Продукція > IPD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD14N06S2-80Infineon TechnologiesDescription: IPD14N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S280ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S280ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.84 грн
10+57.36 грн
100+37.90 грн
500+27.70 грн
1000+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S280ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD14N06S280ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 47W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S280ATMA2InfineonТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S280ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD14N06S280ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S280ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S280ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S280ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.64 грн
23+33.33 грн
25+31.18 грн
50+29.76 грн
100+26.22 грн
250+24.63 грн
500+22.13 грн
1000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S280ATMA2
Код товару: 154372
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N03Linfineon04+
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L-64Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 19A DPAK-2 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L-64INFINEON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64INFINEON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.27 грн
13+59.56 грн
25+49.61 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD15N06S2L64ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 15885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+58.72 грн
50+43.70 грн
100+36.45 грн
500+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2
Код товару: 122996
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 19A; 47W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 19A
Power dissipation: 47W
Case: DPAK3
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD15N06S2L64ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 15885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 3117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD160N04LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD160N04LGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD16CN10N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD16CN10NGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD16CNE8N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD16CNE8NGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD170N04NGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10NInfineon
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GInfineon technologies
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 6376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.91 грн
10+82.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+145.83 грн
173+81.83 грн
197+71.93 грн
500+55.27 грн
1000+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.71 грн
10000+50.90 грн
15000+47.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.55 грн
10+78.42 грн
50+58.90 грн
100+49.36 грн
500+38.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.83 грн
10+81.83 грн
100+71.93 грн
500+55.27 грн
1000+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GBTMA1
Код товару: 144724
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 43A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
440+80.37 грн
500+72.33 грн
1000+66.71 грн
10000+57.35 грн
Мінімальне замовлення: 440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 13.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.87 грн
10+87.10 грн
50+65.70 грн
100+55.14 грн
500+43.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
440+80.37 грн
500+72.33 грн
1000+66.71 грн
Мінімальне замовлення: 440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
440+80.37 грн
500+72.33 грн
1000+66.71 грн
Мінімальне замовлення: 440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1403ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.85 грн
10+115.96 грн
100+81.68 грн
500+64.11 грн
1000+50.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+168.85 грн
122+115.96 грн
174+81.68 грн
500+64.11 грн
1000+50.45 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 13.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD1928497938-EF01TE ConnectivityDescription: DT PLUG 2WAY EF01-SEAL MARKING 8
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+180.28 грн
403+160.01 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD1928497939-EF01TE ConnectivityDescription: DT PLUG 2WAY EF01-SEAL MARKING 3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1321.51 грн
45+1172.18 грн
300+1126.14 грн
800+1013.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD1928497941-EF01TE ConnectivityDescription: DT PLUG 3WAY EF01-SEAL MARKING 2
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+208.49 грн
324+184.17 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.19 грн
146+96.88 грн
174+81.56 грн
200+74.33 грн
500+68.61 грн
1000+58.39 грн
2000+54.96 грн
2500+54.76 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD19DP10NMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD19DP10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.7 A, 0.1479 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1479ohm
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 13.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.46 грн
10+81.29 грн
100+54.62 грн
500+40.53 грн
1000+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD19DP10NMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD19DP10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.7 A, 0.1479 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1479ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1479ohm
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 13.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 4454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3 GInfineon
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 150V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+208.90 грн
71+200.94 грн
100+194.12 грн
250+181.51 грн
500+163.49 грн
1000+153.11 грн
2500+149.74 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+99.82 грн
5000+98.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+99.82 грн
5000+98.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 32315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+271.06 грн
10+226.18 грн
25+212.79 грн
100+170.81 грн
250+148.54 грн
500+124.25 грн
1000+97.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 22370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.12 грн
10+135.41 грн
50+103.80 грн
100+87.84 грн
500+71.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+271.06 грн
63+226.18 грн
67+212.79 грн
100+170.81 грн
250+148.54 грн
500+124.25 грн
1000+97.94 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; Idm: 200A; 150W
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+284.92 грн
56+254.87 грн
100+233.23 грн
200+222.58 грн
500+183.55 грн
1000+161.78 грн
2000+147.36 грн
2500+145.29 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 32315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.21 грн
7500+63.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 6859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 150V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD2012-760Inventus PowerDesktop AC Adapters The factory is currently not accepting orders for this product.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD2012-760Inventus PowerDescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 12V 19W
Packaging: Box
Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm)
Voltage - Output: 12V
Polarization: Positive Center
Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Cord Length: 48" (1.22m)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CB, CE, cTUVus
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 1.6A
Input Connector: IEC 320-C6
Region Utilized: North America
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 19 W
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1120.85 грн
5+992.54 грн
20+923.40 грн
40+835.84 грн
60+818.36 грн
100+796.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD2012-760SInventus PowerDescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 12V 19W
Packaging: Box
Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm)
Voltage - Output: 12V
Polarization: Positive Center
Output Connector: Barrel Plug, 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Cord Length: 48" (1.22m)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, cTUVus
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 1.6A
Input Connector: IEC 320-C6
Region Utilized: North America
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 19 W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1319.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD2024-760Inventus PowerPlug-In Adapter Single-OUT 24V 0.8A 20W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD2024-760Inventus PowerDescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 19W
Packaging: Box
Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm)
Voltage - Output: 24V
Polarization: Positive Center
Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Cord Length: 48" (1.22m)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CB, CE, cTUVus
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 800mA
Input Connector: IEC 320-C6
Region Utilized: North America
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 19 W
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1205.51 грн
5+1067.27 грн
20+992.96 грн
40+898.77 грн
60+879.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD2024-760SInventus PowerDescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 19W
Packaging: Box
Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm)
Voltage - Output: 24V
Polarization: Positive Center
Output Connector: Barrel Plug, 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Cord Length: 48" (1.22m)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, cTUVus
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 800mA
Input Connector: IEC 320-C6
Region Utilized: North America
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 19 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1258.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.