Продукція > STF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STF80N240K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N240K6STMicroelectronicsDescription: HV MOSFET MDMESH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N240K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+233.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N240K6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N340K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N340K6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25.5W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 25.5W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 17.8nC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+268.24 грн
10+224.76 грн
50+207.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N340K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF80N340K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N340K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+169.10 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N340K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N340K6STMicroelectronicsDescription: HV MOSFET MDMESH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N450K6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24.5W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 24.5W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 17.3nC
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+250.18 грн
10+209.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N450K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF80N450K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.45 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 24.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N450K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N450K6STMicroelectronicsDescription: HV MOSFET MDMESH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N450K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N450K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+167.17 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N600K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N600K6STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N600K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+99.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N600K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N600K6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N600K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+99.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N600K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF80N600K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N900K6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 21.5W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 21.5W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.35 грн
10+106.51 грн
50+98.12 грн
100+93.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N900K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF80N900K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 21.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N900K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.57 грн
1000+91.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N900K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N900K6STMicroelectronicsDescription: HV MOSFET MDMESH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N900K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+115.98 грн
1000+91.02 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8100SMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 8A; ITO220AB; Ufmax: 0.7V
Case: ITO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 130A
Max. forward voltage: 0.7V
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8150SMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 150V; 8A; ITO220AB; Ufmax: 0.75V
Case: ITO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 130A
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF817
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF817ASTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 80V 1.5A SOT-89-3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF817A
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF8200SMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 8A; ITO220AB; Ufmax: 0.73V
Case: ITO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 130A
Max. forward voltage: 0.73V
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF826
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF826STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 30V 3A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF860SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF860SMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 60V; 8A; ITO220AB; Ufmax: 0.6V
Case: ITO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 130A
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8A60ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FPAB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 449 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 550 mOhm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+176.12 грн
10+158.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+115.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5
Код товару: 116715
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+114.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF8N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.45 грн
50+106.38 грн
100+102.16 грн
500+95.18 грн
1000+85.76 грн
2000+81.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.63 грн
50+115.98 грн
100+104.75 грн
500+79.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N80K5STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K5
на замовлення 3777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+107.45 грн
133+106.38 грн
139+102.16 грн
500+95.18 грн
1000+85.76 грн
2000+81.51 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+212.24 грн
10+122.44 грн
50+109.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; Idm: 32A; 30W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+204.04 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+240.06 грн
100+225.92 грн
500+204.04 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NK100ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+418.56 грн
50+211.82 грн
100+193.36 грн
500+151.12 грн
1000+141.37 грн
2000+135.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+278.08 грн
100+252.42 грн
500+214.84 грн
1000+192.04 грн
2000+176.62 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NK100ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 1,85Ohm; 6,5A; 40W; -55°C ~ 150°C; STF8NK100Z TSTF8NK100z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+127.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NK100ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NK100ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF8NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6.5 A, 1.6 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 4341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+282.34 грн
50+279.51 грн
100+253.72 грн
500+215.94 грн
1000+193.03 грн
2000+177.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NK100ZSTMTO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NK100ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4.3A; 40W; TO220FP; ESD
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+222.18 грн
5+187.86 грн
10+181.15 грн
25+173.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NK100ZFP
Код товару: 86607
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NK85ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 850V 6.7A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NK85Z
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NK85ZSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 850V 1.1Ohm 6.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NK85ZFP
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NM50NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF8NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 0.73 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.26 грн
2000+58.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; 20W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 790mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.70 грн
10+47.97 грн
25+40.59 грн
50+36.90 грн
100+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.17 грн
10+120.84 грн
50+91.99 грн
100+77.58 грн
500+62.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.58 грн
2000+58.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NM60N
на замовлення 38770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NM60NSTMicroelectronicsMOSFET NCh 250V 0.14Ohm 17A Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET NCH 6V 7A FDMESH FDMesh
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF974SK
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF9HN65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220FP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+66.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF9HN65M2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V, 0.71 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF9N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+129.15 грн
10+54.51 грн
40+47.89 грн
50+46.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF9N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF9N60M2STMicroelectronics
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF9N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF9N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.72 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF9N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.22 грн
10+89.06 грн
50+67.15 грн
100+56.39 грн
500+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF9N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF9N65M2STMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF9N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]