Продукція > DMP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP2900UDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 T&R 3K
на замовлення 11080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.63A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 370mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.78 грн
6000+4.15 грн
9000+3.91 грн
15000+3.43 грн
21000+3.28 грн
30000+3.14 грн
75000+2.78 грн
150000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.63A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 370mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 220929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.30 грн
23+13.46 грн
100+8.42 грн
500+5.84 грн
1000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT363 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 370mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UDWQ-7Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode Mosfet
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49 pF @ 16 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 6553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49 pF @ 16 V
на замовлення 14118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.75 грн
24+12.86 грн
29+10.62 грн
50+8.65 грн
100+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UFBQ-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2900UT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R 3K
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2900UT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UV-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -680mA; Idm: -2.5A; 800mW
Drain current: -680mA
Gate charge: 0.7nC
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 13 inch reel; tape
On-state resistance: 25Ω
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -680mA; Idm: -2.5A; 800mW
Drain current: -680mA
Gate charge: 0.7nC
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 25Ω
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UVQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UVQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3004SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V P-CH MOSFET
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3004SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 16.2A 8SO T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7693 pF @ 15 V
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.92 грн
10+79.27 грн
100+53.50 грн
500+39.84 грн
1000+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3004SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 16.2A 8SO T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7693 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3006LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3006LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3006LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.55 грн
7500+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 18.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 7142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3007LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18.5 A, 5800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 18.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
на замовлення 4695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.30 грн
10+58.18 грн
100+38.46 грн
500+28.16 грн
1000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3007LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18.5 A, 5800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3007LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3007LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.42 грн
10+56.02 грн
25+47.12 грн
50+39.02 грн
100+34.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 17392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3007SCG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 6800 µohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3007SCG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 6800 µohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.76 грн
10+99.02 грн
25+84.03 грн
50+70.11 грн
100+62.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.22 грн
10+93.41 грн
25+79.27 грн
50+66.14 грн
100+59.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCGQ-7Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3007SFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0043 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3007SFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0043 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.28 грн
15+53.43 грн
25+52.23 грн
100+39.38 грн
250+35.24 грн
500+31.58 грн
1000+29.20 грн
3000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 70A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.35 грн
10+51.15 грн
100+35.39 грн
500+27.75 грн
1000+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 5739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 70A POWERDI3333
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.08 грн
6000+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.38 грн
12+64.01 грн
25+63.42 грн
50+60.56 грн
100+40.42 грн
250+38.42 грн
500+32.52 грн
1000+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 70A POWERDI3333
на замовлення 12006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.63 грн
10+59.61 грн
25+50.20 грн
50+41.61 грн
100+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SPSDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 80W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 90A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 90A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 5350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 80W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 90A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.13 грн
10+51.83 грн
100+35.88 грн
500+28.13 грн
1000+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SPSQ-13Diodes ZetexGreen P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 25V~30V POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.22 грн
5000+32.30 грн
12500+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
на замовлення 259439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.14 грн
10+32.83 грн
100+21.17 грн
500+15.15 грн
1000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 10019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
на замовлення 258000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.67 грн
4000+12.01 грн
6000+11.43 грн
10000+10.11 грн
14000+9.74 грн
20000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.92 грн
10+79.12 грн
100+53.18 грн
500+39.46 грн
1000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A
на замовлення 8651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+34.81 грн
4000+33.36 грн
6000+32.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 8.6A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.1A; 0.9W; PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.1A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 0.9W
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+98.44 грн
10+58.00 грн
100+42.71 грн
500+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 8.6A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.