Продукція > IPD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPD25DP06LMATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD25DP06LMATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | на замовлення 2377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD25DP06NMATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V | на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD25DP06NMATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET > 60-80V | на замовлення 1986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD25DP06NMATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD25N06S2-40 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 55V 29A DPAK-2 OptiMOS | на замовлення 2546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD25N06S2-40 | INFINEON | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPD25N06S2-40ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IPD25N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD25N06S240ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD25N06S240ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 29A TO252-31 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD25N06S240ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 29A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD25N06S240ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_)40V 60V) | на замовлення 1948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD25N06S4L-30ATMA2 | Infineon Technologies | Description: IPD25N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD25N06S4L30ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD25N06S4L30ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD25N06S4L30ATMA2 | Infineon | MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD25N06S4L30ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 11189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD25N06S4L30ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD25N06S4L30ATMA2 Код товару: 209229
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPD25N06S4L30ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 36407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD25N06S4L30ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD25N06S4L30ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET | на замовлення 23707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD25N06S4L30ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 160304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD25N06S4L30ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD25N06S4L30ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD25N06S4L30ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD25N06S4L30ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD25N06S4L30ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD25N06S4L30ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 17A; Idm: 92A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17A Pulsed drain current: 92A Power dissipation: 29W Case: PG-TO252-3-11 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS® -T2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD26N06S2L-35 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 55V 30A DPAK-2 OptiMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD26N06S2L35ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD26N06S2L35ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 621 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD26N06S2L35ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD26N06S2L35ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 621 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD26N06S2L35ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_)40V 60V) | на замовлення 4630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD26N06S2L35ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 22A; Idm: 120A; 68W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 22A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 68W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD26N06S2L35ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD26N06S2L35ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 621 pF @ 25 V | на замовлення 1102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD26N06S2L35ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD26N06S2L35ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 6352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD2N08L50 | infineon | 04+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD3012-760 | Inventus Power | Desktop AC Adapters 30 WATT DESKTOP POWER SUPPLY 12V 2.5A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD3012-760 | Inventus Power | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 12V 30W Power (Watts): 30 W Part Status: Active No Load Power Consumption: 100mW (Max) Region Utilized: North America Input Connector: IEC 320-C6 Current - Output (Max): 2.5A Efficiency: Level VI Form: Desktop (Class I) Approval Agency: CE, cTUVus Input Type: Cord (Sold Separately) Applications: ITE (Commercial) Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Cord Length: 48" (1.22m) Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm Polarization: Positive Center Voltage - Output: 12V Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm) Packaging: Box | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD3012-760S | Inventus Power | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 12V 30W Packaging: Box Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm) Voltage - Output: 12V Polarization: Positive Center Output Connector: Barrel Plug, 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC Cord Length: 48" (1.22m) Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Applications: ITE (Commercial) Input Type: Cord (Sold Separately) Approval Agency: CE, cTUVus Form: Desktop (Class I) Efficiency: Level VI Current - Output (Max): 2.5A Input Connector: IEC 320-C6 Region Utilized: North America No Load Power Consumption: 100mW (Max) Part Status: Active Power (Watts): 30 W | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD3015-760 | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 15V 2A 30W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD3015-760 | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 15V 2A 30W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD3015-760 | Inventus Power | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 15V 30W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD3015-760 | Inventus Power | Desktop AC Adapters 30W 15V 2A Class I / Level VI | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD3018-760 | Inventus Power | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 18V 30W Packaging: Box Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm) Voltage - Output: 18V Polarization: Positive Center Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC Cord Length: 48" (1.22m) Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Applications: ITE (Commercial) Input Type: Cord (Sold Separately) Approval Agency: CE, cTUVus Form: Desktop (Class I) Efficiency: Level VI Current - Output (Max): 1.7A Input Connector: IEC 320-C6 Region Utilized: North America No Load Power Consumption: 100mW (Max) Part Status: Active Power (Watts): 30 W | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD3018-760 | Inventus Power | Desktop AC Adapters 30 WATT DESKTOP POWER SUPPLY 18V 1.7A 5.5 x 2.1 barrel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD3018-760S | Inventus Power | Desktop AC Adapters 30W 18V 1.7A 2.1x5.5 connector | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD3019-760 | Inventus Power | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 19V 30W Power (Watts): 30 W Part Status: Active No Load Power Consumption: 100mW (Max) Region Utilized: North America Input Connector: IEC 320-C6 Current - Output (Max): 1.6A Efficiency: Level VI Form: Desktop (Class I) Approval Agency: CE, cTUVus Input Type: Cord (Sold Separately) Applications: ITE (Commercial) Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Cord Length: 48" (1.22m) Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm Polarization: Positive Center Voltage - Output: 19V Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm) Packaging: Box | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD3019-760S | Inventus Power | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 19V Packaging: Box Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm) Voltage - Output: 19V Polarization: Positive Center Output Connector: Barrel Plug, 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC Cord Length: 48" (1.22m) Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Applications: ITE (Commercial) Input Type: Cord (Sold Separately) Approval Agency: CE, cTUVus Form: Desktop (Class I) Efficiency: Level VI Current - Output (Max): 1.6A Input Connector: IEC 320-C6 Region Utilized: North America No Load Power Consumption: 100mW (Max) Part Status: Active | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD3024-760 | Inventus Power | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 30W Power (Watts): 30 W Part Status: Active No Load Power Consumption: 100mW (Max) Region Utilized: North America Input Connector: IEC 320-C6 Current - Output (Max): 1.25A Efficiency: Level VI Form: Desktop (Class I) Approval Agency: CE, cTUVus Input Type: Cord (Sold Separately) Applications: ITE (Commercial) Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Cord Length: 48" (1.22m) Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm Polarization: Positive Center Voltage - Output: 24V Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm) Packaging: Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD3024-760S | Inventus Power | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 30W Packaging: Box Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm) Voltage - Output: 24V Polarization: Positive Center Output Connector: Barrel Plug, 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC Cord Length: 48" (1.22m) Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Applications: ITE (Commercial) Input Type: Cord (Sold Separately) Approval Agency: CE, cTUVus Form: Desktop (Class I) Efficiency: Level VI Current - Output (Max): 1.25A Input Connector: IEC 320-C6 Region Utilized: North America No Load Power Consumption: 100mW (Max) Part Status: Active Power (Watts): 30 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD30N03S2L-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD30N03S2L-10 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD30N03S2L-20 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD30N03S2L07ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD30N03S2L07ATMA1 | Rochester Electronics, LLC | Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 866 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD30N03S2L10ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD30N03S2L10ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD30N03S2L20ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD30N03S2L20ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S2L20ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD30N03S2L20ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS | на замовлення 3025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S2L20ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S2L20ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD30N03S2L20ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S2L20ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V | на замовлення 283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S2L20ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD30N03S2L20ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L-09 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2 | на замовлення 3513 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L-14 | INF | 07+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L-14 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2 | на замовлення 8732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L09ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L09ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L09ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 6873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L09ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD30N03S4L09ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L09ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L09ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD30N03S4L09ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L09ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L09ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L09ATMA1 Код товару: 202239
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPD30N03S4L09ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 6873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L14ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L14ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 287500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L14ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L14ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L14ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L14ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L14ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD30N03S4L14ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0112 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 39876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L14ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L14ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L14ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L14ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L14ATMA1 | Infineon | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPD30N03S4L14ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD30N03S4L14ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0112 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 39876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L14ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L14ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 13064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPD30N03S4L14ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD30N06S2-15 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPD30N06S2-15 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

