Продукція > STL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STL220N3LLH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT56
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL220N3LLH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL220N3LLH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT56
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL220N4F8STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 40V 203A 8-Pin Power Flat EP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL220N4F8STMicroelectronicsMOSFETs N- channel 40 V, 1.7 mOhm max., 203 A STripFET F8 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL220N4F8STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL220N4F8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 203 A, 1700 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 127W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL220N4F8STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 40V 203A 8-Pin Power Flat EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL220N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL220N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1400 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL220N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.34 грн
10+173.69 грн
25+170.95 грн
100+162.29 грн
250+147.91 грн
500+139.64 грн
1000+137.38 грн
3000+135.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL220N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL220N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+90.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL220N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+176.34 грн
82+173.69 грн
83+170.95 грн
100+162.29 грн
250+147.91 грн
500+139.64 грн
1000+137.38 грн
3000+135.11 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL220N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 0.0012 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
на замовлення 9055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL220N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL220N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1400 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL220N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+90.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL220N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 2033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+157.82 грн
91+155.92 грн
100+150.26 грн
500+129.40 грн
1000+97.03 грн
2000+85.86 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL220N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL220N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL220N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+121.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL220N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+122.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL224/100Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL225/100Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL225N6F7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive 60V N-Ch 12mOhm 120A F7 Power
на замовлення 3139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL225N6F7AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL225N6F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1200 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL225N6F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+345.87 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL225N6F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+81.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL225N6F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL225N6F7AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL225N6F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1200 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL225N6F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+132.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL225N6F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.95 грн
10+164.61 грн
50+127.15 грн
100+108.01 грн
500+88.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL22N60DM6STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 42A; 102W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 102W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL22N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL22N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 13 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL22N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL22N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL22N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL22N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+104.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL22N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL22N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+215.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL22N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL22N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL22N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.21 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL22N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 4-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL22N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V .198Ohm 15A MDmesh M5
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL22N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 15A; Idm: 60A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 15A
Power dissipation: 110W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL22NF10ST
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL23NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 2.8A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+200.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL23NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 2.8A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+200.91 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL23NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500V 0.170Ohm 14A pwr MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL23NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL23NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL23NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 0.150 Ohm 19.5 A Fdmesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL23NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL23NS3LLH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 92A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL23NS3LLH7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 30 V, 0.0027 Ohm typ., 23 A STripFET(TM) VII DeepGATE(TM) Power MOSFET plus monolithic Schottky in a PowerFLAT(TM) 3.3 x 3.3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
на замовлення 7581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.22 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N60DM2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 125W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 15A 4-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
на замовлення 7869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.27 грн
10+170.89 грн
50+132.21 грн
100+112.39 грн
500+93.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 72A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 125W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 72A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+113.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+85.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+113.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 15A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+327.92 грн
68+208.84 грн
100+169.16 грн
500+152.18 грн
1000+124.88 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 15A 4-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 209mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N60M6STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 52.5A; 109W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 109W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 209mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 52.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.205 Ohm typ., 14 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 14A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL24N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 14A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+313.74 грн
71+200.34 грн
100+162.54 грн
500+146.71 грн
1000+119.81 грн
2000+107.73 грн
3000+104.49 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL24NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 6957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.75 грн
10+252.63 грн
50+198.53 грн
100+169.98 грн
500+141.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STL24NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.200 Ohm 16 A HV Mdmesh II
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL24NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+139.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2500BKTAptiv (formerly Delphi)Automotive Connectors 25 POS.STL CONN FOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4864 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2500YETAptiv (formerly Delphi)Automotive Connectors 25 POS.STL CONN FOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4864 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL251-58Carling TechnologiesToggle Switches ST-Series Toggle Switch
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL251-73Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE DPDT 15A 125V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 15A (AC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: DPDT
Switch Function: Mom-Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 17.45mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 125 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL251-73Carling TechnologiesToggle Switches STL251-73
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL253/100 MLumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL254-58Carling TechnologiesToggle Switches ST-Series Toggle Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL254-73Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE DPDT 15A 125V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 15A (AC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: DPDT
Switch Function: Mom-Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Screw Terminal
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 17.45mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 125 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL254-73Carling TechnologiesToggle Switches STL254-73
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL2545STATICTECCategory: Tapes and Labels
Description: Self-adhesive label; ESD; 25x45mm; 1000pcs; reel; black,yellow
Quantity in set/package: 1000pcs.
Colour: black; yellow
Version: ESD
Language: EN
Dimensions: 25x45mm
Kind of package: reel
Type of antistatic accessories: self-adhesive label
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1324.43 грн
5+1155.04 грн
10+1088.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STL25N15F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL25N15F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 2282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.00 грн
10+128.71 грн
100+118.80 грн
500+107.68 грн
1000+106.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL25N15F4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL25N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 16A 4-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL25N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.184 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL25N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 16A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL25N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 64A; 125W
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerFLAT 8x8
On-state resistance: 0.205Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 29nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL25N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 16A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.94 грн
10+169.17 грн
50+130.83 грн
100+111.19 грн
500+91.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL260N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET LGS LV MOSFET
на замовлення 5210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL260N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 260A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6375 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL260N4F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL260N4F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 900 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL260N4F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.95 грн
10+164.61 грн
50+127.15 грн
100+108.01 грн
500+88.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL260N4F7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Case: PowerFLAT 5x6
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Pulsed drain current: 480A
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+218.54 грн
10+165.36 грн
50+118.83 грн
100+106.36 грн
250+93.90 грн
500+87.25 грн
1000+82.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.