Продукція > TK1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK14A65W,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W5,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W5,S5XToshibaMOSFETs MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W5,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W5,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W5S5X(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65WS5X(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14C65W,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14C65W,S1QToshibaMOSFET MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14C65W5,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14C65W5,S1QToshibaMOSFET MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W,S1XToshibaMOSFETs MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14E65W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W5,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.02 грн
10+202.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W5,S1XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W5,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.79 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W5,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14E65W5,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65WToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQToshibaMOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK Транзистори
на замовлення 980 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+278.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.69 грн
10+165.66 грн
100+115.93 грн
500+89.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.76 грн
10+296.15 грн
25+278.27 грн
50+249.58 грн
100+209.82 грн
250+173.26 грн
500+166.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14G65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+323.76 грн
48+296.15 грн
51+278.27 грн
55+249.58 грн
100+209.82 грн
250+173.26 грн
500+166.79 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14G65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQToshibaMOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14G65W5,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14G65W5,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQ(SToshibaMOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5RQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65WRQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65WToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65W,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+361.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65W,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.34 грн
10+131.91 грн
30+126.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65W,S1FToshibaMOSFETs MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65W,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65W,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65W5,S1FToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65W5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+432.40 грн
30+236.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65W5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65W5S1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65WS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14V65W,LQToshibaMOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=139W F=1MHZ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14V65W,LQToshibaPb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=139W F=1MHZ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14V65W,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14V65W,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.06 грн
10+240.43 грн
100+171.75 грн
500+133.72 грн
1000+130.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK14V65W,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14V65W,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 139W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14V65W,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14V65W,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 139W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15 DC8-80V 50A
Код товару: 138009
Додати до обраних Обраний товар
Інструмент та прилади > Прилади вимірювальні (Мультиметри, Тестери)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1500-NP/C/TLilliput Electronics (USA) Inc.Description: MONITOR 15.00" 5 WIRE RESISTIVE
Packaging: Box
Interface: DVI, HDMI, VGA
Dot Pixels: 1024 x 768
Diagonal Screen Size: 15.00" (381.00mm)
Touchscreen: 5 Wire Resistive
Part Status: Active
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23024.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK15021MTLTOKO94 SOP
на замовлення 535 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1505800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 15P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 15
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Part Status: Active
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1505800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15062ZCBX
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK150E09NE,S1Q(ASToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK150E09NE,S1Q(BSToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK150E09NE,S1Q(SToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK150X00Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT XGA TFT LCD 15.0"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK150X03Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 15.0" XGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK150X03-002Kyocera International, Inc.Description: EVAL BOARD FOR T-51863
Packaging: Bulk
Function: LCD Display
Type: Display
Utilized IC / Part: T-51863
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply
Primary Attributes: 15" 1024x768 XGA
Part Status: Active
Secondary Attributes: With Controller Board with On Screen Display
Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+56120.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK15121MTLTOKO
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15121MTL SOT23L-6-121TOKO
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15121MTLSOT23L-6-121
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1512SSTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,Jack 6.3mm 2pin angled plug; 12m
Core section: 0.55mm2
Number of cores: 1
Cable length: 12m
Insulation colour: black
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; Jack 6.3mm 2pin angled plug
Type of connection cable: Jack - Jack
Enclosure material: metal
Version: mono
Kind of core: OFC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15210MTLTOKO
на замовлення 6323 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15321MTL
на замовлення 8360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15325MTLTOKO03+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15329TOKO
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15400
на замовлення 949 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15400M-XTOKO
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15400MTLTOKO
на замовлення 9790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15401M-XTOKO
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15401MTLTOKO4ФВ5ИХ
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15402MTL
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15404AMI-TRBTOKOSOT26/
на замовлення 4457 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15404MITB-G--A4-I
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15404MTBTOKO
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15404MTB-GTOKO2007 SOT23-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15405AMTBTOKO
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15405BM-GTKO
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15405BMSTOKV2004 SOT-23
на замовлення 9481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15405BMTB-G
на замовлення 2684 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15405MI-TRBTOKOSOT26/
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15405MTBTOKO
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15405MTB/405
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15405MTLTOKOSOT163-405
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15405MTL SOT163-405TOKO
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15405MTL/405TOKO09+
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]