Продукція > stb

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STB26N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB26N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB26N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 169W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB26N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.14 Ohm 20A M2 Power
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB26N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB26NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET N-CH 600V
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB26NM60NSTMicroelectronicsSTB26NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB26NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+223.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB26NM60NSTMicroelectronicsSTB26NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+159.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB26NM60NSTMicroelectronicsSTB26NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+160.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB26NM60NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB26NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.78 грн
10+368.26 грн
100+269.82 грн
500+247.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB26NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB26NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1817 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB270N04ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB270N04-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB270N4F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB270N4F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+115.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB270N4F3STMicroelectronicsMOSFETs N-Channel 40V Pwr Mosfet
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB270N4F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB270N4F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.01 грн
10+203.11 грн
100+144.06 грн
500+125.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB27NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch Power Mosfet 600V STripFET D2PAK
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB27NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+434.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB27NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB27NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+434.77 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB27NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.47 грн
10+194.36 грн
100+137.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 22A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 25V
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+69.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+70.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60M2STMMOSFET N-CH 600V 22A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+70.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.12 грн
10+116.77 грн
100+80.06 грн
500+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB28N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+168.26 грн
500+132.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+110.56 грн
2000+99.80 грн
3000+97.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB28N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.03 грн
10+243.85 грн
100+168.26 грн
500+132.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A; 170W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2
Код товару: 176666
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 3309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.39 грн
10+197.00 грн
100+139.09 грн
500+111.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+223.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM50NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 21A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 21A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+229.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+526.72 грн
10+344.48 грн
100+263.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+230.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs Nchnl 600 V 0120 Ohm typ 24 A Pwr MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.99 грн
10+327.65 грн
100+238.36 грн
500+213.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+323.13 грн
45+319.36 грн
100+306.14 грн
250+281.78 грн
500+268.89 грн
1000+267.27 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.13 грн
10+321.25 грн
25+319.36 грн
100+306.14 грн
250+281.78 грн
500+268.89 грн
1000+267.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+195.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+308.71 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB2E1-53Carling TechnologiesToggle Switches 16A 12/24V (ON)-OFF 2P QC No Panel Seal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB2E1-58Carling TechnologiesToggle Switches 16A 12/24VDC (ON)OFF 2P QC IP68
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB2E4-53Carling TechnologiesToggle Switches STB2E4-53
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB2E4-58Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: DPST-NO
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Screw Terminal
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 14.25mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 24 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB2E4-58Carling TechnologiesToggle Switches STB2E4-58
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB2N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.2A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB2N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.51 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB2N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
234+60.51 грн
Мінімальне замовлення: 234 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB300NH02LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 24V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB300NH02LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7055 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.03 грн
10+64.38 грн
100+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB30100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB30100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30100CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 30A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.68V
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB30100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB30100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB3015ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB30150CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 150V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.36 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 150 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.60 грн
10+84.31 грн
100+65.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30150CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 150V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.36 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 150 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30150CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30150CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB3015LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB3015L-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB3015LT4ST
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB30200CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30200CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB30200CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB30200CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB3020LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB3020L-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB3020LT4
на замовлення 38751 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB302515EUROPADescription: EUROPA - STB302515 - Gehäuse, Wandgehäuse, Stahl, IP65, 300 x 250 x 150mm
tariffCode: 73102990
Außentiefe - metrisch: 150mm
Außentiefe - imperial: -888"
productTraceability: No
Außenbreite - metrisch: 250mm
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - metrisch: 300mm
Außenhöhe - imperial: -888"
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Außenbreite - Zoll: -888"
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4478.78 грн
5+4245.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB303008Hoffman Enclosures, Inc.Description: IP66 TERM BOX 300X300X80MM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB303012Hoffman Enclosures, Inc.Description: IP66 TERM BOX 300X300X120MM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB303020EUROPADescription: EUROPA - STB303020 - Metallgehäuse, Wandmontage, Stahl, 300 mm, 300 mm, 200 mm, IP65
tariffCode: 73102990
rohsCompliant: YES
Gehäusefarbe: Grau
Außenhöhe - imperial: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IP-Schutzart: IP65
NEMA-Bewertung: NEMA 4
Außentiefe - metrisch: 200mm
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 300mm
Außentiefe - imperial: -
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 300mm
Produktpalette: Europa STB
productTraceability: No
Gehäusetyp: Wandmontage
Außenbreite - Zoll: -
Gehäusematerial: Stahl
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5468.82 грн
5+5274.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB3045CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 45V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]