Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 176 198 220 223  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFP460PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
на замовлення 19450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+643.64 грн
25+371.85 грн
100+312.73 грн
500+249.12 грн
1000+240.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBF
Код товару: 23707
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4200/210
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+96.00 грн
10+84.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 895000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+282.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBF
Код товару: 192334
2 Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4200/210
Монтаж: THT
у наявності: 23 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+135.00 грн
10+122.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+548.86 грн
36+394.85 грн
100+341.32 грн
500+272.07 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+482.07 грн
34+426.75 грн
50+395.14 грн
100+360.70 грн
125+329.28 грн
150+312.72 грн
500+296.92 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 962 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+410.92 грн
5+326.34 грн
10+295.38 грн
25+261.08 грн
50+241.83 грн
100+229.28 грн
125+225.09 грн
150+222.58 грн
500+211.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 895000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+282.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBF
Код товару: 149448
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4200/210
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+110.00 грн
10+102.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+548.86 грн
10+394.85 грн
100+341.32 грн
500+272.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 500V 20A N-CH MOSFET
на замовлення 5414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 20 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 4200 @ 25, Qg, нКл = 210 @ 10 В, Rds = 270 мОм @ 12 А, 10 В, Ugs(th) = 4 @ 250 мкА, Р, Вт = 280 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 500 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 4188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+552.65 грн
10+399.07 грн
100+345.41 грн
500+275.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460_R4943onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP462HARRISIRFP462
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+455.11 грн
100+432.77 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP462Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+326.93 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668International RectifierTranzystor N-MOSFET; 200V; 30V; 9,7mOhm; 130A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4668; IRFP4668XKMA1; IRFP4668; IRFP4668 TIRFP4668
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+157.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668International RectifierTranzystor N-MOSFET; 200V; 30V; 9,7mOhm; 130A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4668; IRFP4668XKMA1; IRFP4668; IRFP4668 TIRFP4668
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+157.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 220V; 20V; 27mOhm; 130A; 700W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP4668; IRFP4668XKMA1; SP001572854; SP005732696; IRFP4668 JSMICRO TIRFP4668 JSM
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+112.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668
Код товару: 83053
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+260.51 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+301.89 грн
5+257.73 грн
10+236.81 грн
25+199.99 грн
50+174.89 грн
100+164.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFInfineonMOSFET N-Ch 200V 130A TO247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.30 грн
400+275.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+745.31 грн
25+710.91 грн
50+682.30 грн
100+634.73 грн
250+569.49 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBF
Код товару: 32680
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 130 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 8 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 10720/161
Монтаж: THT
у наявності: 136 шт
  • 106 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+295.00 грн
10+279.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP4668PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 9700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
на замовлення 3096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+303.30 грн
400+275.40 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFMOSFET N-Ch 200V 130A TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+260.51 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1Infineon TechnologiesPower MOSFET
на замовлення 13300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+241.08 грн
500+228.14 грн
1000+216.38 грн
10000+196.18 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.22 грн
25+286.09 грн
100+238.36 грн
500+187.86 грн
1000+176.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1Infineon TechnologiesPower MOSFET
на замовлення 7815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+498.00 грн
49+292.10 грн
100+277.87 грн
400+254.10 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1Infineon TechnologiesPower MOSFET
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+481.80 грн
10+302.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1InfineonN-Channel 200 V 130A (Tc) 520W Through Hole TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1Infineon TechnologiesPower MOSFET
на замовлення 7815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+499.54 грн
10+293.00 грн
100+278.73 грн
400+254.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1Infineon TechnologiesPower MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 11570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+328.92 грн
3+278.65 грн
10+237.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1Infineon TechnologiesPower MOSFET
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+481.80 грн
47+302.04 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP470IXYSMOSFETs 24 Amps 500V 0.23 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP470IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4710International RectifierHEXFET power MOSFET. VDSS = 100 V, RDS(on) = 0.014 Ohm, ID = 72 A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 22467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.40 грн
500+166.99 грн
1000+157.58 грн
10000+142.88 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4710PBF
Код товару: 83493
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4710PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 72A TO247AC
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 23375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.40 грн
500+166.99 грн
1000+157.58 грн
10000+142.88 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4710PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 72 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6160 @ 25, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 14 мОм @ 45 A, 10 В, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 190 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4710PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFP4710PBF - IRFP4710 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4710PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 72A 14mOhm 110nCAC
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768International RectifierTranzystor N-MOSFET; 250V; 20V; 17,5mOhm; 93A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4768; IRFP4768XKMA1; IRFP4768 TIRFP4768
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+404.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768International RectifierTranzystor N-MOSFET; 250V; 20V; 17,5mOhm; 93A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4768; IRFP4768XKMA1; IRFP4768 TIRFP4768
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+404.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+471.43 грн
33+432.59 грн
50+404.66 грн
100+340.77 грн
250+323.83 грн
800+303.38 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 250V 83A 21mOhm 195nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP4768PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 56 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 370A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+632.48 грн
32+449.01 грн
50+424.11 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBF
Код товару: 55495
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Idd, А: 93 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 17,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 10880/180
Монтаж: THT
у наявності: 4 шт
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+415.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+719.75 грн
25+686.52 грн
50+658.89 грн
100+612.96 грн
250+549.95 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+223.53 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 13400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+249.31 грн
500+236.38 грн
1000+223.44 грн
10000+201.85 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+337.90 грн
47+303.11 грн
100+290.55 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.41 грн
25+199.42 грн
100+164.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+223.53 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+338.05 грн
25+301.70 грн
100+228.67 грн
500+218.30 грн
1000+189.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+337.19 грн
47+300.93 грн
100+228.09 грн
500+217.75 грн
1000+188.53 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Pulsed drain current: 370A
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+380.29 грн
10+230.95 грн
25+205.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 300V; -/+20V; 25,5mOhm; 70A; 517W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP4868; IRFP4868 INFINEON TIRFP4868
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+397.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 300V 70A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10774 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP4868PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 70 A, 0.0255 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 517W
Gate charge: 180nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFInfineonTrans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+687.72 грн
50+500.51 грн
100+444.06 грн
200+402.80 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 300V, 70A, 32 mOhm 180 nC Qg, TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBF (TO-247AC, Infineon)
Код товару: 56397
1 Додати до обраних Обраний товар
InfineonТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 300 В
Струм стоку Idd, А: 70 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 25,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 10774/180
Монтаж: THT
у наявності: 10 шт
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 7 шт
  • 7 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+390.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFAKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+369.47 грн
3+316.30 грн
10+271.12 грн
25+236.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFAKMA1Infineon Technologies TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10774 pF @ 50 V
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+580.30 грн
25+332.21 грн
100+278.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP540 транзистор
Код товару: 92457
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP640
Код товару: 153105
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP640NIRTO-220 10+
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430International RectifierN-MOSFET 404A 40V 366W IRFP7430 TO247AC TIRFP7430
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+209.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 176 198 220 223  Наступна Сторінка >> ]