Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V | на замовлення 19450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF Код товару: 23707
Додати до обраних
Обраний товар
| Vishay | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, В: 500 В Струм стоку Idd, А: 20 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4200/210 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 895000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF Код товару: 192334
2
Додати до обраних
Обраний товар
| Siliconix | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, В: 500 В Струм стоку Idd, А: 20 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4200/210 Монтаж: THT | у наявності: 23 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 2402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 962 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 895000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF Код товару: 149448
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Напруга сток-витік Uds, В: 500 В Струм стоку Idd, А: 20 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4200/210 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 2402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 500V 20A N-CH MOSFET | на замовлення 5414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay/IR | N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 20 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 4200 @ 25, Qg, нКл = 210 @ 10 В, Rds = 270 мОм @ 12 А, 10 В, Ugs(th) = 4 @ 250 мкА, Р, Вт = 280 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт кількість в упаковці: 500 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 4188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460_R4943 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP462 | HARRIS | IRFP462 | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP462 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V | на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668 | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 200V; 30V; 9,7mOhm; 130A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4668; IRFP4668XKMA1; IRFP4668; IRFP4668 TIRFP4668 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP4668 | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 200V; 30V; 9,7mOhm; 130A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4668; IRFP4668XKMA1; IRFP4668; IRFP4668 TIRFP4668 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668 | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 220V; 20V; 27mOhm; 130A; 700W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP4668; IRFP4668XKMA1; SP001572854; SP005732696; IRFP4668 JSMICRO TIRFP4668 JSM кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668 Код товару: 83053
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 130A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 161nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 177 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | Infineon | MOSFET N-Ch 200V 130A TO247AC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF Код товару: 32680
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Напруга сток-витік Uds, В: 200 В Струм стоку Idd, А: 130 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 8 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 10720/161 Монтаж: THT | у наявності: 136 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4668PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 9700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 520W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 30V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm | на замовлення 3096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | MOSFET N-Ch 200V 130A TO-247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | на замовлення 13300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V Power Dissipation (Max): 520W Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V | на замовлення 1817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 520W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm | на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | на замовлення 7815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | на замовлення 378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon | N-Channel 200 V 130A (Tc) 520W Through Hole TO-247AC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | на замовлення 7815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | на замовлення 11570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 130A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 161nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | на замовлення 378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP470 | IXYS | MOSFETs 24 Amps 500V 0.23 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP470 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4710 | International Rectifier | HEXFET power MOSFET. VDSS = 100 V, RDS(on) = 0.014 Ohm, ID = 72 A Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4710PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 22467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4710PBF Код товару: 83493
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP4710PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 72A TO247AC Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4710PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 23375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4710PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 72 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6160 @ 25, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 14 мОм @ 45 A, 10 В, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 190 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт кількість в упаковці: 25 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4710PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFP4710PBF - IRFP4710 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 167 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4710PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 72A 14mOhm 110nCAC | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4768 | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 250V; 20V; 17,5mOhm; 93A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4768; IRFP4768XKMA1; IRFP4768 TIRFP4768 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4768 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP4768 | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 250V; 20V; 17,5mOhm; 93A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4768; IRFP4768XKMA1; IRFP4768 TIRFP4768 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 13 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 250V 83A 21mOhm 195nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4768PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 56 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 520W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm | на замовлення 773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 66A Pulsed drain current: 370A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBF | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBF Код товару: 55495
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Напруга сток-витік Uds, В: 250 В Струм стоку Idd, А: 93 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 17,5 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 10880/180 Монтаж: THT | у наявності: 4 шт
|
| |||||||||||||||||||
| IRFP4768PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | на замовлення 13400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-901 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | на замовлення 1229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | на замовлення 566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | на замовлення 1228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 520W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm | на замовлення 621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 66A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Pulsed drain current: 370A | на замовлення 51 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4868 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 300V; -/+20V; 25,5mOhm; 70A; 517W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP4868; IRFP4868 INFINEON TIRFP4868 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 14 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4868 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4868PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 300V 70A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10774 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4868PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4868PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4868PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 70 A, 0.0255 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 517W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4868PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 70A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 32mΩ Power dissipation: 517W Gate charge: 180nC Technology: HEXFET® Gate-source voltage: ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4868PBF | Infineon | Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4868PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4868PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 300V, 70A, 32 mOhm 180 nC Qg, TO-247AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4868PBF (TO-247AC, Infineon) Код товару: 56397
1
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Напруга сток-витік Uds, В: 300 В Струм стоку Idd, А: 70 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 25,5 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 10774/180 Монтаж: THT | у наявності: 10 шт
на замовлення: 7 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRFP4868PBFAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 70A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4868PBFAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4868PBFAKMA1 | Infineon Technologies | TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4868PBFAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-901 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10774 pF @ 50 V | на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4868PBFAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP540 транзистор Код товару: 92457
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP640 Код товару: 153105
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP640N | IR | TO-220 10+ | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP7430 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP7430 | International Rectifier | N-MOSFET 404A 40V 366W IRFP7430 TO247AC TIRFP7430 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|

