Продукція > 2SC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 117 128 129 130 131 132 133 134  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
2SCR573D3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 3A; 10W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 10W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 180...450
Frequency: 320MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 582 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.01 грн
10+49.69 грн
100+32.99 грн
500+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+94.12 грн
216+65.86 грн
307+46.21 грн
500+36.85 грн
1000+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+47.68 грн
310+45.77 грн
500+44.12 грн
1000+41.15 грн
2500+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.30 грн
500+29.24 грн
1000+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+108.68 грн
202+70.40 грн
500+49.99 грн
1000+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+44.65 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.63 грн
10+59.98 грн
100+39.70 грн
500+29.11 грн
1000+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.17 грн
14+58.07 грн
100+39.30 грн
500+29.24 грн
1000+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573DGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+31.79 грн
465+30.51 грн
500+29.41 грн
1000+27.44 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573DGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+31.79 грн
465+30.51 грн
500+29.41 грн
1000+27.44 грн
2500+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573DGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
388+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 388 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.67 грн
10+92.96 грн
100+63.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR574D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.30 грн
10+104.70 грн
100+68.22 грн
500+54.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.66 грн
157+90.43 грн
250+86.80 грн
500+80.68 грн
1000+72.27 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR574D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.22 грн
500+54.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V 2A 10W TO-252(DPAK)
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.30 грн
10+91.30 грн
100+58.47 грн
500+49.91 грн
1000+45.98 грн
2500+41.01 грн
5000+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 10W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 280MHz
Case: DPAK; TO252
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 2A
Power dissipation: 10W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 120...390
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+36.98 грн
411+34.49 грн
413+34.37 грн
500+27.91 грн
1000+24.47 грн
2000+23.29 грн
2500+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 5614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.52 грн
10+62.37 грн
100+41.29 грн
500+30.27 грн
1000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.53 грн
14+59.76 грн
100+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+89.05 грн
245+57.95 грн
329+43.14 грн
500+35.22 грн
1000+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3TL1ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V 2A 10W Pwr trnstr Low VCE
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.37 грн
10+47.95 грн
100+30.24 грн
500+25.06 грн
1000+22.44 грн
2500+20.50 грн
5000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 10W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 280MHz
Case: DPAK; TO252
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 2A
Power dissipation: 10W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 120...390
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
324+43.83 грн
337+42.07 грн
500+40.55 грн
1000+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.21 грн
5000+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+77.60 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+52.41 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574DGTL
Код товару: 129907
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574DGTLROHMDescription: ROHM - 2SCR574DGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.32 грн
500+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574DGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 2A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: CPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574DGTLRohmTRANS NPN 80V 2A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574DGTLROHMDescription: ROHM - 2SCR574DGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.45 грн
15+54.04 грн
100+36.32 грн
500+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574DGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 2A CPT3
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: CPT3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574DGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+15.72 грн
910+15.59 грн
945+15.01 грн
1000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574DGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT I2C BUS 4Kbit EEPROM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3FRATLQRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3FRATLQRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3FRATLQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT 2SCR579D3FRA is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier. It is a highly reliable product for automotive.
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.50 грн
10+67.80 грн
100+39.21 грн
500+30.72 грн
1000+28.03 грн
2500+25.06 грн
5000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3FRATLQRohm SemiconductorDescription: NPN, TO-252 (DPAK), 160V 1.5A, P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 101MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+38.81 грн
25+34.91 грн
100+28.77 грн
250+26.87 грн
500+25.72 грн
1000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3FRATLQROHMDescription: ROHM - 2SCR579D3FRATLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 101MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.83 грн
27+30.12 грн
100+29.88 грн
500+27.15 грн
1000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3FRATLQRohm SemiconductorDescription: NPN, TO-252 (DPAK), 160V 1.5A, P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 101MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3TLQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT 2SCR579D3 is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier.
