Продукція > FDD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDD6035AL_NLonsemi / FairchildMOSFET N-Channel, Logic Level, PowerTrench® MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6035AL_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6035AL_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6035ARFAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD603ALFAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6296onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6296onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench Fast Switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/50A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
644+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 644 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6296FSC09+
на замовлення 51657 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6296onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6296onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/50A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
на замовлення 24388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
644+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 644 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6296_NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6504PFAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6512Afairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6512AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK
на замовлення 516130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6512Aonsemi / FairchildMOSFET 20V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6512A_NLonsemi / FairchildMOSFET 20V NCH POWER TRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6530FAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6530Aonsemi / FairchildMOSFET 20V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6530AonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 21A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6530AONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6530A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 21 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6530Afairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6530A
Код товару: 180699
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6530AONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6530A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 21 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 21
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 33
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 900
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6530AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 21A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6530AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+77.83 грн
505+70.05 грн
1000+64.59 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6530A_NLonsemi / FairchildMOSFET 20V/8V, 32/47MO, NCH, SINGLE, DPAK, 240A GOX, PTI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6530A_Qonsemi / FairchildMOSFET 20V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6530A_Tonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6606FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6606Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6606onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6606ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6606 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 214667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
465+58.52 грн
Мінімальне замовлення: 465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6606Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
на замовлення 214667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
419+53.64 грн
Мінімальне замовлення: 419 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6606_Qonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612FAIRCHILDTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A DPAK
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+62.40 грн
1000+57.55 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 56989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+62.40 грн
1000+57.55 грн
10000+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+62.40 грн
1000+57.55 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+62.40 грн
1000+57.55 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+62.40 грн
1000+57.55 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+62.40 грн
1000+57.55 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+62.40 грн
1000+57.55 грн
10000+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+62.40 грн
1000+57.55 грн
10000+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 262679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
598+37.09 грн
Мінімальне замовлення: 598 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612Aonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+62.40 грн
1000+57.55 грн
10000+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+62.40 грн
1000+57.55 грн
10000+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 31856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+62.40 грн
1000+57.55 грн
10000+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+62.40 грн
1000+57.55 грн
10000+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612A..ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6612A.. - N CHANNEL MOSFET, 30V, 30A, TO-252
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 36
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612A_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6630AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6630AON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
на замовлення 4207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6630AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.93 грн
25+54.39 грн
100+38.61 грн
250+35.39 грн
500+28.75 грн
1000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6630AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6630Afairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6630AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 28W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6632ONS/FAIPower MOSFET, N Channel, 30 V, 9 A, 0.058 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6632fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6632Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
на замовлення 17099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 2049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6635onsemiDescription: MOSFET N-CH 35V 15A/59A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6635onsemi / FairchildMOSFET 35V N-Ch PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6635ONS/FAITrans MOSFET N-CH 35V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK, TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6635onsemiMOSFETs 35V N-Ch PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6635ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 35V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+95.75 грн
500+86.18 грн
1000+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637onsemiMOSFETs 35V PCH PowerTrench MOSFET
на замовлення 2707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
на замовлення 7124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.57 грн
50+104.04 грн
100+72.26 грн
500+66.19 грн
1000+59.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Drain current: -55A
Drain-source voltage: -35V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+139.09 грн
5+101.48 грн
10+89.74 грн
50+65.41 грн
100+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637
Код товару: 86650
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-252
Напруга сток-витік Uds, V: 35 V
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,018 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 2370/45
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.50 грн
10+19.00 грн
100+17.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637ONS/FAIMOSFET P-CH 35V 13A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637onsemiDescription: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.55 грн
10+96.69 грн
100+65.61 грн
500+49.09 грн
1000+45.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+87.24 грн
250+72.03 грн
500+69.54 грн
1000+64.23 грн
2500+51.51 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637UMWDescription: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+45.29 грн
100+29.59 грн
500+21.44 грн
1000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.06 грн
11+75.05 грн
25+74.30 грн
100+64.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637onsemiDescription: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
на замовлення 7124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.26 грн
500+66.19 грн
1000+59.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+75.05 грн
191+74.30 грн
213+66.54 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637UMWDescription: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.02 грн
5000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET Trans MOS P-Ch 35V 13A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 35V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 35V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637-SB82222onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6637. - P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 35
Dauer-Drainstrom Id: 13
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 57
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 57
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097
SVHC: Lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6644FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6644F054FAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6644F40FAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6644SFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670FAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+55.60 грн
257+55.05 грн
260+54.49 грн
291+43.46 грн
500+37.72 грн
1000+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.36 грн
10+72.23 грн
100+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670AUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 66A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+40.31 грн
100+26.30 грн
500+19.03 грн
1000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.24 грн
14+55.60 грн
25+55.05 грн
50+52.54 грн
100+43.54 грн
250+41.72 грн
500+37.72 грн
1000+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670AUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 66A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670Aonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
на замовлення 8347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670AONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6670A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.30 грн
11+78.44 грн
100+55.84 грн
500+36.53 грн
1000+30.31 грн
5000+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]