Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFL014NTRPBFTECH PUBLICHEXFET N-CH 55 V 1.9 A 140 mOm SOT-223 PbFree Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.22 грн
500+23.30 грн
1000+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC
на замовлення 48989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.07 грн
10+47.30 грн
100+27.02 грн
500+21.23 грн
1000+18.64 грн
2500+16.48 грн
5000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 1,9 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 190 @ 25, Qg, нКл = 11 @ 10 В, Rds = 160 мОм @ 1,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014PBFVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFL014TRPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25, Qg, нКл = 11 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 1,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 80 шт
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
80+21.23 грн
160+17.81 грн
1040+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014PBF
Код товару: 175503
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014SIRSOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRSiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 2,7A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFL014; IRFL014TR; IRFL014TR-BE3; IRFL014 TIRFL014
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF
Код товару: 196249
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/11
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+9.90 грн
100+8.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,7 A, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25, Qg, нКл = 11 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 1,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFL014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.30 грн
13+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 7318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.54 грн
10+95.69 грн
100+65.21 грн
500+48.94 грн
1000+47.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF
Код товару: 162075
Додати до обраних Обраний товар
Vishay SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/11
Монтаж: SMD
у наявності: 181 шт
  • 165 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+14.00 грн
10+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 60V 2.7 Amp
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.42 грн
100+75.97 грн
500+30.58 грн
1000+26.81 грн
2500+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Pulsed drain current: 22A
Drain current: 1.7A
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.08 грн
5000+41.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRFL014TRPBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.7A, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT223 N-CH 60V 2.7A
на замовлення 48703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.76 грн
10+59.10 грн
100+33.80 грн
500+26.60 грн
1000+23.39 грн
2500+20.53 грн
5000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF-BE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Pulsed drain current: 22A
Drain current: 1.7A
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+148.54 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 4452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.54 грн
10+95.69 грн
100+65.21 грн
500+48.94 грн
1000+47.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.76 грн
5000+39.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.76 грн
5000+39.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL0242IOR06+
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024N
Код товару: 45963
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 2,8 A, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 18,3 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 80 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
80+34.90 грн
160+29.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NPBF
Код товару: 88893
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Uds,V: 55 V
Idd,A: 2,8 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/18,3
Монтаж: SMD
у наявності: 296 шт
  • 261 шт - склад
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+14.00 грн
10+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NQIR07+ SOT-223
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 4A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL024N TIRFL024n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
689+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 689 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 4A 75mOhm 12.2nC
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.17 грн
10+35.09 грн
100+23.11 грн
500+17.81 грн
1000+16.06 грн
2500+14.18 грн
5000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 2,8 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 18,3 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.42 грн
37+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.88 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 Транзистори
на замовлення 782 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
10+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 5.1mOhms 9.1nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZPbF (транзистор)
Код товару: 76176
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Uds,V: 55 V
Idd,A: 5,1 A
Rds(on), Ohm: 57,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 340/9,1
Монтаж: SMD
у наявності: 109 шт
  • 42 шт - склад
  • 47 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+16.50 грн
10+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRNKGLBDTTransistor N-MOSFET; Unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; 57,5m?; -55°C ~ 150°C; IRFL024Z TIRFL024z c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 475 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRInfineonTransistor N-MOSFET; Unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; 57,5m?; -55°C ~ 150°C; IRFL024Z TIRFL024z
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 253 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.04 грн
5000+22.00 грн
7500+21.78 грн
12500+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.35 грн
10+52.76 грн
100+30.17 грн
500+23.74 грн
1000+20.81 грн
2500+18.29 грн
5000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 21324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+74.90 грн
257+55.32 грн
354+40.15 грн
500+30.01 грн
1000+26.08 грн
2500+20.11 грн
5000+17.78 грн
7500+17.60 грн
12500+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.83 грн
5000+29.30 грн
7500+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.28 грн
5000+17.10 грн
7500+16.35 грн
12500+14.56 грн
17500+14.09 грн
25000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0575 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575ohm
на замовлення 6351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.18 грн
500+23.07 грн
1000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 5,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 25, Qg, нКл = 14, Rds = 57,5 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-261AA Очікується: 35 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
234+60.75 грн
Мінімальне замовлення: 234 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0575 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575ohm
на замовлення 6351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.68 грн
50+46.84 грн
100+32.18 грн
500+23.07 грн
1000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.65 грн
24+31.62 грн
40+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 58251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.20 грн
10+45.77 грн
100+29.95 грн
500+21.71 грн
1000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL1006IRSOT-223
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL1006Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL1006International RectifierHEXFET SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL1006PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL1006TRIOR
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL1006TRInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL1006TRPBFIRSOT223 0535+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110IRSOT-223
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110PBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110PBFVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25, Qg, нКл = 8,3 @ 10 В, Rds = 540 мОм @ 900 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Ptot2, Вт = 3,1,... Транзистори Корпус: SOT-223 О
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+67.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRVishayTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 540mOhm; 1,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL110 TIRFL110
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.71 грн
50+55.48 грн
100+54.50 грн
500+49.70 грн
1000+44.62 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Pulsed drain current: 12A
Drain current: 0.96A
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 0.54Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25, Qg, нКл = 8,3 @ 10 В, Rds = 540 мОм @ 900 мA, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF
Код товару: 23062
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,5 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 180/8,3
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 100V 1.5 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]