Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFP4321PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 78A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 78A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+180.50 грн
10+148.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4321PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFP4321PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 78 A, 0.0155 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 310W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4321PBFXKMA1Infineon Technologies TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332International RectifierN-MOSFET 57A 250V 360W 0.033Ω IRFP4332 TIRFP4332
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+156.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332-203PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+300.79 грн
400+198.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332PBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRFP4332PBF
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+238.73 грн
500+226.97 грн
1000+214.03 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 250V 57A 33mOhm 99nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 57A; 360W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 57A
Power dissipation: 360W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332PBFMOSFET N-CH 250V 57A TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+300.79 грн
400+198.83 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP4332PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 57 A, 0.029 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120mW
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+537.67 грн
28+514.56 грн
50+494.95 грн
100+461.08 грн
250+413.99 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332PBF
Код товару: 52727
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+302.52 грн
48+299.44 грн
100+220.56 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.52 грн
25+299.44 грн
100+220.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+526.12 грн
25+297.22 грн
50+270.16 грн
100+232.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+318.70 грн
500+302.23 грн
1000+284.59 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19230 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 350A 1.85mOhm 380nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 75V 350A TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP4368PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 350 A, 0.00146 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00146ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+653.64 грн
29+498.13 грн
100+460.08 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBF
Код товару: 34958
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 350 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,00146 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 19230/570
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+127.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+654.13 грн
10+498.51 грн
100+460.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+278.66 грн
52+275.83 грн
53+268.46 грн
100+248.84 грн
500+199.91 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+248.47 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+521.45 грн
10+327.60 грн
25+300.51 грн
50+280.20 грн
100+259.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.70 грн
25+278.85 грн
50+271.40 грн
100+251.56 грн
500+202.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19230 pF @ 50 V
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+532.45 грн
25+303.01 грн
50+275.79 грн
100+237.34 грн
500+199.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1InfineonTrans MOSFET N-CH Si 75V 350A TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFP4368PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 350 A, 1850 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+248.47 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP440HARRISIRFP440
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+302.23 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP440Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 8.8A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+191.00 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP440Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP440IRTO-247
на замовлення 18950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP440HARRISIRFP440
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+302.23 грн
500+285.77 грн
1000+270.48 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP440Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP440onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP440HARRISIRFP440
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+302.23 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP440PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+133.92 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP440PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; 150W; TO247AC
Case: TO247AC
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Gate charge: 63nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.85Ω
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+307.22 грн
5+220.09 грн
10+181.15 грн
25+139.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP440PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP440PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8.8A TO247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.79 грн
25+219.78 грн
50+198.92 грн
100+170.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP440PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP440PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.8 A, 0.85 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP440PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 500V 8.8A N-CH MOSFET
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP440PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+133.58 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP440PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+393.18 грн
46+307.41 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP440PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP440PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+319.87 грн
50+302.00 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4410ZInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4410Z
Код товару: 99504
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 69 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 7,2 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4820/83
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+54.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+157.58 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4410ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4410ZPBFInternational RectifierTO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4410ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 97A TO247AC
Packaging: Bag
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP4468PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 290 A, 2600 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+587.77 грн
29+489.60 грн
37+389.52 грн
50+349.72 грн
100+299.33 грн
250+228.28 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 195A TO-247 Транзистори
на замовлення 200 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF
Код товару: 36929
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 195 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,6 мОм
Монтаж: THT
у наявності: 116 шт
  • 100 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 4 шт
  • 4 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+275.00 грн
10+231.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 520W
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+419.35 грн
10+286.12 грн
25+239.56 грн
50+214.17 грн
100+210.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+588.22 грн
10+489.97 грн
25+389.81 грн
50+349.98 грн
100+299.56 грн
250+228.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 195A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1A
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 50 V
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+536.41 грн
25+304.77 грн
50+277.44 грн
100+238.77 грн
500+200.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFP4468PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP448IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP448Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP448PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 500V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP448PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP448PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP448PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP448PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP448PBFVISHAY
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP448PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP450STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP450STMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP450
Код товару: 7939
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 14 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+42.50 грн
10+37.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP450VishayN-MOSFET 14A 500V 180W 0.4Ω IRFP450 TIRFP450
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+95.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP450HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 500mOhm; 14A; 190W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP450; IRFP450 HXY MOSFET TIRFP450 HXY
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+69.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP450IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP450Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]