Продукція > DMP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30 33 36 38  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP2900UVQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UVQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3004SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V P-CH MOSFET
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3004SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 16.2A 8SO T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7693 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3004SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 16.2A 8SO T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7693 pF @ 15 V
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.11 грн
10+80.01 грн
100+53.99 грн
500+40.21 грн
1000+37.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3006LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 18.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
на замовлення 4695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.19 грн
10+58.72 грн
100+38.82 грн
500+28.42 грн
1000+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3007LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18.5 A, 5800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.92 грн
500+31.25 грн
1000+26.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 7142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 18.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3007LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18.5 A, 5800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.54 грн
13+64.87 грн
100+42.92 грн
500+31.25 грн
1000+26.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3007LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.99 грн
12+71.21 грн
100+47.31 грн
500+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 14A 8SO T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.03 грн
10+63.85 грн
100+42.39 грн
500+31.16 грн
1000+28.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3007LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.31 грн
500+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 14A 8SO T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
на замовлення 72598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+52.61 грн
100+34.67 грн
500+25.28 грн
1000+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.10 грн
6000+19.69 грн
9000+18.88 грн
15000+16.86 грн
21000+16.36 грн
30000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 24629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3007SCG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 6800 µohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.77 грн
500+27.93 грн
1000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+52.61 грн
100+34.67 грн
500+25.28 грн
1000+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3007SCG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 6800 µohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.66 грн
50+57.87 грн
100+38.77 грн
500+27.93 грн
1000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.62 грн
6000+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.65 грн
10+87.78 грн
100+59.27 грн
500+44.17 грн
1000+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.65 грн
10+87.78 грн
100+59.27 грн
500+44.17 грн
1000+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCGQ-7Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SCGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 5739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 70A POWERDI3333
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+51.63 грн
100+35.72 грн
500+28.01 грн
1000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3007SFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0043 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.15 грн
500+27.25 грн
1000+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 70A POWERDI3333
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3007SFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0043 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.81 грн
18+47.31 грн
100+37.15 грн
500+27.25 грн
1000+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.14 грн
15+53.31 грн
25+52.11 грн
100+39.30 грн
250+35.17 грн
500+31.51 грн
1000+29.14 грн
3000+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 70A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.49 грн
10+56.08 грн
100+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.20 грн
12+63.87 грн
25+63.28 грн
50+60.43 грн
100+40.33 грн
250+38.33 грн
500+32.45 грн
1000+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SPSDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 90A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 80W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.55 грн
14+59.91 грн
100+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 90A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+52.31 грн
100+36.21 грн
500+28.39 грн
1000+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.24 грн
500+31.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 5350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 90A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 25V~30V POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.55 грн
5000+32.60 грн
12500+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3007SPSQ-13Diodes ZetexGreen P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
на замовлення 259439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+33.14 грн
100+21.37 грн
500+15.29 грн
1000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
на замовлення 258000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.79 грн
4000+12.12 грн
6000+11.53 грн
10000+10.20 грн
14000+9.83 грн
20000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 10019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A
на замовлення 8753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.11 грн
10+79.86 грн
100+53.67 грн
500+39.83 грн
1000+36.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.12 грн
10+86.16 грн
100+53.65 грн
500+41.66 грн
1000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.65 грн
500+41.66 грн
1000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.65 грн
500+41.66 грн
1000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 8.6A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.1A; 0.9W; PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.1A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 0.9W
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.35 грн
10+58.54 грн
100+43.11 грн
500+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 8.6A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.95 грн
10+73.67 грн
100+54.37 грн
500+40.34 грн
1000+36.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.0125 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.12 грн
10+86.16 грн
100+53.65 грн
500+41.66 грн
1000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 8.6A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.13 грн
4000+33.66 грн
6000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3008SFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 8.6A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LK3Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 17A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.48 грн
5000+20.89 грн
7500+20.02 грн
12500+17.86 грн
17500+17.32 грн
25000+16.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0065 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.58 грн
500+28.46 грн
1000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 17A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
на замовлення 42615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+54.50 грн
100+35.91 грн
500+26.23 грн
1000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0065 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.36 грн
50+53.00 грн
100+36.58 грн
500+28.46 грн
1000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 9544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 17A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.79 грн
5000+25.43 грн
7500+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3010LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.97 грн
14+58.93 грн
100+44.71 грн
500+32.38 грн
1000+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgs
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 17A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 100372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.49 грн
10+59.78 грн
100+39.83 грн
500+30.05 грн
1000+27.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP3010LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.71 грн
500+32.38 грн
1000+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LPSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 14.5A PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.21 грн
5000+28.81 грн
7500+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET P-CH -30V VBR 1KV 2.18W PD Min RDS
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30 33 36 38  [ Наступна Сторінка >> ]