Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFP3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+448.75 грн
44+322.49 грн
50+305.68 грн
100+262.94 грн
250+246.56 грн
500+217.69 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+317.52 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Mounting: THT
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Drain current: 195A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Power dissipation: 375W
Gate charge: 200nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET UP TO 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077International RectifierTranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 200A; 340W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3077; IRFP3077XKMA1; IRFP3077 TIRFP3077
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+262.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077International RectifierTranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 200A; 340W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3077; IRFP3077XKMA1; IRFP3077 TIRFP3077
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+262.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+551.53 грн
27+540.47 грн
32+445.77 грн
50+399.04 грн
100+340.18 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+548.79 грн
10+537.78 грн
25+443.55 грн
50+397.05 грн
100+338.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBF
Код товару: 24931
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 120 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0028 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 9400/160
Монтаж: THT
у наявності: 61 шт
  • 23 шт - склад
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+165.00 грн
10+154.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 75V 120A TO247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+230.40 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+230.40 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+174.89 грн
10+154.80 грн
25+143.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1InfineonMOSFET N-CH 75V 120A TO247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.52 грн
25+280.73 грн
100+232.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+395.57 грн
25+346.43 грн
100+231.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+394.85 грн
41+345.80 грн
100+231.57 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP31N50IR2002 TO-247
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP31N50LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP31N50LIRTO-3PL
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP31N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP31N50LPBF
Код товару: 52445
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP31N50LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 500V 31A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP31N50LPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP31N50LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 31 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP31N50LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3205 транзистор польовий
Код товару: 109766
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3205PBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206
Код товару: 99502
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 120 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,4 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 6540/120
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+57.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206International RectifierTranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 200A; 280W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3206; IRFP3206; IRFP3206 TIRFP3206
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+163.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.43 грн
10+175.62 грн
100+170.55 грн
400+159.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBFInternational RectifierTO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+273.95 грн
10+163.17 грн
25+125.52 грн
50+107.94 грн
100+103.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+176.50 грн
100+171.39 грн
400+160.36 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 120 А, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 6540 @ 50, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 3 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 150 мкА,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+338.10 грн
44+323.57 грн
50+311.24 грн
100+289.94 грн
250+260.32 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBFXKMA1Infineon Technologies IR FET UP TO 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFP3206PBFXKMA1
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+183.46 грн
500+174.05 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP32N50KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP32N50K
Код товару: 57713
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 32 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,135 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5280/190
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+125.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP32N50KSiliconixTransistor N-MOSFET; 500V; 30V; 160mOhm; 32A; 460W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP32N50K; IRFP32N50K TIRFP32n50k
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+372.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP32N50KVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP32N50KPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP32N50KPBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP32N50KPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 500V 32A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP32N50KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP32N50KPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP32N50KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 32 A, 0.16 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306International RectifierN-MOSFET HEXFET 120A 60V 220W 0.0042Ω IRFP3306 TIRFP3306
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+94.34 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+395.14 грн
38+378.16 грн
50+363.75 грн
100+338.86 грн
250+304.24 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBF
Код товару: 1056
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 120 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,3 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4520/85
Монтаж: THT
у наявності: 3 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+105.00 грн
10+98.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFP3306PBFXKMA1
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+363.50 грн
10+192.85 грн
100+127.84 грн
400+120.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFXKMA1Infineon Technologies TRENCH 40<-<100V
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFP3306PBFXKMA1
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+365.31 грн
73+193.82 грн
110+128.48 грн
400+121.10 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFP3306PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP340HARRISIRFP340
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.53 грн
500+143.47 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP340onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP340Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP340HARRISIRFP340
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.53 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP340Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP340Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP340A
на замовлення 953 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP340PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 400V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP340PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP340PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP340PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 11 A, 0.55 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP340PBF
Код товару: 152111
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP340PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+300.47 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP341
на замовлення 763 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP341HARRISIRFP341
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+148.18 грн
Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP341Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFP3415 IRFP3415TR IRFP3415 TIRFP3415
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+89.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+354.59 грн
10+249.64 грн
100+178.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+166.43 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 144.4nCAC
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.44 грн
10+142.25 грн
25+133.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]