Продукція > NVM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVMFS5C604NWFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 60V 287A 12MO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C604NWFT1GonsemiDescription: NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+310.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLonsemiMOSFETs NFET SO8FL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+278.72 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C612NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.00136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00136ohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLAFT1GonsemiDescription: NFET SO8FL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+359.58 грн
10+229.97 грн
50+179.88 грн
100+153.69 грн
500+135.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLAFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 60V
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+272.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C612NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.00136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00136ohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLAFT1GonsemiDescription: NFET SO8FL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLAFT1GonsemiDescription: NFET SO8FL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLAFT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLAFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 152895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+214.99 грн
500+204.36 грн
1000+192.54 грн
10000+175.42 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1122000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+146.65 грн
3000+132.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1122000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.25 грн
10+229.37 грн
100+185.54 грн
500+154.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive 5-Pin DFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLWFAFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 60V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLWFAFT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NT1GonsemiDescription: NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.87 грн
10+250.09 грн
50+196.26 грн
100+167.94 грн
500+151.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 225A, 1.65mohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NT1GonsemiDescription: NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+136.68 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 34A/225A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C612NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.00135 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NWFT1GonsemiMOSFETs 60V 225A 1.65mOhms
на замовлення 6811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 34A/225A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.03 грн
10+241.19 грн
100+179.64 грн
500+153.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C612NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.00135 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NonsemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLAFT1GonsemiMOSFETs TRENCH 6 60V NFET
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.38 грн
10+172.46 грн
100+120.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLAFT1G-YEonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 60
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.33 грн
10+95.88 грн
100+65.30 грн
500+49.01 грн
1000+45.07 грн
2000+41.75 грн
5000+38.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLAFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLAFT3GonsemiMOSFET TRENCH 6 60V NFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLET1GonsemiDescription: TRENCH 6 60V NFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.32 грн
10+99.92 грн
50+75.73 грн
100+63.73 грн
500+50.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLET1GonsemiDescription: TRENCH 6 60V NFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLET1GonsemiMOSFETs TRENCH 6 60V NFET
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLET1G-YEonsemiDescription: TRENCH 6 60V NFET
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.98 грн
10+103.21 грн
50+78.29 грн
100+65.93 грн
500+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLET1G-YEonsemiMOSFETs TRENCH 6 60V NFET
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLET1G-YEonsemiDescription: TRENCH 6 60V NFET
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.41 грн
3000+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C628NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLT1GonsemiMOSFETs TRENCH 6 60V NFET
на замовлення 21956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C628NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.54 грн
10+147.78 грн
100+103.25 грн
500+79.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLT3GON SemiconductorMOSFET TRENCH 6 60V NFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLWFAFT1GonsemiMOSFETs TRENCH 6 60V NFET
на замовлення 12191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.84 грн
10+161.91 грн
100+113.14 грн
500+86.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+79.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLWFAFT3GonsemiMOSFET TRENCH 6 60V NFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLWFT1GON SemiconductorMOSFET TRENCH 6 60V NFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLWFT3GON SemiconductorMOSFET TRENCH 6 60V NFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C628NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.02 грн
10+180.09 грн
100+126.60 грн
500+99.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG
на замовлення 12300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C628NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+90.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NWFT1GonsemiMOSFETs 60 V 3.0 mOhms 150 A
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C628NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.84 грн
10+161.91 грн
100+113.14 грн
500+86.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C628NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLonsemiMOSFETs 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C638NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 133 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 133A; Idm: 811A; 50W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 133A
Pulsed drain current: 811A
Power dissipation: 50W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+217.46 грн
10+131.29 грн
100+93.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1GonsemiMOSFETs 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C638NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 133 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.