Продукція > ZXM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXMP4A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007 pF @ 20 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+27.97 грн
2000+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP4A16GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.4 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.49 грн
200+37.74 грн
500+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+45.00 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16KDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP4A16K - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 9.9 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.35 грн
100+47.06 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16KDiodes Inc./ZetexСилові MOSFET-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16KDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP4A16K - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 9.9 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16KZETEX07+ DPAK
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16KTCZETEXMOSFET P-CHAN 40V 9.9A DPAK
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+127.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 6.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 20 V
на замовлення 20559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.22 грн
10+88.69 грн
100+59.95 грн
500+44.71 грн
1000+40.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 6.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 20 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.91 грн
5000+36.75 грн
7500+35.40 грн
12500+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16KTCDiodes Inc./ZetexСилові MOSFET-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16KTCDiodes IncorporatedMOSFETs 40V 9.9A P-CHANNEL
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6
на замовлення 123800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.59 грн
6000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6QTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V SOT26 T&R 3K
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V SOT26 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.30 грн
10+49.82 грн
100+32.65 грн
500+23.74 грн
1000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.47 грн
6000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V SOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.68 грн
6000+18.40 грн
9000+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.41 грн
6000+14.55 грн
9000+13.90 грн
15000+12.37 грн
21000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP4A57E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.88 грн
500+14.34 грн
1000+12.75 грн
5000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V
на замовлення 67653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+40.61 грн
100+26.39 грн
500+19.03 грн
1000+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TA
Код товару: 113909
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TADIODES/ZETEXP-MOSFET 40V 2.9A 1.1W ZXMP4A57E6TA TZXMP4a57e6
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40 SOT26,3K
на замовлення 11961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP4A57E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.05 грн
36+22.84 грн
100+17.88 грн
500+14.34 грн
1000+12.75 грн
5000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP61P02
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP61P03
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP62M832TA
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A12GTADIODES/ZETEXTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 595mOhm; 2,3A; 3,9W; -55°C ~ 150°C; ZXMP6A13GTA TZXMP6a13g
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.52 грн
42+18.05 грн
43+17.87 грн
100+16.24 грн
250+14.89 грн
500+13.76 грн
1000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FQTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V P-Ch Enh Fet 20Vgs 625pD 219pF
на замовлення 62705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.04 грн
500+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 975000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.58 грн
6000+9.32 грн
9000+8.88 грн
15000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
792+17.87 грн
840+16.84 грн
848+16.68 грн
881+15.48 грн
1000+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 792 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 976753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
18+17.13 грн
100+15.15 грн
500+12.43 грн
1000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.87 грн
20+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.10 грн
6000+15.72 грн
9000+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.94 грн
500+21.74 грн
1500+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.52 грн
6000+11.06 грн
9000+10.56 грн
15000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.73 грн
6000+13.55 грн
9000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.73 грн
6000+13.55 грн
9000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTADiodes Inc./ZetexP-Channel 60V 900mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 77 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
15+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.89 грн
6000+15.68 грн
9000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V P-Chnl UMOS
на замовлення 36583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.53 грн
50+41.46 грн
100+28.94 грн
500+21.74 грн
1500+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.74 грн
6000+15.41 грн
9000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
на замовлення 16095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+32.46 грн
100+21.00 грн
500+15.06 грн
1000+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.16 грн
6000+15.94 грн
9000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTA-50Diodes Zetex60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GQTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+25.85 грн
2000+25.31 грн
3000+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
388+24.03 грн
500+21.66 грн
1000+21.12 грн
2000+16.10 грн
10000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 388 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 900mA, 10V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.78 грн
2000+16.85 грн
3000+16.44 грн
5000+14.87 грн
7000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+25.85 грн
2000+25.31 грн
3000+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
401+20.72 грн
500+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 401 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V P-Chnl UMOS
на замовлення 8796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A13GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.39 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.52 грн
200+33.89 грн
500+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.40 грн
2000+25.85 грн
3000+25.40 грн
5000+18.01 грн
7000+16.51 грн
10000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
на замовлення 15125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
10+36.31 грн
100+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.18 грн
2000+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.74 грн
2000+23.32 грн
3000+22.98 грн
5000+17.02 грн
7000+15.60 грн
10000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A13GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.39 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.23 грн
15+54.54 грн
50+45.52 грн
200+33.89 грн
500+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.17 грн
2000+25.60 грн
3000+25.16 грн
5000+17.85 грн
7000+16.36 грн
10000+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13GTA-52Diodes Zetex60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN/A
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8QTADiodes IncorporatedMOSFETs Dual P-Ch 60V Enh 2.15W -1Vgs 1021pF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+45.53 грн
1000+40.21 грн
1500+38.35 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+50.74 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.81W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.17 грн
10+84.08 грн
100+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.9A 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.15W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.42 грн
12+70.72 грн
100+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.9A 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.15W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 60V P-Chnl UMOS
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A16DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]