Продукція > TPC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TPC8117(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8117(TE12L,Q,M) | Toshiba | MOSFET MOSFET P-CH 30V, 18A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8117(TE12L,V,M) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8118 | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TPC8118 | TOSHIBA | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TPC8118 (TE12L,Q) | TOSH | SOP8 | на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8118(T2LCANOQ,M | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8118(T2LSAN,X) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8118(TE12L,Q) | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 13A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 11400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPC8118(TE12L,Q) | TOSHIBA | SOP8 | на замовлення 2727 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8118(TE12L,Q) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8118(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8118(TE12L,Q,M) | Toshiba | MOSFET MOSFET P-CH 30V, 13A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8118(TE12L,V,M) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8118-H | на замовлення 998 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TPC8119 | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8120 | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8120 | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPC8120 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Verlustleistung: 1.9 Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8120 | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPC8120 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 18 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.9 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800 Verlustleistung: 1.9 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8120(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8120(TE12LQM) | Toshiba | MOSFET N-Ch -30V FET 7420pF -18A 1.9W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8121 | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8121 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TPC8122 | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8123 | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8123(T2LPP,X) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8123(T2LPSE,Q) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8123(TE12L,Q) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8123(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8123(TE12L,V,M) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8123(TE12LQM) | Toshiba | MOSFET N-Ch -30V FET 2940pF -11A 1.9W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8123,LPANAQ(CJ | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8123,LPANAQ(CM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8123,LPANAQ(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8123,LPANAQ(M | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8123,LPSEQ(CM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8124 | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPC8124 - Leistungs-MOSFET, leistungsstark, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0061 ohm, SOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 12 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.9 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800 Verlustleistung: 1.9 Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061 SVHC: To Be Advised | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8124 | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8124(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 40V 12A 8SOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8124(TE12LQM) | Toshiba | MOSFET N-Ch -40V FET 4750pF -12A 1.9W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8124(TE12LV) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8125 | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8125,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPC8125,LQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +20V, -25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 10 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPC8125,LQ(S | TOSHIBA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 1W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -10A Power dissipation: 1W Case: SOP8 Gate-source voltage: -25...20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 1612 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPC8125,LQ(S | Toshiba | MOSFETs P-Ch -30V FET 2580pF -10A 1.9W | на замовлення 7427 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPC8125,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8125,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPC8125,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8125,LQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +20V, -25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPC8126,LQ(CM | Toshiba | MOSFET N-Ch -30V FET 2400pF -11A 1.9W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8126,LQ(CM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP (5.5x6.0) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8127,LCANOQ(CM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8127,LCANOQ(M | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8127,LQ(CJ | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8127,LQ(CM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8127,LQ(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8127,LQ(M | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8127,LQ(M | Toshiba | MOSFET P-CH MOSFET -30V DC -13A -10uA 5mOhm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8127,LSANX(CJ | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8127,LSANX(CM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8127,LSONYQ(CJ | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8127,LSONYQ(CM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8127,LSONYQ(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8127,LSONYQ(M | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8127,LXGQ(CM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8127?LQ | TOSHIBA | SOP8 | на замовлення 1574 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8127?LQ(J) | TOSHIBA | SOP8 | на замовлення 1662 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8128 | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8128 | на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TPC8128 | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPC8128 - Leistungs-MOSFET, leistungsstark, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 16 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.9 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800 Verlustleistung: 1.9 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039 SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8128(TE12L,Q) | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 16A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPC8128(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8128(TE12LQM) | Toshiba | MOSFET N-Ch -30V FET 4800pF -16A 1.9W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8129 | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TPC8129,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 4020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPC8129,LQ(S | Toshiba | MOSFETs N-Ch -30V FET 1650pF -9A 1.9W | на замовлення 3694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPC8129,LQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +20V, -25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPC8129,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 12180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPC8129,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8129,LQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +20V, -25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | на замовлення 3215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPC8132 | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8132,LQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 10 V | на замовлення 1013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPC8132,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPC8132,LQ(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.02 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.9W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPC8132,LQ(S | Toshiba | MOSFETs N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W | на замовлення 5829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPC8132,LQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8132,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 40V 7A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 1943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPC8132,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPC8132,LQ(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.02 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.9W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPC8132?LPAVQ | TOSHIBA | SOP8 | на замовлення 1043 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8133 | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8133,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPC8133,LQ(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 9 A, 0.015 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 3301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPC8133,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 40V 9A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8133,LQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 40V 9A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V | на замовлення 2307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPC8133,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPC8133,LQ(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 9 A, 0.015 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.9W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm | на замовлення 3301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPC8133,LQ(S | Toshiba | MOSFETs N-Ch -40V FET 1650pF -9A 1.9W | на замовлення 2139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPC8133,LQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 40V 9A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8133,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 40V 9A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 1690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPC8133?LQ | SOP8 | на замовлення 463 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TPC8134 | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPC8134 | TOSHIBA | SOP8 | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

