Продукція > IPA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | _PRICE_WITHOUT_VAT | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPA60R380E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R380E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R380E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R380E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R380E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 4795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R380E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R380E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R380E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.6A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R380P6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R380P6 | Infineon Technologies | Description: 600V COOLMOS POWER TRANSISTOR Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | на замовлення 313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R380P6XKSA1 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 889mOhm; 10,6A; 83W; -55°C ~ 150°C; IPA60R380P6XKSA1 IPA60R380P6 TIPA60r380p6 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R380P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.6A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R385CP | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA60R385CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 9A TO220FP-3 CoolMOS CP | на замовлення 149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R385CP | Infineon Technologies | Description: IPA60R385 - 600V COOLMOS N-CHANN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R385CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R385CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R385CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R385CPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R385CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.385 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.385ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R385CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R385CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R385CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R385CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 8700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R385CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R385CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 39 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R400CE | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R400CE | Infineon | на замовлення 92000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA60R400CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 10.3A TO220-FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R400CEXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.3A; 31W; TO220FP Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ CE Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO220FP Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.4Ω Drain current: 10.3A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 31W Drain-source voltage: 600V | на замовлення 143 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R400CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R400CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R400CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R400CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R400CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R400CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3 | на замовлення 273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R400CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R400CEXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R400CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14.7 A, 0.4 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R400CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R450E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 9.2A TO220FP-3 CoolMOS E6 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R450E6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA60R450E6XKSA1 - IPA60R450 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R450E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 3.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R450E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.45Ω Drain current: 9.2A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 30W Drain-source voltage: 600V Technology: CoolMOS™ E6 Case: TO220FP Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R460CE | Infineon technologies | на замовлення 91 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA60R460CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R460CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9.1A TO220-FP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R460CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R460CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 14500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R460CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R460CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 9.1A TO220FP-3 | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R460CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R520C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 8.1A TO220FP-3 CoolMOS C6 | на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R520C6 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R520C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R520C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 8.1A TO220FP-3 CoolMOS C6 | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R520C6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA60R520C6XKSA1 - IPA60R520 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 111009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R520C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R520C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | на замовлення 111009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R520C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 110020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R520CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | на замовлення 55486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R520CP | INFINEON | TO-220 08+ | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R520CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R520CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 11500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R520CPXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA60R520CPXKSA1 - IPA60R520 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 46500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R520CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R520E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 8.1A TO220FP-3 CoolMOS E6 | на замовлення 325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R520E6 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220 | на замовлення 456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R520E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R520E6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA60R520E6XKSA1 - IPA60R520 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 367 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R520E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R600C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C6 | на замовлення 259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R600C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R600C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R600C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R600CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 6.1A TO220FP-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R600CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPA60R600 - 600V COOLMOS N-CHANN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R600CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R600CPXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA60R600CPXKSA1 - IPA60R600 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R600E6 | Infineon Technologies | Description: 600V, 0.6OHM, N-CHANNEL, MOSFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 28W (Tc) | на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R600E6 | Infineon technologies | на замовлення 47 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA60R600E6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS E6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R600E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R600E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 3438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R600E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 29W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.3A Power dissipation: 29W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R600E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R600E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R600E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R600E6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA60R600E6XKSA1 - IPA60R600 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R600E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R600E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | на замовлення 1105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R600E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R600P6 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_PRC/PRFRM | на замовлення 430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R600P6 | Infineon Technologies | Description: 600V, 0.6OHM, N-CHANNEL MOSFET, Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R600P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |

