Продукція > TK1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK13E25D,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 13A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.82 грн
10+131.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13E25D,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 13A 250V 102W 1100pF 0.25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13H90A1
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK13H90A1 (Q)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13J65UToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13J65U(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13A TO-3PN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13J65U(F)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 13A 650V 170W 950pF 0.38
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK-OS PD=96W F=1MHZ
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+49.59 грн
100+38.58 грн
500+30.69 грн
1000+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.66 грн
4000+44.01 грн
6000+43.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK13P25D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+46.13 грн
4000+44.47 грн
6000+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
у наявності 20 шт:
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK13P25D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 13A; 96W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 96W
Gate charge: 25nC
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.64 грн
8+53.67 грн
25+47.80 грн
100+42.77 грн
500+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQ(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25DRQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14023M (TC)Description: COLLEGE DORM TAPE KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1402A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1405800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1405800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 14P SIDE ENTRY 5MM PCB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14489MTLTOKOSOP
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14521MTL
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14551VTLTOKO00+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14552VTOKO02+
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14552VTL-1
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14570LTLTOKO
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14570LTL-GTOKO10+ SOT-23
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14571TOKO
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14581MTLTOKO1995
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14583VTLTOKO
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14588VTLTOKOTSSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14588VTL-GTOKOTSOP16
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14620MTL
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A45D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 14A 450V 45W 1800pF 0.34
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A45D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 14A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A45DA(STA4,QM)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 13.5A 450V 45W 1550pF 0.41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A45DA(STA4,QM)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 13.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 6.8A, 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A55DToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A55D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 14A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A55D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 14A 550V 50W 2300pF 0.37
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W,S5XToshibaMOSFETs MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W,S5X(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.7A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.7A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Power dissipation: 40W
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+176.96 грн
10+156.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W5,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W5,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W5,S5XToshibaMOSFETs MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W5,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W5S5X(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65WS5X(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14C65W,S1QToshibaMOSFET MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14C65W,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14C65W5,S1QToshibaMOSFET MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14C65W5,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W,S1XToshibaMOSFETs MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W,S1X(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14E65W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W5,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.79 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W5,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W5,S1XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W5,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14E65W5,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65WS1X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65WToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.71 грн
10+167.56 грн
100+117.26 грн
500+90.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQToshibaMOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK Транзистори
на замовлення 980 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+276.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14G65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+323.76 грн
48+296.15 грн
51+278.27 грн
55+249.58 грн
100+209.82 грн
250+173.26 грн
500+166.79 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14G65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.76 грн
10+296.15 грн
25+278.27 грн
50+249.58 грн
100+209.82 грн
250+173.26 грн
500+166.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQToshibaMOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14G65W5,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQ(SToshibaMOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14G65W5,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5RQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65WRQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65WToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65W,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.34 грн
10+131.91 грн
30+126.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65W,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65W,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65W,S1FToshibaMOSFETs MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65W,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]