Продукція > NTM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTMFS4C08NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NAT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
644+54.97 грн
Мінімальне замовлення: 644 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NAT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 52A 5.8M
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NAT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP
на замовлення 685500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
644+54.97 грн
1000+50.69 грн
10000+45.20 грн
100000+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 644 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NAT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+58.12 грн
100+45.23 грн
500+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NAT1GON Semiconductor
на замовлення 7490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NAT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
644+54.97 грн
1000+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 644 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NAT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
644+54.97 грн
1000+50.69 грн
10000+45.20 грн
Мінімальне замовлення: 644 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NAT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NAT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
644+54.97 грн
1000+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 644 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NBT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V SO8FL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NBT1GON Semiconductor
на замовлення 8660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NBT1GON SemiconductorNFET SO8FL 30V 52A 5.8M Ohm
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
644+54.97 грн
1000+50.69 грн
10000+45.20 грн
Мінімальне замовлення: 644 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NBT1GON SemiconductorNFET SO8FL 30V 52A 5.8M Ohm
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
644+54.97 грн
1000+50.69 грн
10000+45.20 грн
Мінімальне замовлення: 644 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NBT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V SO8FL
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.00 грн
10+70.65 грн
100+47.18 грн
500+34.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NBT1GON SemiconductorNFET SO8FL 30V 52A 5.8M Ohm
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
644+54.97 грн
1000+50.69 грн
10000+45.20 грн
Мінімальне замовлення: 644 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NBT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NBT1GON SemiconductorNFET SO8FL 30V 52A 5.8M Ohm
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
644+54.97 грн
1000+50.69 грн
10000+45.20 грн
Мінімальне замовлення: 644 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NBT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NBT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NCT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH
на замовлення 3567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NCT1GON SemiconductorNTMFS4C09NCT1G
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
882+40.11 грн
1000+36.99 грн
10000+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 882 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4C09NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 5800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25.5W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.67 грн
26+32.43 грн
100+20.81 грн
500+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1136+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 1136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
на замовлення 5310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+49.14 грн
100+32.24 грн
500+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4C09NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 5800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25.5W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.81 грн
500+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 52A, 5.8mohm
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NT1GON Semiconductor
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.25 грн
3000+19.64 грн
4500+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NT1G-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NT1G-001ON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NT3GonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 52A, 5.8mohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 46A 6.96MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NAT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 46A 6
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NAT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4C10NAT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NAT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL
Packaging: Bulk
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 812 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NAT1GON SemiconductorNFET SO8Fl 30V 46A 6.96MO
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
938+37.71 грн
1017+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 938 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NAT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NAT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.4A/46A 5DFN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.51W (Ta), 23.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NAT3GON SemiconductorMOSFET N-CH 30V 16.4A 46A 5DFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NAT3GON SemiconductorMOSFET T6 LC SO8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NBT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 46A 6.96MO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NBT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.4A/46A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.51W (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.63 грн
10+76.76 грн
100+51.73 грн
500+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NBT1GON SemiconductorNFET SO8FL 30V 46A 6.96M Ohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
444+79.81 грн
500+71.83 грн
1000+66.24 грн
Мінімальне замовлення: 444 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NBT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.4A/46A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.51W (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NBT1GON SemiconductorNFET SO8FL 30V 46A 6.96M Ohm
на замовлення 339350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
444+79.81 грн
500+71.83 грн
1000+66.24 грн
10000+56.95 грн
100000+44.18 грн
Мінімальне замовлення: 444 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NBT1G-01ON SemiconductorNTMFS4C10NBT1G-01
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
444+79.81 грн
500+71.83 грн
1000+66.24 грн
Мінімальне замовлення: 444 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NBT3GON SemiconductorNFET SO8FL 30V 46A 6.96M Ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NBT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 46A 6.96MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NBT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.4A/46A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.51W (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NCT1GonsemiDescription: NFET SO8FL 30V 46A 6.96MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 46A (Tc)
Power Dissipation (Max): 2.49W (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V
на замовлення 247500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
14+23.02 грн
100+15.26 грн
500+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NCT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 46A 6.96MO
на замовлення 1373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NCT1GonsemiDescription: NFET SO8FL 30V 46A 6.96MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 46A (Tc)
Power Dissipation (Max): 2.49W (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V
на замовлення 247500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+8.31 грн
3000+7.28 грн
4500+7.09 грн
7500+6.41 грн
10500+6.39 грн
15000+5.85 грн
37500+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), 23.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
12+26.19 грн
100+16.80 грн
500+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 5169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2804+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 2804 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 250099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2804+12.62 грн
10000+11.25 грн
100000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 2804 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A 5DFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), 23.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4C10NT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 392242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NT1G
Код товару: 175661
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 36472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2804+12.62 грн
10000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 2804 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 46A, 6.95mohm
на замовлення 3821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NT1G-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/46A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V
на замовлення 668206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
908+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 908 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NT1G-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4C10NT1G-001 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46 A, 0.0058 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23.6W
Bauform - Transistor: SO-8 FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 668206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1603+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 1603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NT1G-001onsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 46A 6.96MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NT1G-001ON SemiconductorNTMFS4C10NT1G-001
на замовлення 668206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1368+25.84 грн
10000+23.04 грн
100000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 1368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NT1G-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/46A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NT3GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 46A 6.96MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 46A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+45.82 грн
100+30.10 грн
500+21.91 грн
1000+19.87 грн
2000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 46A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C13NBT1GonsemiDescription: NTMFS4C13N - MOSFET SO8FL 30V 38
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), 21.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Bulk
на замовлення 6286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
908+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 908 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C13NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C13NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.64 грн
6000+24.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C13NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A/38A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.11 грн
10+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C13NT1GON Semiconductor
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C13NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1643+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 1643 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C13NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 153822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1643+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 1643 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C13NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A/38A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C13NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 38A 9.1MOH
на замовлення 3329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C13NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C13NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1643+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 1643 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C13NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 38A 9.1MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C13NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A/38A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C250NonsemiMOSFET TRENCH 6 30V NCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C250NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.52 грн
10+44.46 грн
100+34.06 грн
500+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C250NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31.6A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C250NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C250NT1GonsemiMOSFET TRENCH 6 30V NCH
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C250NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.22 грн
31+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C250NT1G-01onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C290NT1GON SemiconductorMOSFET TRENCH 6 30V NCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C302NonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 1.15MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]