Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN2250UFB-7BDiodesMOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2250UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2250UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
на замовлення 17770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+14.64 грн
100+9.22 грн
500+6.42 грн
1000+5.70 грн
2000+5.10 грн
5000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN22M5UCA10-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V X4-DSN3221-10
Supplier Device Package: X4-DSN3221-10
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Power - Max: 960mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN22M5UFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN22M5UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3926 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN22M5UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 27A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3926 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 131968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+54.12 грн
100+35.72 грн
500+26.08 грн
1000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN22M5UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 18239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN22M5UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 27A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3926 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.98 грн
4000+21.29 грн
6000+20.37 грн
10000+18.14 грн
14000+17.57 грн
20000+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1314000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 153605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
10+30.19 грн
25+25.15 грн
50+20.66 грн
100+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.24 A, 0.175 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
628+18.18 грн
1000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 628 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.64 грн
9000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
943+15.01 грн
1516+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 943 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23,3K
на замовлення 11387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.24 A, 0.175 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.78A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.78A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.78A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67.62 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 468mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.40 грн
30000+6.08 грн
50000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 9687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2841+4.98 грн
3000+4.88 грн
6000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 2841 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch ENH Mode 175mOhm 4.5V 1.30A
на замовлення 27780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 127320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
18+17.06 грн
25+14.16 грн
50+11.55 грн
100+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.19 грн
30000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDiodesMOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.96A; 0.5W; X1-DFN1006-3; ESD
Case: X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 0.96A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 5274 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.39 грн
25+16.86 грн
50+11.57 грн
100+9.78 грн
500+6.82 грн
1000+5.95 грн
2000+5.26 грн
5000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 9687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1894+4.98 грн
3000+4.88 грн
6000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 1894 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.21A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67.62 pF @ 25 V
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
15+21.28 грн
100+13.49 грн
500+9.52 грн
1000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.21 A, 0.2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFD-7DiodesMOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 630000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1592+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 1592 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFD-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3,3K
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.21A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67.62 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.21 A, 0.2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1592 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.16 грн
11+29.89 грн
25+24.88 грн
50+20.43 грн
100+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300UFL4-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 2.11 A, 2.11 A, 0.151 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.151ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.39W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.151ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.39W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1447+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 1447 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.19A; Idm: 6A; 1.39W
Gate charge: 3.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.19A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: X2-DFN1310-6
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.39W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.50 грн
9000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300UFL4-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 2.11 A, 2.11 A, 0.151 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.151ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.39W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.151ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.39W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135.2pF @ 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 530mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.60 грн
6000+8.44 грн
9000+8.03 грн
15000+7.10 грн
21000+6.85 грн
30000+6.60 грн
75000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1310-6 T&R 3K
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2310U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 8553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.21 грн
6000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2310U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 8553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
42+7.25 грн
100+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]