 грн
500+18.20 грн
1000+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 399483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
483+29.37 грн
586+24.21 грн
1000+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 483 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 50251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.92 грн
10+33.21 грн
100+21.41 грн
500+15.32 грн
1000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 138mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.2nC
на замовлення 7847 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+34.90 грн
18+24.26 грн
50+17.95 грн
100+16.20 грн
500+13.38 грн
1000+12.38 грн
3000+11.13 грн
6000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.40 грн
16+47.91 грн
31+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3Vishay SiliconixSOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.088 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
на замовлення 15941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 50045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.08 грн
6000+11.54 грн
9000+11.01 грн
15000+9.76 грн
21000+9.43 грн
30000+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.088 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
на замовлення 28246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3VishayP-MOSFET 30V 3.5A 1.8W 88mΩ SI2307CDS Vishay TSI2307cds
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si2307CDS-T1-GE3-MLMOSLEADERDescription: P -30V 3.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.59 грн
1000+2.44 грн
3000+2.27 грн
6000+2.09 грн
15000+2.03 грн
30000+1.94 грн
75000+1.79 грн
150000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3.VISHAYDescription: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3. - P CHANNEL MOSFET, -30V, 2.7A TO-236, FUL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2.7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.138
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DSVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DSVISHAY
на замовлення 150500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS
Код товару: 152992
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-T1VISHAYSOT-23
на замовлення 160400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2307BDS-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-T1-E3Vishay SiliconixУСТАРЕВШ., ЗАМЕНЯТЬ НА Si2307CDS Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2307BDS-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-T1-E3VISHAYSOT23
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-T1-E3-VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-T3Vishay / SiliconixMOSFET 30V, P-CH 145mohm 32M CELL TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-T7-E3
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-TI
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307K-TPMicro Commercial ComponentsSmall Signal MOSFETS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307K-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307K-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307K-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 30V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307K-TPMicro Commercial ComponentsSmall Signal MOSFETS
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 592 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307K-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 5350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.75 грн
24+12.71 грн
100+7.96 грн
500+5.52 грн
1000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308GOODWORKDescription: 60V 3A 85m@10V SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308AUMWDescription: 60V 2A 1.25W 160MR@10V,2A 3V@250
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308AUMWDescription: 60V 2A 1.25W 160MR@10V,2A 3V@250
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
на замовлення 2701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
16+19.74 грн
50+14.25 грн
100+11.71 грн
500+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS
Код товару: 124265
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDSTECH PUBLICTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 3A; 350mW; -55°C~150°C; Substitute: SI2308BDS-VB; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-GE3-VB; SI2308BDS TSI2308bds c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 N CHAN 60V
на замовлення 79706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.26 грн
24000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.28 грн
18+42.29 грн
100+28.67 грн
500+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+223.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+42.24 грн
496+28.63 грн
580+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3
Код товару: 168915
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3.VISHAYDescription: VISHAY - SI2308BDS-T1-E3. - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2.3A, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.66W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
directShipCharge: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2308BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.156 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.09W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
на замовлення 15886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 209865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3
Код товару: 172429
Додати до обраних Обраний товар
VISHAYТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 2,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,156 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 190/4,5
товару немає в наявності
3+8.50 грн
10+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3VishayTransistor N-MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 2,3A; 1,66W; -55°C~150°C; Replacement: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND; SI2308BDS-T1-BE3; TSI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS TSI2308bds
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5535 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.18 грн
21+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3
Код товару: 202447
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.