Продукція > FDC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDC6303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 114783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.58 грн
6000+14.13 грн
9000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 34991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.52 грн
10+31.40 грн
50+22.96 грн
100+18.98 грн
500+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.43 грн
6000+13.98 грн
9000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 114783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
492+28.77 грн
1000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 492 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.31 грн
6000+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303NonsemiMOSFETs SSOT-6 N-CH 25V
на замовлення 14857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.42 грн
6000+13.97 грн
9000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303NONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.3nC
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.77 грн
17+25.49 грн
50+20.55 грн
100+18.62 грн
500+14.42 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N/303FAIR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N_Qonsemi / FairchildMOSFET SSOT-6 N-CH 25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6304PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.46A SSOT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6304PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.46A SSOT6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 75695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
889+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6304PON Semiconductor / FairchildMOSFET SSOT-6 P-CH -25V
на замовлення 11432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 76937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1523+23.23 грн
Мінімальне замовлення: 1523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6304P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.91 грн
6000+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.99 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.00 грн
6000+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.92 грн
6000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+39.72 грн
1000+29.13 грн
3000+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NonsemiMOSFETs SSOT-6 N-CH 20V
на замовлення 33949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5nC
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.22 грн
10+44.78 грн
11+38.16 грн
50+25.91 грн
100+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.16 грн
25+63.87 грн
100+61.31 грн
250+56.51 грн
500+54.00 грн
1000+53.75 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 7462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+39.40 грн
50+29.00 грн
100+24.04 грн
500+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.40 грн
27+28.59 грн
100+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+66.99 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+63.87 грн
223+63.58 грн
250+63.29 грн
500+60.75 грн
1000+55.98 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N/305FAIR
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306PonsemiMOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 17551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306PONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -1.9A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.9A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.74 грн
6000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.04 грн
6000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.94 грн
6000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 26158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.92 грн
6000+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 6034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+39.02 грн
50+28.71 грн
100+23.80 грн
500+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+39.71 грн
1000+30.70 грн
3000+25.33 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 26158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6308PFAIRCHILDFDC6308P
на замовлення 3906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.40 грн
500+71.46 грн
1000+65.91 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6308P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 25002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6308PFAIRCHILDFDC6308P
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.40 грн
500+71.46 грн
1000+65.91 грн
10000+56.65 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6308PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.7A SSOT6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 28908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+61.95 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6308PFAIRCHILDFDC6308P
на замовлення 10502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.40 грн
500+71.46 грн
1000+65.91 грн
10000+56.65 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6308P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC630CONSEMIDescription: ONSEMI - FDC630C - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC630CON SemiconductorFDC630C
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2738+12.92 грн
10000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 2738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC630CFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2664+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 2664 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.13 грн
22+35.08 грн
100+24.23 грн
500+22.05 грн
1000+19.94 грн
3000+18.08 грн
6000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 4312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.33 грн
10+42.65 грн
50+31.44 грн
100+26.10 грн
500+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1349+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 1349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
549+25.80 грн
621+22.78 грн
628+22.55 грн
685+19.92 грн
1000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 549 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PonsemiMOSFETs Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench
на замовлення 3936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.48 грн
6000+17.50 грн
12000+17.32 грн
18000+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.2A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1349+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 1349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PONS/FAI2 P-Channel (Dual), 20V, 2.2A, SSOT-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.46 грн
6000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312POn SemiconductorMOSFET SSOT-6 P-CH DUAL Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312PONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.19 грн
8+56.52 грн
10+48.89 грн
50+35.06 грн
100+30.78 грн
500+23.57 грн
1000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.87 грн
10+50.80 грн
50+37.62 грн
100+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.45 грн
6000+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+28.43 грн
500+28.31 грн
540+26.19 грн
546+25.00 грн
578+21.88 грн
1000+20.87 грн
3000+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312PonsemiMOSFETs SSOT-6 P-CH DUAL
на замовлення 28187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312PNLFAIRCHILD
на замовлення 3788 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1998+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 1998 шт
В кошику  од. на суму  грн.