Продукція > CSD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD18532KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532KCSTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N-Chanel NxFT P wr MOSFETs
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+82.10 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532KCSTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18532KCS - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.0033OHM, 100A,
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532KCSTEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+166.45 грн
10+112.18 грн
50+91.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 30 V
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.81 грн
10+128.71 грн
50+98.49 грн
100+83.30 грн
500+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532NQ5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532NQ5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 22A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 30 V
на замовлення 3546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.44 грн
10+145.16 грн
50+111.63 грн
100+94.59 грн
500+76.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532NQ5BTexas InstrumentsMOSFETs 60V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18532NQ5BT
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532NQ5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+84.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532NQ5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532NQ5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 22A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532NQ5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+84.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532NQ5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532NQ5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 30 V
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.17 грн
10+163.93 грн
50+126.63 грн
100+107.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532NQ5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532NQ5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532NQ5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 30 V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+105.50 грн
750+89.45 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532NQ5BTTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 59 A 595-CSD18532NQ5B
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532NQ5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5BTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.46 грн
10+201.92 грн
100+162.31 грн
500+128.60 грн
1000+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5BTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18532Q5BT
на замовлення 26541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3200 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.80 грн
10+132.90 грн
50+101.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5BTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 23A 8VSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5BTexas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5070 @ 30, Qg, нКл = 58 @ 10, Rds = 3,2 мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 156, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Очікується: 1300 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2500+78.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3200 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5BG4Texas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET sin
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+115.32 грн
750+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5BTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 23A 8VSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+318.94 грн
10+222.58 грн
50+181.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5BTTexas InstrumentsMOSFETs 60V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD18532Q5B
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+319.10 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.47 грн
10+178.74 грн
50+138.24 грн
100+117.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+318.94 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533KCSTexas InstrumentsMOSFETs 60V N-Chnl NxFT Pwr MSFT ..
на замовлення 5994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 72A/100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3025 pF @ 30 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.19 грн
10+107.24 грн
50+81.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533KCSTEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533KCSTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18533KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.005 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533KCSTexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9mOhm; 118A; 192W; -55°C ~ 175°C; CSD18533KCS TCSD18533kcs
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+90.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533KCS
Код товару: 121207
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18533Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, VSON, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 17A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 103A; 116W; -55°C ~ 150°C; CSD18533Q5AT CSD18533Q5A TCSD18533q5a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.89 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 30 V
на замовлення 25581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.59 грн
10+77.33 грн
50+58.00 грн
100+48.57 грн
500+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5A
Код товару: 100887
Додати до обраних Обраний товар

8542399000
8542 39 90 00
товару немає в наявності
очікується: 5365 шт
  • 5365 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 17A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 60V N-Chnl NexFET Pw r MSFT CSD18533Q5 A A 595-CSD18533Q5AT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 17A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 30 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.72 грн
7500+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 17A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.15 грн
10+132.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATTexas InstrumentsMOSFETs 60V N-channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18533Q5A
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 17A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 17A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 30 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.86 грн
10+105.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 116W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 17A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+163.42 грн
158+89.86 грн
161+88.14 грн
180+76.24 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 45A/100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 30 V
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.91 грн
10+83.01 грн
50+62.54 грн
100+52.48 грн
500+41.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534KCSTEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 164A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Pulsed drain current: 164A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 45A/100A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.42 грн
10+89.86 грн
50+88.14 грн
100+76.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534KCSTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18534KCS - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.0076OHM, 100A,
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534KCSTexas InstrumentsMOSFETs 60V N-Chnl NexFET Pw r MOSFET
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534KCS .TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18534KCS . - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.0076OHM, 100A,
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 98
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 98
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 13A/50A 8VSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 30 V
на замовлення 22997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.06 грн
10+67.68 грн
50+50.60 грн
100+42.32 грн
500+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 60V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1853 A 595-CSD18534Q5AT
на замовлення 34181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12,4mOhm; 69A; 77W; -55°C ~ 150°C; CSD18534Q5AT CSD18534Q5A TCSD18534q5a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 30 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.06 грн
7500+25.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 30 V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+65.95 грн
750+55.19 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATTexas InstrumentsMOSFETs 60V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1853 A 595-CSD18534Q5A
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 77W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 77W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+170.92 грн
5+120.49 грн
10+101.38 грн
25+88.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 30 V
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.64 грн
10+106.12 грн
50+80.64 грн
100+67.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KCS
Код товару: 196763
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.38 грн
10+172.68 грн
50+133.66 грн
100+113.64 грн
500+92.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KCSTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.