Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFIBC20GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC20GPBFVishay DaleTO220AB (аналог 2SK2761) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC20GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 1.7A N-CH
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.43 грн
10+127.68 грн
100+100.55 грн
500+81.70 грн
1000+76.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC20GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.1A; 30W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC20GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.61 грн
50+143.12 грн
100+117.77 грн
500+93.51 грн
1000+79.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GVishayN-MOSFET 600V 2.5A 35W IRFIBC30G Vishay TIRFIBC30g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+48.88 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30G
Код товару: 125659
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFIBC30GPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 434 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.33 грн
6+77.33 грн
10+68.08 грн
50+61.36 грн
250+60.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBF
Код товару: 127485
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+104.34 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+131.08 грн
250+124.03 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.29 грн
10+179.07 грн
25+110.33 грн
100+101.95 грн
250+100.55 грн
500+91.47 грн
1000+90.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.78 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.54 грн
50+109.82 грн
100+94.13 грн
500+86.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+194.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.40 грн
16+50.02 грн
100+47.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+50.02 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GVishayN-MOSFET 600V 3.5A 40W IRFIBC40G Vishay TIRFIBC40g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+64.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40G
Код товару: 83096
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+42.50 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GLC
на замовлення 11750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GLCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GLCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GLCPBFVishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+247.99 грн
83+172.40 грн
100+157.43 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.59 грн
25+155.79 грн
100+118.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+251.46 грн
10+174.81 грн
100+159.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFIBC40GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.53 грн
10+176.78 грн
100+160.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE20IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE20GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE20GPBFVISHAY
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE20GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.02 грн
10+163.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE20GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 800V 1.4A N-CH MOSFET
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.91 грн
10+126.88 грн
100+83.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30G
Код товару: 37892
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 2,1 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+39.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GVishayN-MOSFET 800V 2.1A 35W IRFIBE30G Vishay TIRFIBE30g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+65.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30G-103IRTO-220F
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30G-LF33(94-5741)
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 800V 2.1A N-CH MOSFET
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+290.83 грн
10+146.95 грн
100+106.14 грн
500+96.36 грн
1000+88.68 грн
2000+87.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.62 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.14 грн
8+96.30 грн
50+75.06 грн
100+71.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBFTO220-ISO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+168.02 грн
90+158.76 грн
100+153.47 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+134.21 грн
107+132.88 грн
108+131.55 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFIBE30GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.24 грн
10+146.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+121.85 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+591.82 грн
50+306.53 грн
100+278.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.41 грн
4+125.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+126.02 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.50 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+96.30 грн
189+75.06 грн
191+74.31 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFIBF20GPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+109.98 грн
131+108.88 грн
133+106.84 грн
134+102.45 грн
500+93.63 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+106.02 грн
136+104.96 грн
137+104.06 грн
145+94.29 грн
500+77.41 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 900V 1.2A N-CH MOSFET
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.72 грн
10+141.33 грн
100+111.03 грн
500+91.47 грн
1000+87.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 0.79A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 0.79A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+155.69 грн
10+135.32 грн
25+129.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.54 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.49 грн
110+129.07 грн
500+104.15 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+159.60 грн
100+152.47 грн
250+146.35 грн
500+136.02 грн
1000+121.85 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 720mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.05 грн
50+91.61 грн
100+91.28 грн
500+79.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.68 грн
10+139.94 грн
100+129.47 грн
500+100.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.53 грн
10+151.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFIBF20GPBF - N CHANNEL MOSFET, 900V, 1.2A TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.71 грн
10+193.07 грн
25+188.19 грн
50+170.96 грн
100+152.92 грн
500+133.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF30IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF30GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF30GVishayN-MOSFET 900V 1.9A 35W IRFIBF30G Vishay TIRFIBF30g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF30GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF30G
Код товару: 52686
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF30GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 900V 1.9A N-CH MOSFET
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+342.97 грн
10+175.06 грн
100+138.26 грн
500+113.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF30GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.16 грн
50+192.55 грн
100+165.05 грн
500+137.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF30GPBFTO220-ISO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBG20GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIR21084SPBF IR21084SPBFInternational RectifierHalf Bridge Driver, Soft Turn-On, All High Voltage Pins on One Side in Мікросхеми драйверів MOSFET/IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIRF7314PBFInfineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIRL60B216International RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ14G
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ14GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ14GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ14GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 32A; 27W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 0.2Ω
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ14GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.12 грн
50+51.56 грн
100+50.87 грн
500+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]