Продукція > BSS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS138WH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS138WH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS138WH6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS138WH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 3.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 14150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS138WH6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Pulsed drain current: 1.12A Power dissipation: 0.5W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS138WH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS138WH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS138WL6327 | Infineon | 08+ | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS138WQ-13-F | Diodes Incorporated | MOSFETs BSS Family SOT323 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS138WQ-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS138WQ-13-F | Diodes Incorporated | Description: BSS FAMILY SOT323 T&R 10K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS138WQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: BSS FAMILY SOT323 T&R 3K Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS138WQ-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 280mA; Idm: 1A; 500mW; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.5W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS138WQ-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs BSS Family SOT323 T&R 3K | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS138WQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.28A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS138WQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: BSS FAMILY SOT323 T&R 3K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS138WT106 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin UMT T/R | на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 455 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS138WT106 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin UMT T/R | на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 53 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS138WT106 | ROHM | Description: ROHM - BSS138WT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.4 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm | на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS138WT106 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 60V 310MA, SOT-323, SMALL SI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 310mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 30 V | на замовлення 3849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS138WT106 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin UMT T/R | на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS138WT106 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin UMT T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS138WT106 | ROHM | Description: ROHM - BSS138WT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.4 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm | на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS138WT106 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 60V 310MA, SOT-323, SMALL SI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 310mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS138WT106 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin UMT T/R | на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS138WT106 | ROHM Semiconductor | MOSFETs UMT3M C-CH 60V 310MA | на замовлення 7662 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS138\SS | lnfineon | SOT-23 | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS138_D87Z | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS138_D87Z | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS138_D87Z | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET NCH 50V 220MA SOT23 | на замовлення 2420000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS138_L99Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS138_NL | FSC | 07+ | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS138_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS138_R1_00501 | PanJit Semiconductor | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; DFN2020B-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.2A Case: DFN2020B-6 Gate-source voltage: 20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS139 Код товару: 30158
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: -250 V Струм стоку Idd, A: 0,03 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 30 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 60/0,14 Примітка: Польові транзистори N-канал (JFET) Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| BSS139 | infineon | 03/04+ SOT23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS139 E6327 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSS139 E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS139 E6906 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSS139 E6906 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS139 H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS139 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 30mA SOT-23-3 | на замовлення 24178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS139 H6906 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS | на замовлення 23205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS139 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 250V 40mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS139 L6906 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 250V 100mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS139-E6327 | на замовлення 29500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS139H6327 Код товару: 82516
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 250 V Струм стоку Idd, A: 0,03 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 30 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 60/2,3 Примітка: Польові транзистори N-канал (JFET) Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| BSS139H6327 | Infineon technologies | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSS139H6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 30mA SOT-23-3 | на замовлення 11451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS139H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS139H6327XTSA1 Код товару: 185807
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 250 V Струм стоку Idd, A: 0,1 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 30 Ohm Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||
| BSS139H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS139H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 30mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS139H6327XTSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS139H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 30Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 250V Kind of channel: depletion | на замовлення 4457 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS139H6327XTSA1 | Infineon | N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS139H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm | на замовлення 158792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS139H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS139H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS139H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 41995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS139H6327XTSA1 | Infineon | N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS139H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm | на замовлення 158792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS139H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS139H6906XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm | на замовлення 34830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS139H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS139H6906XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm | на замовлення 34830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS139H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS139H6906XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL N-CH | на замовлення 39635 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS139IXTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS139IXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 100mA; 360mW; SOT23-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 14Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Application: automotive industry Version: ESD | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS139IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS139IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS139IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 360mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 7.8ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm | на замовлення 5750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS139IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS139IXTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS | на замовлення 10980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS139IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 11079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS139IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS139IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS139IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS139IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm | на замовлення 5750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS139IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS139IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSS139IXUSA1 | Infineon Technologies | SMALL SIGNAL MOSFETS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS139IXUSA1 | Infineon Technologies | N-channel depletion-mode small signal transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS139L6327 Код товару: 44054
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 250 V Струм стоку Idd, A: 0,1 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 30 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 60 / 2,3 Монтаж: SMD | у наявності: 1 шт
|
| ||||||||||||||
| BSS139L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS139L6906HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) FET Type: N-Channel, Depletion Mode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS14 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSS149 | на замовлення 80000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS15 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSS159 | infineon | 03/04+ SOT23 | на замовлення 42100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS159N | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel Depletion MOSFETs (60 V to 600 V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS159N E6327 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS159N E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS159N E6906 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS159N E6906 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS159N H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | на замовлення 2912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS159N H6327 | INFINEON 10+ SOT-23 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSS159N H6906 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | на замовлення 41583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS159N H6906 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS159N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS159N L6906 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 130mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSS159N-HXY | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS159N E6327; BSS159N E6906; BSS159NH6327XTSA1; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6906XTSA1; BSS159N HXY MOSFET TBSS159n HXY кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|

