Продукція > FDC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
420+33.78 грн
423+33.55 грн
426+33.30 грн
500+31.88 грн
1000+29.31 грн
3000+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
528+26.85 грн
3000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PONS/FAIМОП-транзистор SSOT-6 P-CH -20V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 17475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.20 грн
50+45.75 грн
100+22.95 грн
500+19.89 грн
1500+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.27 грн
6000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PonsemiMOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 32622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.28 грн
10+47.08 грн
100+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P-PonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6392SONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6392S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6392SON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1190+29.80 грн
10000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 1190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6392SonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6392SON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 39483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1190+29.80 грн
10000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 1190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6392SON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1190+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 1190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6392SON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V P-Ch PowerTrench Integrated
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6392SFAIRCHILDSOT163
на замовлення 189790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6392SonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6392SON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 56481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1190+29.80 грн
10000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 1190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6392S-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640FAIRCHILD
на замовлення 6504 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 3A
On-state resistance: 106mΩ
Gate charge: 4.6nC
Gate-source voltage: ±12V
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.70 грн
8+55.34 грн
10+48.45 грн
50+33.49 грн
100+28.50 грн
500+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401Nonsemi / FairchildMOSFETs Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench
на замовлення 15951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.00 грн
10+44.54 грн
100+25.27 грн
500+19.61 грн
1000+17.47 грн
3000+15.33 грн
6000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.42 грн
500+24.38 грн
1500+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1249+28.38 грн
Мінімальне замовлення: 1249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.53 грн
6000+22.57 грн
9000+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.30 грн
22+35.00 грн
25+34.86 грн
100+27.54 грн
250+25.36 грн
500+21.02 грн
1000+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.39 грн
50+46.55 грн
100+33.42 грн
500+24.38 грн
1500+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.95 грн
6000+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.54 грн
6000+22.58 грн
9000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
407+34.86 грн
497+28.56 грн
500+28.41 грн
579+23.65 грн
1000+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401PFAIRCHLD
на замовлення 6680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1183+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 1183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
609+23.29 грн
619+22.93 грн
629+22.56 грн
640+21.39 грн
1000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 609 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.66 грн
33+23.29 грн
100+22.11 грн
250+20.14 грн
500+19.01 грн
1000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC640P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 4781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.94 грн
500+23.71 грн
1500+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.09 грн
25+30.67 грн
100+28.60 грн
500+24.44 грн
1000+21.14 грн
3000+19.08 грн
6000+18.31 грн
9000+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+43.83 грн
100+28.73 грн
500+20.85 грн
1000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 10249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.61 грн
10+44.06 грн
100+25.96 грн
500+20.43 грн
1000+18.50 грн
3000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC640P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 4781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.94 грн
50+48.89 грн
100+32.94 грн
500+23.71 грн
1500+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1183+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 1183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P-NBAD004AonsemiDescription: P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 2.
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P_F095onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P_NLFSC07+;
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+52.14 грн
385+36.83 грн
438+32.39 грн
508+26.95 грн
1000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 14050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+39.49 грн
100+25.77 грн
500+18.64 грн
1000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.60 грн
6000+20.32 грн
9000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CFairchild/ON SemiconductorТранзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 3, Ptot, Вт = 0,7, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 324 @ 10, Qg, нКл = 4,6 @ 4,5 В, Rds = 70 мОм @ 3 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 5 нс, td(off)+tf = 13 нс,... Тра
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+66.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420ConsemiMOSFETs 20V/-20V N/P
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.10 грн
10+45.49 грн
100+26.92 грн
500+21.12 грн
1000+18.57 грн
3000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.65 грн
6000+20.36 грн
9000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.45 грн
14+56.94 грн
25+52.14 грн
100+35.51 грн
250+28.92 грн
500+23.96 грн
1000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.13 грн
6000+14.32 грн
9000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.81 грн
500+22.81 грн
1500+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.64 грн
10+42.71 грн
25+34.98 грн
50+29.75 грн
100+25.51 грн
500+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CONS/FAISSOT-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.15 грн
3000+24.72 грн
6000+23.21 грн
9000+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CON-SemiconductorTransistor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 106mOhm/184mOhm; 3A/2,2A; 960mW; -55°C Podobny do: FDC6420C-VB; FDC6420C SSOT-6 TFDC6420c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+51.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420Consemi / FairchildMOSFETs 20V/-20V N/P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.81 грн
50+48.73 грн
100+31.81 грн
500+22.81 грн
1500+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C
Код товару: 44090
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C-NLFAIRCHILD
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C/420FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C/ROHSFAIRCHILD09+
на замовлення 13426 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.51 грн
26+31.89 грн
100+22.23 грн
500+16.45 грн
1000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.55 грн
35+22.01 грн
100+16.60 грн
500+12.48 грн
1000+10.10 грн
3000+8.12 грн
6000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 10 V
на замовлення 7256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
11+28.57 грн
100+21.49 грн
500+15.43 грн
1000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.55 грн
6000+14.51 грн
9000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.55 грн
6000+14.50 грн
9000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 20787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.10 грн
11+29.61 грн
100+19.61 грн
500+15.26 грн
1000+13.74 грн
3000+11.53 грн
6000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1714+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 1714 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.23 грн
6000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1755+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 1755 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.23 грн
500+16.45 грн
1000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.11 грн
27+28.85 грн
100+27.57 грн
250+25.30 грн
500+24.07 грн
1000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 10 V
на замовлення 15835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1371+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 1371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1714+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 1714 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
492+28.85 грн
496+28.59 грн
501+28.33 грн
505+27.07 грн
1000+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 492 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085onsemi / FairchildMOSFETs P-CHANNEL 2.5V PowerTrench MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0525 ohm, SuperSOT
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 1.2
Bauform - Transistor: SuperSOT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0525
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0525 ohm, SuperSOT
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A TSOT23-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1855+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 1855 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 17041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1855+19.12 грн
10000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 1855 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P-F085P - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1855+19.12 грн
10000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 1855 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]