Продукція > FDC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDC6332LFAISOT-163
на замовлення 6170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6332LonsemiDescription: IC PWR DRVR P-CH 1:1 SUPERSOT-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 230mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6332L-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6332L/332FAIR
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6332L/332DFAIR
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333CONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6333C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.095 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 960
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.095
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333ConsemiMOSFETs 30V/-30V N/P
на замовлення 31288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 946 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333CONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-2A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±16/±25V
On-state resistance: 150/220mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.6/5.7nC
на замовлення 3511 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.32 грн
12+36.65 грн
15+33.29 грн
50+25.08 грн
100+21.64 грн
500+16.10 грн
1000+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333CONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333CFairchild/ON SemiconductorТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 2,5 А, Ptot, Вт = 0,7, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 282 @ 15, Qg, нКл = 6.6 @ 10 В, Rds = 95 мОм @ 2.5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SSOT-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+38.27 грн
50+28.12 грн
100+23.30 грн
500+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C-GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V, 185pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V, 130mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V, 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C..ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6333C.. - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C..ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6333C.. - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C_Qonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6335N-NL.FAI
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC633NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.2A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC633Nonsemi / FairchildMOSFET SSOT-6 N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC633NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.2A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC633N-NLFairchild
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC633N_F095onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.2A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634FAIRCHILD07+ SOT23-6
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.77 грн
6000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1370+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 1370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
на замовлення 8720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+44.15 грн
100+28.77 грн
500+20.79 грн
1000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1370+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 1370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 20971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.59 грн
12+64.94 грн
50+47.89 грн
100+40.83 грн
500+29.11 грн
3000+21.84 грн
6000+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.98 грн
6000+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PonsemiMOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1370+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 1370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P/634FAIRCHIL09+
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC636FAIRCHILD
на замовлення 16100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC636PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.8A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC636PFAIRCHILDSOT163
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC636P-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6372CFSC
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.85 грн
6000+24.46 грн
9000+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 10 V
на замовлення 5839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+45.97 грн
100+30.22 грн
500+21.99 грн
1000+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.32 грн
6000+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANonsemiMOSFETs SSOT-6 N-CH 20V
на замовлення 7705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.63 грн
6000+24.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1089+32.48 грн
Мінімальне замовлення: 1089 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16nC
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.12 грн
11+38.83 грн
100+26.33 грн
500+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+54.24 грн
500+40.23 грн
3000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1089+32.48 грн
Мінімальне замовлення: 1089 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN-NB5E023AonsemiDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 2.
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN-NLFAIRCHILD
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN/637FAIR
на замовлення 20500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANNB5E023AonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANSOT163-637PB-FREEFAIRCHLD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZonsemiMOSFETs 20V N-Channel 2.5V Spec PowerTrench
на замовлення 15942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2195+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZONSEMIDescription: ONSEMI - FDC637BNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.77 грн
13+33.38 грн
15+28.93 грн
100+18.11 грн
500+13.25 грн
1000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2195+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+28.31 грн
1000+21.63 грн
3000+20.35 грн
6000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.38 грн
6000+12.33 грн
9000+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
на замовлення 2307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.16 грн
11+29.89 грн
50+21.80 грн
100+18.01 грн
500+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.27 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.66 грн
6000+11.04 грн
9000+10.94 грн
15000+10.44 грн
21000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZONS/FAIN-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 20V, 6.2A, 24mOm SuperSOT-6 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
1+780.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2195+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+37.68 грн
1000+25.44 грн
3000+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1574+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 1574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.22 грн
6000+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.62 грн
29+26.57 грн
38+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZONSEMIDescription: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 27278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+63.17 грн
417+33.94 грн
548+25.84 грн
1000+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+65.54 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
863+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 863 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1574+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 1574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZonsemiMOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZONSEMIDescription: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 27278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.54 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.