Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFL630BIR07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL7406PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014
Код товару: 46633
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
1+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014IRSOT-223
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014
Код товару: 123235
Додати до обраних Обраний товар
SILIТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-223
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 1,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 270/12
Монтаж: SMD
у наявності: 67 шт
  • 40 шт - склад
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+43.00 грн
10+38.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014PBFVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014PBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,8 A, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 пФ, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 500 мОм @ 1.1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014PBF (транзистор)
Код товару: 31798
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014PBF..VISHAYDescription: VISHAY - IRFL9014PBF.. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 1.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRVishayTranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 500mOhm; 1,8A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL9014; IRFL9014TR; IRFL9014-GURT; IRFL9014TR-BE3; IRFL9014TR TIRFL9014
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TR
Код товару: 201622
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRVishayTranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 500mOhm; 1,8A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL9014; IRFL9014TR; IRFL9014-GURT; IRFL9014TR-BE3; IRFL9014TR TIRFL9014
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 62mOhm; 8A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFL9014; IRFL9014TR; IRFL9014TR-BE3; IRFL9014TR UMW TIRFL9014 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TR-CNCHIPNOBOTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 99mOhm; 10A; 31,3W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFL9014; IRFL9014TR; IRFL9014TR-BE3; IRFL9014TR-CN CHIPNOBO TIRFL9014 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF
Код товару: 31799
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-223
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 1,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,5 Ом
Монтаж: SMD
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+24.50 грн
10+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4683 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.72 грн
10+58.99 грн
100+45.77 грн
500+36.90 грн
1000+33.05 грн
2500+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 47946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.72 грн
10+132.70 грн
100+91.52 грн
500+69.37 грн
1000+66.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 60V 1.1 Amp
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFL9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 6382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.53 грн
5000+58.36 грн
7500+57.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 500 мОм @ 1,1 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Очікується: 2902 Од.
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT223 P-CH 60V 1.8A
на замовлення 94124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRFL9014TRPBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 1.8A, SOT-223
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.03 грн
10+129.68 грн
100+89.45 грн
500+67.80 грн
1000+64.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.12 грн
119+119.52 грн
250+114.73 грн
500+106.64 грн
1000+95.52 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Pulsed drain current: -14A
Drain current: -1.1A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110IRSOT-223
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110PBFIRFL9110PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 5102 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110PBFP-Channel 100V 1.1A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110PBFVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFL9110TRPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110PBF
Код товару: 99844
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-223-3
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 0,69 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 200/8,7
Монтаж: SMD
у наявності: 6 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+36.00 грн
10+34.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110PBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,1 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25, Qg, нКл = 8,7 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 660 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+28.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TR FF.SiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 1,1A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL9110 TIRFL9110
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.24 грн
194+72.94 грн
250+65.27 грн
500+49.88 грн
1000+39.51 грн
2500+34.30 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
irfl9110trpbf
Код товару: 22352
Додати до обраних Обраний товар

8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.53 грн
5000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBFSOT223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 7487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 100V 1.1 Amp
на замовлення 46629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 15240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.77 грн
10+125.39 грн
100+86.22 грн
500+65.19 грн
1000+61.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.69A
Pulsed drain current: -8.8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.7nC
на замовлення 4623 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+78.40 грн
10+53.89 грн
50+40.00 грн
100+35.40 грн
250+30.63 грн
500+27.70 грн
1000+23.76 грн
2500+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.53 грн
5000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.85 грн
16+47.91 грн
25+47.43 грн
100+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 7487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.50 грн
5000+54.66 грн
7500+53.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25, Qg, нКл = 8,7 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 660 мA, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Очікується: 50 Од.
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+86.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRFL9110TRPBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 1.1A, SOT-223
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 2298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT223 100V 1.1A P-CH MOSFET
на замовлення 40451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.50 грн
5000+54.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.69A
Pulsed drain current: -8.8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.7nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+175.18 грн
118+120.43 грн
500+97.02 грн
1000+88.42 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.77 грн
10+125.39 грн
100+86.22 грн
500+65.19 грн
1000+61.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9540IR07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9N60AIR07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFLELANDPBFIOR2007
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFLL014
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFLL110TRIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFLOBOIOR2007
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFLZDD03AltechRF Modules Wireless PB receiver
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM014
на замовлення 14130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM014TFTO-223
на замовлення 271 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM054International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM054Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM054SCXInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM064IR0515
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM064International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM110
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM110AFAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM110ATF
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM110ATFonsemi / FairchildMOSFET 100V Single
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120AFAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATFInternational Rectifier/InfineonСдвоенный N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=2.3A@t=25C, 1.84A@t=70C, Rds... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+42.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+61.97 грн
325+43.47 грн
500+35.12 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATFONSEMIDescription: ONSEMI - IRFM120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.62 грн
13+61.97 грн
100+43.47 грн
500+33.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATFonsemi / FairchildMOSFETs 100V Single
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.40 грн
8000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATFONSEMIDescription: ONSEMI - IRFM120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATF
Код товару: 129782
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]