Продукція > SQJ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQJQ900E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.11 грн
500+86.80 грн
1000+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ900E-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ900E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.16 грн
10+155.25 грн
100+108.11 грн
500+86.80 грн
1000+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ900E-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ904E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.85 грн
10+170.58 грн
100+137.98 грн
500+115.11 грн
1000+98.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ904E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ904E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 135W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 135W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+130.87 грн
500+109.44 грн
1000+98.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ904E-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ904E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ904E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ904E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 135W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 135W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+300.75 грн
10+197.52 грн
100+139.00 грн
500+116.99 грн
1000+101.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ904E-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ906E-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
на замовлення 12481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ906E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 95A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.58 грн
10+146.43 грн
100+101.91 грн
500+82.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ906E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 95A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ906EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ906EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 160 A, 160 A, 3600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 187W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 187W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+251.98 грн
10+174.76 грн
100+134.93 грн
500+107.18 грн
1000+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ906EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3238pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 187W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+95.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ906EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ906EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 160 A, 160 A, 3600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 187W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 187W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+134.93 грн
500+107.18 грн
1000+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ906EL-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ906EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3238pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 187W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.49 грн
10+180.17 грн
100+144.84 грн
500+111.67 грн
1000+92.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ910EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ910EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 70 A, 70 A, 7200 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 70A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 187W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 187W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+256.86 грн
10+171.51 грн
100+133.31 грн
500+105.67 грн
1000+91.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ910EL-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
на замовлення 44397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ910EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 187W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+84.35 грн
6000+78.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ910EL-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 70A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ910EL-T1_GE3VishayMOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ910EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ910EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 70 A, 70 A, 7200 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 70A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 187W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 187W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+133.31 грн
500+105.67 грн
1000+91.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ910EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 187W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.33 грн
10+149.60 грн
100+119.09 грн
500+94.57 грн
1000+80.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ910EL-T1_GE3
Код товару: 151182
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ936EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ936EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 100 A, 1800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+264.99 грн
10+173.95 грн
100+121.93 грн
500+92.08 грн
1000+83.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ936EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ936EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 100 A, 1800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+121.93 грн
500+92.08 грн
1000+83.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ960EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 71W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.09 грн
10+141.67 грн
100+99.10 грн
500+75.40 грн
1000+69.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ960EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ960EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 63 A, 63 A, 7000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 63A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 71W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 71W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.30 грн
500+80.76 грн
1000+72.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ960EL-T1_GE3VishayMOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ960EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 71W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+71.92 грн
4000+68.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ960EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ960EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 63 A, 63 A, 7000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 63A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 71W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 71W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.91 грн
10+152.00 грн
100+107.30 грн
500+80.76 грн
1000+72.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ960EL-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ980EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 80V 36A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 187W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.55 грн
10+153.37 грн
100+106.73 грн
500+81.47 грн
1000+80.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ980EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ980EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 36 A, 36 A, 0.0036 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 187W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0036ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 187W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ980EL-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 80V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ980EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 80V 36A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 187W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+77.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ980EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ980EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 36 A, 36 A, 0.0036 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 187W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0036ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 187W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.68 грн
10+96.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ980EL-T1_GE3VishayMOSFET 80V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15