Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN2215UDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT26
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 650mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230U
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.6W
на замовлення 735 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
35+12.89 грн
45+9.64 грн
100+8.56 грн
500+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230U-7Diodes IncorporatedMOSFET 600mW 20Vdss
на замовлення 5368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230U-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 20V 2A 110mΩ 600mW DMN2230U-7 Diodes TDMN2230u
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 681000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 444000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.00 грн
6000+7.89 грн
9000+7.50 грн
15000+6.62 грн
21000+6.38 грн
30000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2230UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.081ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.40 грн
500+12.19 грн
1500+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7DiodesMOSFET N-CH 20V 2A SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2230UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.81 грн
50+26.82 грн
100+17.15 грн
500+11.97 грн
1500+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW
на замовлення 10740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.73 грн
14+23.82 грн
100+13.25 грн
500+9.94 грн
1000+8.91 грн
3000+6.97 грн
6000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 445989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.38 грн
13+23.71 грн
100+15.12 грн
500+10.69 грн
1000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7DIODES/ZETEXTranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 230mOhm; 2A; 600mW; -55°C ~ 150°C; DMN2230UQ-13; DMN2230UQ-7 Diodes TDMN2230uq
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 846 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2250UFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs N-CH MOSFET 20V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.54 грн
16+20.96 грн
100+11.53 грн
500+7.73 грн
1000+7.46 грн
2500+6.56 грн
5000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2250UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2250UFB-7BDiodesMOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2250UFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.35A 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2250UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
на замовлення 17770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
21+14.51 грн
100+9.13 грн
500+6.36 грн
1000+5.65 грн
2000+5.05 грн
5000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN22M5UCA10-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V X4-DSN3221-10
Supplier Device Package: X4-DSN3221-10
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Power - Max: 960mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN22M5UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3926 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN22M5UFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN22M5UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 27A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3926 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 131968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.54 грн
10+53.62 грн
100+35.39 грн
500+25.84 грн
1000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN22M5UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 18239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.62 грн
10+57.64 грн
100+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN22M5UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 27A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3926 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.76 грн
4000+21.09 грн
6000+20.18 грн
10000+17.98 грн
14000+17.41 грн
20000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23,3K
на замовлення 11387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.73 грн
18+18.18 грн
100+14.15 грн
500+10.70 грн
1000+9.53 грн
3000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
943+15.04 грн
1516+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 943 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.24 A, 0.175 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.26 грн
35+23.60 грн
100+18.20 грн
500+12.79 грн
1000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.38 грн
13+23.93 грн
100+15.32 грн
500+10.86 грн
1000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1314000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.24 A, 0.175 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.20 грн
500+12.79 грн
1000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
628+18.22 грн
1000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 628 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.78A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67.62 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 468mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.34 грн
30000+6.03 грн
50000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.78A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.78A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDiodesMOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch ENH Mode 175mOhm 4.5V 1.30A
на замовлення 27780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.61 грн
21+15.40 грн
100+8.42 грн
500+6.21 грн
1000+4.90 грн
2500+4.83 грн
5000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 687817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
21+14.51 грн
100+9.13 грн
500+6.36 грн
1000+5.65 грн
2000+5.05 грн
5000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 9687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1894+4.99 грн
3000+4.90 грн
6000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 1894 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 9687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2841+4.99 грн
3000+4.90 грн
6000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 2841 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.88 грн
250+11.36 грн
1000+6.21 грн
5000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 670000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.28 грн
20000+3.77 грн
30000+3.59 грн
50000+3.18 грн
70000+3.07 грн
100000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.48 грн
50+17.88 грн
250+11.36 грн
1000+6.21 грн
5000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1592+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 1592 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.21 A, 0.2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.81 грн
33+24.65 грн
100+12.56 грн
500+8.97 грн
1000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1592 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.21A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67.62 pF @ 25 V
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
15+21.09 грн
100+13.36 грн
500+9.43 грн
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFD-7DiodesMOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.21 A, 0.2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.56 грн
500+8.97 грн
1000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFD-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3,3K
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.44 грн
16+20.24 грн
100+11.80 грн
500+9.11 грн
1000+8.28 грн
3000+6.28 грн
6000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1.21A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67.62 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 630000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1447+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 1447 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300UFL4-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 2.11 A, 2.11 A, 0.151 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.151ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.39W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.151ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.39W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.95 грн
500+12.27 грн
1000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.46 грн
12+26.60 грн
100+11.25 грн
500+11.18 грн
1000+10.08 грн
3000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 154706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.71 грн
12+25.43 грн
100+16.28 грн
500+11.57 грн
1000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2300UFL4-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 2.11 A, 2.11 A, 0.151 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.151ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.39W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.151ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.39W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.12 грн
26+32.05 грн
100+15.95 грн
500+12.27 грн
1000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.49 грн
6000+8.35 грн
9000+7.94 грн
15000+7.03 грн
21000+6.77 грн
30000+6.53 грн
75000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]