НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXMP6A13FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V P-Chnl UMOS
на замовлення 36583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.74 грн
6000+15.41 грн
9000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.52 грн
6000+11.06 грн
9000+10.56 грн
15000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.16 грн
6000+15.94 грн
9000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.87 грн
20+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.10 грн
6000+15.72 грн
9000+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTA-50Diodes Zetex60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GQTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+25.85 грн
2000+25.31 грн
3000+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
401+20.72 грн
500+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 401 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V P-Chnl UMOS
на замовлення 8796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.78 грн
2000+16.85 грн
3000+16.44 грн
5000+14.87 грн
7000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.40 грн
2000+25.85 грн
3000+25.40 грн
5000+18.01 грн
7000+16.51 грн
10000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.18 грн
2000+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A13GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.39 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.74 грн
2000+23.32 грн
3000+22.98 грн
5000+17.02 грн
7000+15.60 грн
10000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.17 грн
2000+25.60 грн
3000+25.16 грн
5000+17.85 грн
7000+16.36 грн
10000+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+25.85 грн
2000+25.31 грн
3000+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
388+24.03 грн
500+21.66 грн
1000+21.12 грн
2000+16.10 грн
10000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 388 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A13GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.39 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
на замовлення 15125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
10+36.31 грн
100+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA-52Diodes Zetex60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN/A
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.17 грн
10+84.08 грн
100+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+45.53 грн
1000+40.21 грн
1500+38.35 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+50.74 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8QTADiodes IncorporatedMOSFETs Dual P-Ch 60V Enh 2.15W -1Vgs 1021pF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 60V P-Chnl UMOS
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8TCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16KDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16KQTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16KQTCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16KQTCDiodes ZetexMOSFET BVDSS, 41V to 60V TO252 2.5K
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16KQTCDiodes ZetexMOSFET BVDSS, 41V to 60V TO252 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 5.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 30 V
на замовлення 13688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+56.99 грн
100+39.17 грн
500+28.77 грн
1000+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A16KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
374+37.88 грн
390+36.36 грн
500+35.05 грн
1000+32.70 грн
2500+29.37 грн
Мінімальне замовлення: 374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16KTCDiodes Inc./ZetexMOSFETs P-Chan 60V MOSFET (UMOS) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 5.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 30 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16KTCDiodes IncorporatedMOSFETs P-Chan 60V MOSFET (UMOS)
на замовлення 3265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A16KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17DN/A
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17DN8QTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17DN8QTCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17DN8QTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17DN8QTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.66 грн
5000+26.54 грн
7500+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17DN8QTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 9193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.30 грн
10+67.70 грн
100+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+37.03 грн
1000+32.57 грн
1500+30.99 грн
2500+27.42 грн
3500+26.43 грн
5000+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+44.50 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 60V P-Chnl UMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 224645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 224645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
423+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 423 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6QTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V P-Ch Enh Mode 1.1W 3A 637pF 17.7nC
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6QTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.1 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6QTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; Idm: -13.6A; 1.92W; SOT26
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 1.92W
Pulsed drain current: -13.6A
Gate charge: 17.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.54 грн
14+31.70 грн
25+29.35 грн
50+27.51 грн
100+25.83 грн
500+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
534+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 534 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+32.91 грн
100+21.26 грн
500+15.25 грн
1000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6QTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.1 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6QTA-52Diodes Zetex60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.96 грн
6000+14.81 грн
9000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6TA
Код товару: 22302
Додати до обраних Обраний товар
ZetexТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23-6
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,125 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 670/15,1
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541 29 00 90
товару немає в наявності
1+29.50 грн
10+23.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.48 грн
6000+14.09 грн
9000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.