Продукція > IRL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 28 32 36 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLBA1304PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLBA1304PPBF
Код товару: 125791
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLBA1304PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-273AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLBA3803VishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLBA3803Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 71A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 179A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: Super-220™
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLBA3803
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLBA3803Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLBA3803PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 71A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 179A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-273AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLBA3803PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLBA3803PPBF (транзистор)
Код товару: 57906
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLBD59N04EIRLBD59N04E Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLBD59N04EPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLBD59N04ETRLPInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLBD59N04ETRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 59A TO263-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-5
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLBL1304Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 185A SUPER D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: Super D2-Pak
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Super D2-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLC034NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 55V 28A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLC2502CDVInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLC3813EBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLC8256EDInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLC8259EDInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD014Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD014Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD014(MFET,N-CH,LL,1.3W,60V,1.7A,HEXDIP) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD014PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLD014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 5272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.62 грн
16+51.29 грн
100+37.80 грн
500+25.36 грн
1000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD014PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,7 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 8,4 @ 5 В, Rds = 200 мОм @ 1 A, 5 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD014PBF
Код товару: 37496
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD014PBF(MFET,N-CH,LL,1.3W,60V,1.7A,HEXDIP) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.93 грн
10+81.29 грн
100+65.23 грн
500+54.86 грн
1000+46.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD014PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 60V 1.7A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+81.69 грн
216+65.55 грн
500+57.18 грн
1000+50.93 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD024SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 10V; 140mOhm; 2,5A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; IRLD024 TIRLD024
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD024Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD024Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD024Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD024PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD024PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 60V 2.5A N-CH MOSFET
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD024PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLD024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD024PBF
Код товару: 104736
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: HVMDIP-4
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 2,5 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 870/18
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
1+23.50 грн
10+20.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD024PBFMOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLD110PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLD110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.56 грн
10+103.23 грн
100+75.51 грн
500+57.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.20 грн
10+114.20 грн
100+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 100V 1A N-CH MOSFET
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+136.81 грн
143+99.01 грн
168+84.21 грн
250+73.55 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBF
Код товару: 30512
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.98 грн
10+102.03 грн
100+86.78 грн
250+75.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 1A 4DIP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.81 грн
10+99.01 грн
100+84.21 грн
250+73.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBF 
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120
Код товару: 107905
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+95.23 грн
185+76.84 грн
250+76.39 грн
500+66.27 грн
1000+55.02 грн
2500+50.79 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+91.18 грн
157+90.20 грн
158+89.71 грн
208+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.32 грн
10+94.76 грн
100+76.46 грн
250+73.30 грн
500+61.06 грн
1000+52.55 грн
2500+50.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.65 грн
10+91.18 грн
25+90.20 грн
50+86.50 грн
100+67.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.95 грн
10+96.73 грн
100+72.59 грн
500+56.53 грн
1000+45.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBFVishay SemiconductorsMOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLF120International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLF120Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLF120PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLF120SCXInfineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLF120SCXInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A 3-Pin TO-205AF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLF130IR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLF130AIR
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLG5 310X220X0.25TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 12.205"X8.661"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLG5 310X220X0.5TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 12.205"X8.661"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLG5AB 300X200X0.25TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLG5AB 300X200X0.5TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TR
Код товару: 99530
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN5*6
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 88 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 9,9 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 5185/94
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+62.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5185 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+300.84 грн
53+268.54 грн
57+249.04 грн
62+221.59 грн
100+188.24 грн
250+163.18 грн
500+145.89 грн
1000+118.77 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 3.6W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PQFN5X6
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 44nC
на замовлення 3268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLH5030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.009 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.28 грн
10+141.44 грн
100+106.48 грн
500+82.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+300.84 грн
10+268.54 грн
25+249.04 грн
50+221.59 грн
100+188.24 грн
250+163.18 грн
500+145.89 грн
1000+118.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TRPBFInfineonMOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5185 pF @ 50 V
на замовлення 6917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.17 грн
10+140.09 грн
100+96.88 грн
500+73.58 грн
1000+69.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5185 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+62.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLH5030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.009 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.48 грн
500+82.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5034TR2
Код товару: 99531
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN5*6
Напруга сток-витік Uds, V: 40 V
Струм стоку Idd, A: 100 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 3,2 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 4730/82
Примітка: Управління логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+39.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5034TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5034TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+104.78 грн
144+98.77 грн
165+85.80 грн
200+78.98 грн
1000+66.93 грн
2000+61.02 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5034TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5034TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLH5034TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2400 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.08 грн
10+116.24 грн
100+79.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5034TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5034TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5034TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+48.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5034TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 2.4mOhms
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 28 32 36 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]