Продукція > FDD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDD6630AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.93 грн
25+54.39 грн
100+38.61 грн
250+35.39 грн
500+28.75 грн
1000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6630AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6632ONS/FAIPower MOSFET, N Channel, 30 V, 9 A, 0.058 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6632Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V
на замовлення 17099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 2049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6635onsemiDescription: MOSFET N-CH 35V 15A/59A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6635ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 35V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+95.75 грн
500+86.18 грн
1000+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6635onsemi / FairchildMOSFET 35V N-Ch PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6635onsemiMOSFETs 35V N-Ch PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6635ONS/FAITrans MOSFET N-CH 35V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK, TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
на замовлення 6604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637onsemiDescription: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
на замовлення 4037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
10+96.24 грн
50+72.82 грн
100+61.25 грн
500+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637ONS/FAIMOSFET P-CH 35V 13A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637UMWDescription: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+45.06 грн
50+33.26 грн
100+27.63 грн
500+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
на замовлення 6604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637
Код товару: 86650
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-252
Напруга сток-витік Uds, В: 35 В
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,018 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 2370/45
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.50 грн
10+19.00 грн
100+17.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.15 грн
250+75.99 грн
500+74.43 грн
1000+70.38 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637onsemiDescription: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.01 грн
10+77.79 грн
25+66.45 грн
100+56.67 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637UMWDescription: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2301 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.83 грн
5+106.51 грн
10+93.09 грн
50+68.77 грн
100+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637onsemiMOSFETs 35V PCH PowerTrench MOSFET
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 35V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 35V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET Trans MOS P-Ch 35V 13A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637-SB82222onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6637. - P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 35
Dauer-Drainstrom Id: 13
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 57
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 57
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097
SVHC: Lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6644FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6644F054FAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6644F40FAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6644SFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670FAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 15 V
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.36 грн
10+72.23 грн
100+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670AONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6670A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+55.60 грн
257+55.05 грн
260+54.49 грн
291+43.46 грн
500+37.72 грн
1000+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670AUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 66A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+40.31 грн
100+26.30 грн
500+19.03 грн
1000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670Aonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
на замовлення 8347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.24 грн
14+55.60 грн
25+55.05 грн
50+52.54 грн
100+43.54 грн
250+41.72 грн
500+37.72 грн
1000+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670AUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 66A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670ALFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 48828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+107.58 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670ALonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 84A D-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670ALONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6670AL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 46328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670AL-NLFairchild
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670AL_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 3176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+107.58 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670AL_NLONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6670AL_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670ASFAIRCHILDTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 76A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670A_NLONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6670A_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 416 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670A_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 15 V
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+85.39 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670A_Qonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
на замовлення 47486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+98.69 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6672AFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6672AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 65A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6672Aonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6676Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5103 pF @ 15 V
на замовлення 8182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+82.03 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6676ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6676 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 434 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6676AFAIRCHILDD-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6676ASUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6676ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6676ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 209310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+96.82 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6676ASUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6676AS_NLFAIRCHILD06+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6676F40FAIRCHILDD-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6676MFAIRCHILDD-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6676SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 15 V
на замовлення 10684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+71.27 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680Fairchild SemiconductorFDD6680
на замовлення 19900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+147.33 грн
1000+139.08 грн
10000+126.15 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680Fairchild SemiconductorFDD6680
на замовлення 147500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+147.33 грн
1000+139.08 грн
10000+126.15 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680Fairchild SemiconductorFDD6680
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+147.33 грн
1000+139.08 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680Fairchild SemiconductorFDD6680
на замовлення 18996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+147.33 грн
1000+139.08 грн
10000+126.15 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680Fairchild SemiconductorFDD6680
на замовлення 10600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+147.33 грн
1000+139.08 грн
10000+126.15 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680Aonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680AFairchild SemiconductorFDD6680A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+147.33 грн
1000+139.08 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680AONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6680A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 204395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 236 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680AFairchild SemiconductorFDD6680A
на замовлення 11381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+147.33 грн
1000+139.08 грн
10000+126.15 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680AFairchild SemiconductorFDD6680A
на замовлення 3285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+147.33 грн
1000+139.08 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680AFairchild SemiconductorFDD6680A
на замовлення 145568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+147.33 грн
1000+139.08 грн
10000+126.15 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680AFairchild SemiconductorFDD6680A
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+147.33 грн
1000+139.08 грн
10000+126.15 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 15 V
на замовлення 204395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+114.19 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680AFairchild SemiconductorFDD6680A
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+147.33 грн
1000+139.08 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680AFairchild SemiconductorFDD6680A
на замовлення 10934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+147.33 грн
1000+139.08 грн
10000+126.15 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680ASUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680ASFairchild SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+78.60 грн
500+70.75 грн
1000+65.24 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 55A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 55A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
на замовлення 9266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
528+42.54 грн
Мінімальне замовлення: 528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680ASONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 55A; Idm: 100A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680ASUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680ASonsemi / FairchildMOSFET 30V NCH DPAK POWR TRENCH
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680ASFairchild SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+78.60 грн
500+70.75 грн
1000+65.24 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 55A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680ASNLFAIRCHILD
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680AS_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V, NCH, DPAK, POWER TRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680AS_NL
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680A_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 95 MO, DPAK, T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680A_Qonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680SFairchild SemiconductorFDD6680S
на замовлення 14646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+147.33 грн
1000+139.08 грн
10000+126.15 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.