Продукція > FDD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDD770N15AonsemiMOSFETs 150V/18V N Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15AonsemiDescription: MOSFET N CH 150V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.63 грн
10+76.01 грн
100+50.99 грн
500+37.77 грн
1000+34.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15AONSEMIDescription: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.061 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.17 грн
11+74.86 грн
100+50.88 грн
500+37.29 грн
1000+31.98 грн
5000+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.57 грн
12+68.17 грн
25+67.30 грн
100+50.19 грн
250+46.13 грн
500+37.08 грн
1000+34.39 грн
3000+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15AonsemiDescription: MOSFET N CH 150V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.48 грн
10+54.09 грн
50+37.40 грн
100+31.95 грн
500+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMonsemiMOSFETs 200V N-CH MOSFET
на замовлення 41293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.47 грн
5000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.49 грн
5000+32.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1180+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 1180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDD7N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.69 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.58ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.73 грн
500+31.63 грн
1000+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1180+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 1180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMOn SemiconductorMOSFET N-CH 200V 5A D-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMonsemi / FairchildMOSFETs 200V N-CH MOSFET
на замовлення 49380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 10652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+55.63 грн
100+36.72 грн
500+26.84 грн
1000+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TM
Код товару: 201272
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDD7N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.69 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.54 грн
50+64.38 грн
100+43.73 грн
500+31.63 грн
1000+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1180+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 1180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZonsemi UF 250V 0.55OHM L DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTMONSEMIDescription: ONSEMI - FDD7N25LZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6.2 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.72 грн
50+63.65 грн
100+42.67 грн
500+31.10 грн
1000+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTMON-SemiconductorN-MOSFET 6.2A 250V 550mOhm FDD7N25LZTM TFDD7n25lztm
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
15+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.51 грн
5000+20.94 грн
7500+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM
Код товару: 194274
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTMonsemi / FairchildMOSFETs 250V N-Channel MOSFET, UniFET
на замовлення 17852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTMONSEMIDescription: ONSEMI - FDD7N25LZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6.2 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.67 грн
500+31.10 грн
1000+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTMonsemiMOSFETs 250V N-Channel MOSFET, UniFET
на замовлення 15282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 8182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+54.19 грн
100+35.82 грн
500+26.21 грн
1000+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N60NZonsemi UF2 600V 1.25OHM DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N60NZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N60NZTMONSEMIDescription: ONSEMI - FDD7N60NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 1.05 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N60NZTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N60NZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.55 грн
11+70.23 грн
25+69.59 грн
100+61.41 грн
250+53.91 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N60NZTMonsemi / FairchildMOSFET N-Channel 600V 5.5A
на замовлення 12403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N60NZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+70.23 грн
204+69.59 грн
223+63.68 грн
250+58.23 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N60NZTM FDD7N60NZONS/FAIMOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424HonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424HonsemiMOSFETs 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424HON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 40V 9A/6.5A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424HONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 35W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424HonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424HONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 35W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424HON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 40V 9A/6.5A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+79.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424H (Dual N & P-Channel)
Код товару: 165079
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424H-F085AonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424H-F085AON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 40V 9A/6.5A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424H-F085AON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual N&PCH PwrTrench +/- 40V,20A
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424H_F085onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424H_F085AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8426HonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 12A/10A DPAK
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2735pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
на замовлення 5238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.33 грн
10+83.71 грн
100+56.58 грн
500+42.19 грн
1000+39.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444ONN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444onsemiMOSFETs LOW VOLTAGE
на замовлення 3117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444
Код товару: 163329
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 153W; DPAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 153W
Drain current: 50A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 89nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.38 грн
5000+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+112.22 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444-F085onsemi / FairchildMOSFET LOW VOLTAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444-F085PonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 153W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444-F085PON SemiconductorMOSFET 40V,50A,5.2 OHM, NCH DPAK,PwrTRENCHmosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444-F085PON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8444. - MOSFET, N CHANNEL, 40V, 0.004OHM, 145A, TO-252-3
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 145
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 153
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+152.04 грн
1000+140.26 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+152.04 грн
1000+140.26 грн
10000+120.47 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+152.04 грн
1000+140.26 грн
10000+120.47 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 165739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+152.04 грн
1000+140.26 грн
10000+120.47 грн
100000+93.31 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444LONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8444L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 113000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
297+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 125148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+152.04 грн
1000+140.26 грн
10000+120.47 грн
100000+93.31 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 156175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+120.28 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+152.04 грн
1000+140.26 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444L-F085onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
500+121.40 грн
1000+111.53 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 70A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+44.23 грн
100+36.82 грн
500+26.98 грн
1000+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445ON-SemiconductorN-Channel 40V 70A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount TO-252AA FDD8445 ON Semiconductor TFDD8445
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.75 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8445 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 15.2 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.92 грн
50+53.89 грн
100+45.60 грн
500+38.12 грн
1000+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445
Код товару: 116381
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 16.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 79W
Drain current: 70A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.6nC
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.83 грн
9+51.66 грн
10+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
282+50.24 грн
285+49.74 грн
306+46.37 грн
309+44.27 грн
500+39.21 грн
1000+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 282 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 70A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.95 грн
16+50.24 грн
25+49.74 грн
100+44.72 грн
250+40.99 грн
500+37.65 грн
1000+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8445 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 15.2 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.60 грн
500+38.12 грн
1000+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 37498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+78.69 грн
500+70.81 грн
1000+65.31 грн
10000+56.14 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]