Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFP460A | Siliconix | N-MOSFET 20A 500V 280W 0.27Ω IRFP460A TIRFP460 a кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 33 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460A | SMPS MOSFET TO247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP460A | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460APBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP460APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 280W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm | на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 2772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460APBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 1563 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460APBF Код товару: 45531
Додати до обраних
Обраний товар
| Siliconix | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, В: 500 В Струм стоку Idd, А: 20 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3100/105 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| IRFP460APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460APBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V | на замовлення 4739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460APBF Код товару: 22361
1
Додати до обраних
Обраний товар
| Siliconix | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, В: 500 В Струм стоку Idd, А: 20 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,22 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3520/56 Монтаж: THT | у наявності: 109 шт
на замовлення: 5 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRFP460APBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 500V 20A N-CH MOSFET | на замовлення 2826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460APBF | Vishay/IR | N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 20 А, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3100 @ 25, Qg, нКл = 105 @ 10 В, Rds = 270 мОм @ 12 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-247AC Очікується: 2 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460APBF/IR | IR | 08+; | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460APBFXKMA1 | Infineon Technologies | PLANAR >= 100V | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460APBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: PLANAR >= 100V Packaging: Tube Part Status: Not For New Designs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460APBFXKMA1 | Infineon | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP460APBFXKMA1 | Infineon Technologies | PLANAR >= 100V | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460APBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs PLANAR >= 100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460APBFXKMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFP460APBFXKMA1 - IRFP460AP - 100V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 83 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460BPBF Код товару: 206041
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP460BPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460BPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460BPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP460BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460BPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460BPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3094 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460C | onsemi / Fairchild | MOSFETs 500V N-Channel C-FET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460C | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460C_F109 | onsemi / Fairchild | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460C_NL | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460HPBF | Vishay Siliconix | Description: POWER MOSFET TO-247AC, 270 M @ 1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 329W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3208 pF @ 100 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460HPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 500V | на замовлення 563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460HPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460HPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP460HPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.234 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 329W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.234ohm | на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460LC | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460LC | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460LC | Siliconix | N-MOSFET 20A 500V 280W 0.27Ω IRFP460LC TIRFP460lc кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460LC | (MFET,LC,N-CH,280W,500V,20A,TO-247AC) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP460LCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460LCPBF | TO-247 Транзистори | на замовлення 28 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| |||||||||||||||||||
| IRFP460LCPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP460LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 280W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm | на замовлення 351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460LCPBF Код товару: 22653
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, В: 500 В Струм стоку Idd, А: 20 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3600/120 Монтаж: THT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460LCPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V | на замовлення 528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460LCPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 500V 20A N-CH MOSFET | на замовлення 1469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460LCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460LCPBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 223 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460LCPBF | Vishay BC Components | N-канальный ПТ (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт кількість в упаковці: 25 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460LCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460LCPBF.. | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP460LCPBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 280W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm | на замовлення 712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460N Код товару: 142442
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP460N | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Chan 500V 20 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460NPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460P | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460P | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Chan 500V 20 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 2132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 6498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay/IR | N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 20 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 4200 @ 25, Qg, нКл = 210 @ 10 В, Rds = 270 мОм @ 12 А, 10 В, Ugs(th) = 4 @ 250 мкА, Р, Вт = 280 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт кількість в упаковці: 500 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 1712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 882000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V | на замовлення 18714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF Код товару: 149448
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Напруга сток-витік Uds, В: 500 В Струм стоку Idd, А: 20 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4200/210 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 2132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 1712 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 500V 20A N-CH MOSFET | на замовлення 5122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 6495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP460PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 280W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm | на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF Код товару: 23707
Додати до обраних
Обраний товар
| Vishay | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, В: 500 В Струм стоку Idd, А: 20 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4200/210 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 882000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF Код товару: 192334
2
Додати до обраних
Обраний товар
| Siliconix | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, В: 500 В Струм стоку Idd, А: 20 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4200/210 Монтаж: THT | у наявності: 23 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRFP460_R4943 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP462 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V | на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP462 | HARRIS | IRFP462 | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP4668 | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 200V; 30V; 9,7mOhm; 130A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4668; IRFP4668XKMA1; IRFP4668; IRFP4668 TIRFP4668 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668 Код товару: 83053
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP4668 | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 200V; 30V; 9,7mOhm; 130A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4668; IRFP4668XKMA1; IRFP4668; IRFP4668 TIRFP4668 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668 | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 220V; 20V; 27mOhm; 130A; 700W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP4668; IRFP4668XKMA1; SP001572854; SP005732696; IRFP4668 JSMICRO TIRFP4668 JSM кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 130A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 161nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | MOSFET N-Ch 200V 130A TO-247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF Код товару: 32680
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Напруга сток-витік Uds, В: 200 В Струм стоку Idd, А: 130 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 8 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 10720/161 Монтаж: THT | у наявності: 122 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4668PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 9700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 520W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 30V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm | на замовлення 2737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | Infineon | MOSFET N-Ch 200V 130A TO247AC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | на замовлення 378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | на замовлення 14533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V Power Dissipation (Max): 520W Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V | на замовлення 1189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | на замовлення 13215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | на замовлення 378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 130A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 161nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 32 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|

