Продукція > 2SC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 117 128 129 130 131 132 133 134  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SCR573D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+112.90 грн
200+98.78 грн
500+84.01 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 3A TO-252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.72 грн
10+93.61 грн
100+63.64 грн
500+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR573D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+88.88 грн
250+81.78 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+147.45 грн
142+99.84 грн
185+76.42 грн
500+63.15 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 50V 3A 10W TO-252(DPAK)
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 3A TO-252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+108.19 грн
202+70.09 грн
500+49.77 грн
1000+47.72 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 50V 3A 10W Pwr trnstr Low VCE
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+56.70 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.32 грн
10+60.40 грн
100+39.97 грн
500+29.31 грн
1000+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+93.70 грн
216+65.56 грн
307+46.01 грн
500+36.69 грн
1000+30.61 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+47.47 грн
310+45.56 грн
500+43.93 грн
1000+40.97 грн
2500+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 3A; 10W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 10W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 180...450
Frequency: 320MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 582 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.61 грн
10+50.04 грн
100+33.22 грн
500+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 3A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573DGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+31.65 грн
465+30.38 грн
500+29.28 грн
1000+27.32 грн
2500+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573DGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
388+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 388 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573DGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+31.65 грн
465+30.38 грн
500+29.28 грн
1000+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR574D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 10W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 280MHz
Case: DPAK; TO252
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 2A
Power dissipation: 10W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 120...390
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.72 грн
10+93.61 грн
100+63.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR574D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.24 грн
157+90.03 грн
250+86.41 грн
500+80.32 грн
1000+71.95 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V 2A 10W TO-252(DPAK)
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
324+43.63 грн
337+41.88 грн
500+40.37 грн
1000+37.66 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 10W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 280MHz
Case: DPAK; TO252
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 2A
Power dissipation: 10W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 120...390
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+77.26 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.40 грн
5000+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3TL1ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V 2A 10W Pwr trnstr Low VCE
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+36.81 грн
411+34.34 грн
413+34.22 грн
500+27.79 грн
1000+24.36 грн
2000+23.18 грн
2500+23.09 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+88.65 грн
245+57.69 грн
329+42.95 грн
500+35.06 грн
1000+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 5614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.23 грн
10+62.81 грн
100+41.58 грн
500+30.48 грн
1000+27.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574DGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT I2C BUS 4Kbit EEPROM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574DGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 2A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: CPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574DGTLRohmTRANS NPN 80V 2A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574DGTLROHMDescription: ROHM - 2SCR574DGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574DGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+15.65 грн
910+15.52 грн
945+14.94 грн
1000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574DGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 2A CPT3
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: CPT3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574DGTL
Код товару: 129907
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR574DGTLROHMDescription: ROHM - 2SCR574DGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3FRATLQRohm SemiconductorDescription: NPN, TO-252 (DPAK), 160V 1.5A, P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 101MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.09 грн
10+39.09 грн
25+35.15 грн
100+28.97 грн
250+27.05 грн
500+25.90 грн
1000+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3FRATLQROHMDescription: ROHM - 2SCR579D3FRATLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 101MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3FRATLQRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3FRATLQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT 2SCR579D3FRA is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier. It is a highly reliable product for automotive.
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3FRATLQRohm SemiconductorDescription: NPN, TO-252 (DPAK), 160V 1.5A, P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 101MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3FRATLQRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3TLQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT 2SCR579D3 is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier.
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3TLQRohm SemiconductorDescription: NPN, TO-252 (DPAK), 160V 1.5A, P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 101MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.09 грн
10+39.09 грн
25+35.15 грн
100+28.97 грн
250+27.05 грн
500+25.90 грн
1000+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3TLQRohm SemiconductorDescription: NPN, TO-252 (DPAK), 160V 1.5A, P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 101MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3TLQROHMDescription: ROHM - 2SCR579D3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 101MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 10W
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 30V 10A, Power Transistor for Automotive
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 10A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+77.58 грн
250+74.47 грн
500+71.78 грн
1000+66.96 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 30V 10A, Power Transistor
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 10A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 5717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.20 грн
10+97.08 грн
100+65.77 грн
500+49.13 грн
1000+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+72.31 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TO-252 50V 7A NPN PWR TRANS
на замовлення 4816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+65.13 грн
235+60.10 грн
256+55.18 грн
264+51.58 грн
500+45.95 грн
1000+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 217 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 7A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+113.87 грн
130+108.77 грн
250+104.41 грн
500+97.04 грн
1000+86.92 грн
2500+80.98 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 7A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.70 грн
10+155.74 грн
100+108.26 грн
500+82.55 грн
1000+76.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 7A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.20 грн
10+97.08 грн
100+65.77 грн
500+49.13 грн
1000+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+131.71 грн
179+78.91 грн
246+57.39 грн
260+52.51 грн
500+45.47 грн
1000+41.02 грн
2500+37.60 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 7A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+116.91 грн
127+111.69 грн
250+107.20 грн
500+99.65 грн
1000+89.26 грн
2500+83.16 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 50V 7A, Power Transistor
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1RohmTRANS NPN 50V 7A TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR583D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+83.41 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.01 грн
125+113.69 грн
250+109.12 грн
500+101.43 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 10W TO-252(DPAK)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 5A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.09 грн
10+111.61 грн
100+76.65 грн
500+58.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 5A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 5A TO-252
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.02 грн
10+63.11 грн
100+42.05 грн
500+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+87.64 грн
169+83.73 грн
250+80.37 грн
500+74.70 грн
1000+66.91 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 5A; 10W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 5A
Power dissipation: 10W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 120...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+105.43 грн
10+61.84 грн
100+41.84 грн
250+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 10W Pwr trnstr Low VCE
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 117 128 129 130 131 132 133 134  [ Наступна Сторінка >> ]