Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFP4229PBF | IRFP4229PBF Транзисторы MOS FET Power | на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFP4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 21571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4229PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4229PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.046 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4229PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4229PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4229PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | на замовлення 9200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4229PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | на замовлення 9200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4232 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4232 | на замовлення 6725 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4232PBF Код товару: 32427
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFP4232PBF | IR | TO-247 | на замовлення 491841 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4232PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO247AC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7290 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 430W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.7mOhm @ 42A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4242PBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4242PBF Код товару: 49664
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, В: 300 В Струм стоку Idd, А: 46 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,049 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 7370/165 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| IRFP4310Z | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 6mOhm; 134A; 280W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4310Z; IRFP4310ZXKMA1; IRFP4310Z TIRFP4310z кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 3 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4310Z | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4310Z | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 6mOhm; 134A; 280W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4310Z; IRFP4310ZXKMA1; IRFP4310Z TIRFP4310z кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 18 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4310ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg | на замовлення 7202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4310ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 134A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4310ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 134A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4310ZPBF Код товару: 40700
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| IRFP4310ZPBF | MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFP4310ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4310ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 134A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4310ZPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0048 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4310ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 134A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4310ZPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6860 @ 50, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 6 мОм @ 75 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 150 мкА, Р, Вт = 280, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247AC Очікується: 2000 кількість в упаковці: 25 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4310ZPBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-901 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4310ZPBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4310ZPBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 134 A, 6000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 134A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4310ZPBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4310ZPBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFP4310ZPBFXKMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4321 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4321 Код товару: 99503
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, В: 150 В Струм стоку Idd, А: 55 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 12 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4460/71 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| IRFP4321 | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 78A 150V 310W 0.0155Ω IRFP4321 TIRFP4321 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4321PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 78A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 7100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4321PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 78A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 7100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4321PBF Код товару: 113424
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, В: 150 В Струм стоку Idd, А: 78 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 12 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4460/71 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| IRFP4321PBF | Infineon | N-channel MOSFET, 78 A, 150 V HEXFET,TO-247AC Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4321PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 78A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V | на замовлення 3476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4321PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4321PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 78 A, 0.0155 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4321PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 78A 15.5mOhm 71nC Qg | на замовлення 343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4321PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 78A; 310W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 78A Power dissipation: 310W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4321PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 78A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4321PBFXKMA1 | Infineon Technologies | TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4321PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 78A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4321PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 78A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4332 | International Rectifier | N-MOSFET 57A 250V 360W 0.033Ω IRFP4332 TIRFP4332 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4332 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4332-203PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4332PBF | International Rectifier HiRel Products | IRFP4332PBF | на замовлення 27573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4332PBF Код товару: 52727
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFP4332PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 3073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4332PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4332PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 57 A, 0.029 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120mW Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4332PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 3073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4332PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4332PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 57A; 360W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 57A Power dissipation: 360W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4332PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 250V 57A 33mOhm 99nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4332PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4332PBF | MOSFET N-CH 250V 57A TO-247AC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFP4332PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4332PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4332PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4332PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 57A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4332PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4332PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 57A | на замовлення 7600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4332PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 57A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4368 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFP4368PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 350A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 380nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4368PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 26200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4368PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 350A 1.85mOhm 380nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4368PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4368PBF | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A TO-247AC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4368PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4368PBF Код товару: 34958
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, В: 75 В Струм стоку Idd, А: 350 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,00146 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 19230/570 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| IRFP4368PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4368PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4368PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 350 A, 0.00146 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00146ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4368PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4368PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19230 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4368PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4368PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 350 A, 1850 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 520W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm | на замовлення 221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 2953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19230 pF @ 50 V | на замовлення 1230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4368PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 350A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 380nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 2953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | на замовлення 1276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A TO-247AC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP440 | HARRIS | IRFP440 | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP440 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP440 | Harris Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 8.8A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | на замовлення 1892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP440 | HARRIS | IRFP440 | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP440 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP440 | IR | TO-247 | на замовлення 18950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP440 | HARRIS | IRFP440 | на замовлення 1322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP440 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 8.8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP440PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP440PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP440PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.8 A, 0.85 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 150W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm | на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP440PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

