Продукція > FDD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDD5N50UTF_WSonsemi / FairchildMOSFET UniFET 500V 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50UTMFairchild SemiconductorDescription: 3A, 500V, 2OHM, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50UTM-WSonsemi / FairchildMOSFET UniFET 500V 3A
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50UTM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50UTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N53TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDD5N53TM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 844 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N53TMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 530 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N53TM_WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 530V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 530 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZonsemi UF2 600V 2.0OHM DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+67.98 грн
500+61.18 грн
1000+56.42 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 23213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.46 грн
10+81.06 грн
50+61.03 грн
100+51.19 грн
500+40.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 2Ω
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.4A
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.35 грн
5+88.73 грн
10+74.98 грн
25+60.05 грн
50+51.58 грн
100+45.29 грн
250+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM
Код товару: 163415
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTMONSEMIDescription: ONSEMI - FDD5N60NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.65ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 3953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTMonsemiMOSFETs N-Channel 600V 4A
на замовлення 4732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.46 грн
5000+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTMONSEMIDescription: ONSEMI - FDD5N60NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 3953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTMonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel 600V 4A
на замовлення 8134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6030FAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6030-NL
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 31050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+140.26 грн
1000+129.65 грн
10000+111.02 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 34266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+140.26 грн
1000+129.65 грн
10000+111.02 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6030BLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+140.26 грн
1000+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6030BLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 15 V
на замовлення 71201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+113.36 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6030BLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+140.26 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6030BLONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6030BL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 71201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6030BL_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench® MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6030LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+116.87 грн
500+105.18 грн
1000+97.01 грн
10000+83.40 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6030LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+116.87 грн
500+105.18 грн
1000+97.01 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6030LFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 636845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+85.19 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6030LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+116.87 грн
500+105.18 грн
1000+97.01 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6030LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 580910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+116.87 грн
500+105.18 грн
1000+97.01 грн
10000+83.40 грн
100000+64.70 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6030LON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Channel Power Trench
на замовлення 4703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6030LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+116.87 грн
500+105.18 грн
1000+97.01 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6030LonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6030L-NLFairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6030L-QF080
на замовлення 52673 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6030L_NF080
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6035
на замовлення 87090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6035ALonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6035ALFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 152926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6035ALONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6035AL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 152926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 697 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6035AL_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6035AL_NLonsemi / FairchildMOSFET N-Channel, Logic Level, PowerTrench® MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6035AL_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6035ARFAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD603ALFAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6296onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6296onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench Fast Switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/50A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
644+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 644 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6296onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6296onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/50A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
на замовлення 24388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
644+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 644 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6296_NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6504PFAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6512AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK
на замовлення 516130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6512Aonsemi / FairchildMOSFET 20V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6512A_NLonsemi / FairchildMOSFET 20V NCH POWER TRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6530FAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6530AonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 21A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6530AONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6530A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 21 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 21
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 33
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 900
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6530AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+77.83 грн
505+70.05 грн
1000+64.59 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6530AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 21A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6530AONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6530A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 21 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6530A
Код товару: 180699
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6530Aonsemi / FairchildMOSFET 20V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6530A_NLonsemi / FairchildMOSFET 20V/8V, 32/47MO, NCH, SINGLE, DPAK, 240A GOX, PTI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6530A_Qonsemi / FairchildMOSFET 20V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6530A_Tonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6606Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6606ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6606 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 214667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6606onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6606Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
на замовлення 214667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
419+53.64 грн
Мінімальне замовлення: 419 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6606_Qonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612FAIRCHILDTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 31856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+62.40 грн
1000+57.55 грн
10000+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+62.40 грн
1000+57.55 грн
10000+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+62.40 грн
1000+57.55 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 56989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+62.40 грн
1000+57.55 грн
10000+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+62.40 грн
1000+57.55 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612Aonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+62.40 грн
1000+57.55 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+62.40 грн
1000+57.55 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 262679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
598+37.09 грн
Мінімальне замовлення: 598 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+62.40 грн
1000+57.55 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+62.40 грн
1000+57.55 грн
10000+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+62.40 грн
1000+57.55 грн
10000+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+62.40 грн
1000+57.55 грн
10000+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+62.40 грн
1000+57.55 грн
10000+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612A..ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6612A.. - N CHANNEL MOSFET, 30V, 30A, TO-252
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 36
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6612A_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6630AON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
на замовлення 4207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6630AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6630AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.93 грн
25+54.39 грн
100+38.61 грн
250+35.39 грн
500+28.75 грн
1000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.