Продукція > CSD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD18533Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 30 V
на замовлення 18192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.61 грн
10+68.58 грн
100+45.87 грн
500+33.92 грн
1000+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 60V N-Chnl NexFET Pw r MSFT CSD18533Q5 A 595-CSD18533Q5AT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 17A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.23 грн
5000+46.37 грн
7500+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 17A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.23 грн
5000+46.37 грн
7500+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 30 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.93 грн
5000+29.47 грн
7500+28.33 грн
12500+25.38 грн
17500+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+57.74 грн
500+46.21 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATTexas InstrumentsMOSFETs 60V N-channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18533Q5A
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.91 грн
10+105.59 грн
100+54.95 грн
500+47.70 грн
1000+45.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 17A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 17A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 116W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29nC
Dimensions: 5x6mm
на замовлення 383 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+119.02 грн
10+97.22 грн
100+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.56 грн
10+95.95 грн
100+67.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 17A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534KCSTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18534KCS - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.0076OHM, 100A,
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 45A/100A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 45A/100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc)
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.84 грн
50+55.19 грн
100+52.25 грн
500+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.07 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534KCSTexas InstrumentsMOSFETs 60V N-Chnl NexFET Pw r MOSFET
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.78 грн
10+69.62 грн
100+53.98 грн
500+42.80 грн
1000+36.24 грн
2500+34.86 грн
5000+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534KCS .TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18534KCS . - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.0076OHM, 100A,
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 98
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 98
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 60V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1853 A 595-CSD18534Q5AT
на замовлення 3864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.53 грн
10+67.80 грн
100+39.21 грн
500+30.93 грн
1000+28.10 грн
2500+26.03 грн
5000+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12,4mOhm; 69A; 77W; -55°C ~ 150°C; CSD18534Q5AT CSD18534Q5A TCSD18534q5a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 30 V
на замовлення 26988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.73 грн
10+66.49 грн
100+44.40 грн
500+32.79 грн
1000+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 13A/50A 8VSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 30 V
на замовлення 26949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.79 грн
5000+28.43 грн
7500+27.32 грн
12500+24.47 грн
17500+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATTexas InstrumentsMOSFETs 60V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1853 A 595-CSD18534Q5A
на замовлення 4694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.72 грн
10+105.59 грн
100+55.02 грн
500+47.77 грн
1000+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 77W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 77W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Dimensions: 5x6mm
на замовлення 917 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+153.03 грн
5+117.17 грн
10+100.55 грн
25+87.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 30 V
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+62.18 грн
500+54.68 грн
750+52.04 грн
1250+46.04 грн
1750+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 14A, 10V
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.54 грн
10+100.06 грн
100+68.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.84 грн
50+126.02 грн
100+114.17 грн
500+87.65 грн
1000+81.39 грн
2000+77.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KCSTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.31 грн
10+175.45 грн
100+120.81 грн
500+105.62 грн
1000+94.58 грн
2500+92.51 грн
5000+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KCSTEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 63nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 1.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+244.30 грн
10+153.73 грн
50+129.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KCS
Код товару: 196763
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18535KTTT
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.84 грн
10+177.04 грн
100+120.12 грн
500+105.62 грн
1000+95.27 грн
2500+91.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.16 грн
10+168.94 грн
100+118.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 279A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+185.09 грн
100+162.47 грн
150+154.43 грн
250+136.45 грн
350+131.43 грн
500+126.55 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18535KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 279 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 279
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 279A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.92 грн
10+227.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18535KTT
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+361.62 грн
10+185.77 грн
50+161.54 грн
100+122.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18535KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 279 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 279
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KCSTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KCSTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18536KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 A, 0.0013 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 200
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: NexFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KCS
Код товару: 196562
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTT
Код товару: 115067
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.47 грн
10+228.32 грн
100+163.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTexas InstrumentsOSFET 60V, N ch NexFET MOSFETG , single D2PAK, 1.6mOhm 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+150.68 грн
1000+135.58 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18536KTTT
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.87 грн
10+242.14 грн
100+150.49 грн
500+149.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18536KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 349 A, 0.0013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
Qualifikation: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 349A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+248.57 грн
100+219.34 грн
150+209.12 грн
250+185.48 грн
350+179.11 грн
500+172.91 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTexas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 А, Ptot, Вт = 375, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 11430 @ 30, Qg, нКл = 140 @ 10 В, Rds = 1,6 мОм @ 100 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,2 В @ 250 мкА, Id2 = 279 А,... Транзистори Корпус: D2PAK Од.
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+514.00 грн
100+440.58 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18536KTT
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.44 грн
10+242.93 грн
50+211.24 грн
100+175.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18536KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 349 A, 0.0013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 349
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 349A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.43 грн
10+301.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+44.31 грн
2000+43.87 грн
5000+42.70 грн
10000+39.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCSTexas InstrumentsMOSFETs 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.14 грн
10+60.26 грн
100+47.36 грн
500+38.45 грн
1000+33.00 грн
2500+31.96 грн
5000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.93 грн
50+56.28 грн
100+50.29 грн
500+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCS
Код товару: 154964
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
409+34.72 грн
415+34.17 грн
422+33.63 грн
429+31.90 грн
500+29.05 грн
1000+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 409 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 25535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.31 грн
10+54.00 грн
100+35.71 грн
500+26.16 грн
1000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18537NQ5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.36 грн
15+56.54 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.50 грн
5000+20.94 грн
7500+20.08 грн
12500+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.72 грн
25+34.17 грн
100+32.43 грн
250+29.54 грн
500+27.89 грн
1000+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATexas InstrumentsMOSFETs 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD18537NQ5AT
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.43 грн
10+57.24 грн
100+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18537NQ5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5A-PTexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+73.75 грн
500+61.24 грн
1000+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+57.00 грн
500+50.05 грн
750+47.58 грн
1250+42.05 грн
1750+40.51 грн
2500+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]