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.73 грн
10+67.80 грн
100+39.21 грн
500+30.72 грн
1000+28.03 грн
2500+25.06 грн
5000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3TLQRohm SemiconductorDescription: NPN, TO-252 (DPAK), 160V 1.5A, P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 101MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3TLQROHMDescription: ROHM - 2SCR579D3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 101MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.78 грн
11+73.37 грн
100+48.65 грн
500+35.67 грн
1000+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+145.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3TLQRohm SemiconductorDescription: NPN, TO-252 (DPAK), 160V 1.5A, P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 101MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+38.81 грн
25+34.91 грн
100+28.77 грн
250+26.87 грн
500+25.72 грн
1000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 10W
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 30V 10A, Power Transistor for Automotive
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.78 грн
10+73.04 грн
100+42.32 грн
500+34.72 грн
1000+30.38 грн
2500+25.75 грн
5000+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.81 грн
11+77.72 грн
100+49.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.05 грн
10+101.48 грн
100+63.14 грн
500+44.87 грн
1000+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 30V 10A, Power Transistor
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.64 грн
10+94.47 грн
100+57.30 грн
500+45.63 грн
1000+41.83 грн
2500+37.76 грн
5000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 10A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+72.63 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.14 грн
500+44.87 грн
1000+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+77.92 грн
250+74.81 грн
500+72.10 грн
1000+67.26 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 10A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 5717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.10 грн
10+96.40 грн
100+65.31 грн
500+48.79 грн
1000+44.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 7A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.97 грн
10+154.66 грн
100+107.51 грн
500+81.97 грн
1000+75.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.58 грн
10+113.56 грн
100+79.41 грн
500+61.70 грн
1000+52.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+114.37 грн
130+109.25 грн
250+104.88 грн
500+97.48 грн
1000+87.31 грн
2500+81.34 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 7A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+65.42 грн
235+60.37 грн
256+55.42 грн
264+51.81 грн
500+46.15 грн
1000+42.65 грн
Мінімальне замовлення: 217 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.41 грн
500+61.70 грн
1000+52.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TO-252 50V 7A NPN PWR TRANS
на замовлення 4816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.18 грн
10+131.79 грн
100+78.70 грн
500+63.51 грн
1000+61.16 грн
2500+56.68 грн
5000+51.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1RohmTRANS NPN 50V 7A TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.83 грн
500+51.53 грн
1000+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.44 грн
127+112.19 грн
250+107.68 грн
500+100.09 грн
1000+89.66 грн
2500+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 7A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.10 грн
10+96.40 грн
100+65.31 грн
500+48.79 грн
1000+44.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.08 грн
10+101.48 грн
100+68.38 грн
500+51.98 грн
1000+42.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+83.78 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 50V 7A, Power Transistor
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.08 грн
10+100.03 грн
100+58.61 грн
500+47.98 грн
1000+42.52 грн
2500+40.18 грн
5000+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 7A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+132.30 грн
179+79.27 грн
246+57.64 грн
260+52.74 грн
500+45.67 грн
1000+41.20 грн
2500+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 10W TO-252(DPAK)
на замовлення 2917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.88 грн
10+121.47 грн
100+72.49 грн
500+58.33 грн
1000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 5A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.85 грн
10+110.83 грн
100+76.12 грн
500+57.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.54 грн
125+114.19 грн
250+109.61 грн
500+101.89 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 5A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+88.04 грн
169+84.10 грн
250+80.73 грн
500+75.03 грн
1000+67.21 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 5A TO-252
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 5A; 10W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 200MHz
Case: DPAK; TO252
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 5A
Power dissipation: 10W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 120...390
на замовлення 445 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+96.65 грн
10+58.42 грн
25+49.86 грн
100+39.47 грн
250+33.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.37 грн
500+41.66 грн
1000+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+88.04 грн
169+84.10 грн
250+80.73 грн
500+75.03 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.23 грн
11+79.57 грн
100+49.37 грн
500+41.66 грн
1000+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 5A TO-252
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.29 грн
10+62.67 грн
100+41.76 грн
500+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 10W Pwr trnstr Low VCE
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.56 грн
10+70.97 грн
100+40.87 грн
500+31.48 грн
1000+28.44 грн
2500+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JFRGTLLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 5A LPTL
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTL
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JFRGTLLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 40W TO-263AB
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.38 грн
10+131.79 грн
100+82.84 грн
500+66.76 грн
1000+61.30 грн
2000+57.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JFRGTLLROHMDescription: ROHM - 2SCR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.67 грн
500+71.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JFRGTLLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+94.34 грн
160+88.92 грн
184+77.23 грн
200+71.10 грн
500+65.63 грн
1000+57.83 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JFRGTLLROHMDescription: ROHM - 2SCR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.13 грн
10+132.89 грн
100+100.67 грн
500+71.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JFRGTLLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 5A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: LPTL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.80 грн
10+132.75 грн
100+91.46 грн
500+69.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JGTLLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JGTLLROHMDescription: ROHM - 2SCR586JGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.38 грн
10+132.09 грн
100+82.15 грн
500+64.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JGTLLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 5A TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-263AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.26 грн
10+122.50 грн
100+84.01 грн
500+63.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 117 128 129 130 131 132 133 134  [ Наступна Сторінка >> ]