Продукція > SIS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SISS73DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 719 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS73DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.29 грн
177+80.01 грн
500+64.81 грн
1000+56.70 грн
3000+47.63 грн
6000+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS73DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 719 pF @ 75 V
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.36 грн
10+90.57 грн
50+68.43 грн
100+57.50 грн
500+45.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS73DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.72 грн
10+113.29 грн
100+80.01 грн
500+62.50 грн
1000+52.50 грн
3000+45.73 грн
6000+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS73DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PWRPK 150V 16.2A P-CH MOSFET
на замовлення 66905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 70V 19.6A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+52.00 грн
277+51.21 грн
281+50.42 грн
286+47.85 грн
290+43.61 грн
500+41.19 грн
1000+40.51 грн
3000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 70V 19.6A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.00 грн
25+51.21 грн
50+48.62 грн
100+44.31 грн
250+41.86 грн
500+41.19 грн
1000+40.51 грн
3000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS76LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 67.4 A, 0.0052 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAK1212 N-CH 70V 19.6A
на замовлення 33804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS76LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 67.4 A, 6250 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 70V 19.6A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.92 грн
10+63.85 грн
100+51.32 грн
500+41.57 грн
1000+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS78LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 70V 19.4A/66.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 66.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 35 V
на замовлення 5877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.52 грн
10+74.57 грн
100+55.94 грн
500+41.57 грн
1000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS78LDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAK1212 N-CH 70V 19.4A
на замовлення 40553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS78LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 70V 19.4A/66.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 66.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 35 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DNVishayArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DNVishayTrans MOSFET N-CH 20V 58.3A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V
на замовлення 8283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.90 грн
10+117.07 грн
100+80.15 грн
500+60.41 грн
1000+56.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 20V (D-S)
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 58.3A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 169A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 169A
Power dissipation: 42W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -8...12V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 300A
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+155.34 грн
10+86.38 грн
25+80.51 грн
30+79.67 грн
75+74.64 грн
100+72.96 грн
300+67.93 грн
500+65.41 грн
1000+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS80DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 210 A, 0.00076 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 210
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 65
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 760
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 760
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 58.3A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS92DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS92DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.173 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 65.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm
на замовлення 9437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS92DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.49 грн
10+79.25 грн
100+61.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS92DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 250V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS92DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS92DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS92DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.173 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 65.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm
на замовлення 9437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS94DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS94DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 200-V(D-S) PowerPAK 1212-8S
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS94DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS94DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19.5 A, 0.075 ohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 12658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS94DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 200V; 15.6A; Idm: 25A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain current: 15.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 42.1W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Technology: ThunderFET; TrenchFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS94DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS94DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19.5 A, 0.075 ohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 12658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS94DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS98DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.76 грн
9000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS98DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 24756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS98DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V
на замовлення 34743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.22 грн
10+70.35 грн
50+52.68 грн
100+44.09 грн
500+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISSD20M-3R3T
на замовлення 3718 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISSTV01N/A
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIST-10100
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISTG1013-211-LRT-BLantronixMedia Converters Ind Media Converter, 10/100/1000Base-T to 1000Base-SX, MM SC, Ext Temp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISTG1013-211-LRT-BLantronix, Inc.Description: IC
Features: LFPT
Packaging: Bulk
Connector Type: RJ45, SC
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 12V ~ 48V
Type: Unmanaged
Configuration: Fixed
Fiber Type: Multimode
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 1
Distance: 220m, 550m
MTU: Jumbo
Copper Ports: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISTG1014-211-LRT-BLantronix, Inc.Description: IC
Packaging: Bulk
Features: LFPT
Connector Type: RJ45, SC
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 12V ~ 48V
Type: Unmanaged
Configuration: Fixed
Fiber Type: Singlemode
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 1
Distance: 10km
MTU: Jumbo
Copper Ports: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISTG1014-211-LRT-BLantronixMedia Converters Ind Media Converter, 10/100/1000Base-T to 1000Base-LX, SM SC 10km, Ext Temp
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISTG1040-211-LRT-BLantronixMedia Converters Ind Media Converter, 10/100/1000Base-T to 100/1000Base-X, SFP, Ext Temp
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISTG1040-211-LRT-BLantronix, Inc.Description: UNMANAGED HARDENED MEDIA CONVERT
Features: LFPT
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 12V ~ 48V
Type: Unmanaged
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 1
SFP/XFP Ports: 1
MTU: Jumbo
Copper Ports: 1
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26813.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SISTG1040-242-LRTLantronixEthernet Modules Hardened Unmanaged Switch, 4-port GE , 2 SFP, 12-48VDC, - 40 - 75C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISTG1040-242-LRTLantronix, Inc.Description: IC
Packaging: Bulk
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount
Voltage - Input: -12V ~ -48V, 12V ~ 48V
Type: Switch - Unmanaged
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Number of Ports: 6
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Ports: 4
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 2
SFP/XFP Type: SFP
SFP/XFP Ports: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISTG1040-282-LRTLantronixUnmanaged Ethernet Switches Hardened Unmanaged Switch, 8-port GE , 2 SFP, 12-48VDC, - 40 - 75C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISTG1040-282-LRTLantronix, Inc.Description: IC
Packaging: Bulk
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount
Voltage - Input: -12V ~ -48V, 12V ~ 48V
Type: Switch - Unmanaged
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Number of Ports: 10
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Ports: 8
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 2
SFP/XFP Type: SFP
SFP/XFP Ports: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISTP1040-342-LRTLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Hardened Unmanaged Switch, 4-port GE POE+, 2 SFP, 120W POE, 54VDC, - 40 - 75C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISTP1040-342-LRTLantronix, Inc.Description: IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISTP1040-382-LRTLantronix, Inc.Description: UNMANAGED HARDENED ETHERNET POE+
SFP/XFP Ports: 2
PoE Ports: 8
SFP/XFP Type: SFP
Fiber Ports: 2
Copper Type: 10/100/1000
Copper Ports: 8
Fiber Type: SFP
Ingress Protection: IP30
Number of Ports: 10
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Configuration: Fixed + SFP
Type: Switch - Unmanaged
Voltage - Input: 48V ~ 57V
Mounting Type: DIN Rail
Connector Type: RJ45, SFP
Packaging: Box
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35208.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SISTP1040-382-LRTLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Hardened Unmanaged Switch, 8-port GE POE+, 2 SFP, 240W POE, 54VDC, - 40 - 75C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISTP1040-382B-LRTLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Hardened Unmanaged Switch, 8-port GE PoE+, 2 SFP, 12/24VDC, -40 ? 70C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISTP1040-382B-LRTLantronix, Inc.Description: IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISTP1040-382B-LRT-L1Y3LantronixCalibration, Warranties, & Service Plans THREE-YEAR SUBSCRIPTION FOR TECHNICAL SUPPORT FOR LANTRONIX DEVICES. THE LEVEL 1 SERVICE PROVIDES 24/7/365 TECHNICAL SUPPORT.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISTP1040-551-LRTLantronix, Inc.Description: IC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+50367.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SISTP1040-551-LRTLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Hardened Unmanaged Switch 4-port GE PoE++ (1) 10/100/1000Bast-T 1 100/1000 SFP 3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISU162
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.