Продукція > FDD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDD6N50TM-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50TM-F085onsemi / FairchildMOSFET Trans MOS N-Ch 500V 6A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 5032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50TM-WSonsemi / FairchildMOSFET 500V 6A N-Channel
на замовлення 28850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50TM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50TM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50TM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7030BLONSEMIDescription: ONSEMI - FDD7030BL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 80423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 821 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7030BLonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7030BLUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7030BLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7030BLUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7030BL_NLonsemi / FairchildMOSFET 30/20V, 9.5/13mO, NCH, DPAK, 400A GOX, PTI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7030BL_Qonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7030RLFAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.06 грн
10+64.24 грн
25+57.70 грн
100+48.31 грн
250+42.02 грн
500+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+50.97 грн
282+50.17 грн
287+49.37 грн
292+46.84 грн
500+42.66 грн
1000+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15AonsemiDescription: MOSFET N CH 150V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+77.40 грн
222+63.83 грн
224+63.19 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A
Код товару: 100267
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15AONSEMIDescription: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15AonsemiMOSFETs 150V/18V N Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 8958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
484+73.07 грн
Мінімальне замовлення: 484 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15AonsemiDescription: MOSFET N CH 150V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V
на замовлення 3611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.33 грн
10+79.40 грн
50+59.73 грн
100+50.09 грн
500+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15AONSEMIDescription: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.40 грн
12+63.83 грн
50+63.19 грн
100+50.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.97 грн
25+50.17 грн
100+47.61 грн
250+43.37 грн
500+40.95 грн
1000+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMonsemiMOSFETs 200V N-CH MOSFET
на замовлення 41293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1180+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 1180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.69 грн
5000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMOn SemiconductorMOSFET N-CH 200V 5A D-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1180+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 1180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDD7N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.69 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.58ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+88.51 грн
7+64.41 грн
10+56.27 грн
50+40.42 грн
100+35.22 грн
500+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMonsemi / FairchildMOSFETs 200V N-CH MOSFET
на замовлення 49380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1180+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 1180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TM
Код товару: 201272
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 8678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.63 грн
10+57.67 грн
50+42.89 грн
100+35.76 грн
500+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDD7N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.69 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.49 грн
5000+32.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZonsemi UF 250V 0.55OHM L DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 25 V
на замовлення 8182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+54.19 грн
100+35.82 грн
500+26.21 грн
1000+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTMONSEMIDescription: ONSEMI - FDD7N25LZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6.2 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM
Код товару: 194274
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.51 грн
5000+20.94 грн
7500+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTMONSEMIDescription: ONSEMI - FDD7N25LZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6.2 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTMonsemiMOSFETs 250V N-Channel MOSFET, UniFET
на замовлення 14753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTMON-SemiconductorN-MOSFET 6.2A 250V 550mOhm FDD7N25LZTM TFDD7n25lztm
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
15+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N60NZonsemi UF2 600V 1.25OHM DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N60NZTMonsemi / FairchildMOSFET N-Channel 600V 5.5A
на замовлення 12403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N60NZTMONSEMIDescription: ONSEMI - FDD7N60NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 1.05 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N60NZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.55 грн
11+70.23 грн
25+69.59 грн
100+61.41 грн
250+53.91 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N60NZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+70.23 грн
204+69.59 грн
223+63.68 грн
250+58.23 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N60NZTMONS/FAIFDD7N60NZTM FDD7N60NZ MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N60NZTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N60NZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424HON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 40V 9A/6.5A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424HonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424HONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 35W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424HonsemiMOSFETs 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424HON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 40V 9A/6.5A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+79.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424HonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424HONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 35W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424H (Dual N & P-Channel)
Код товару: 165079
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424H-F085AON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual N&PCH PwrTrench +/- 40V,20A
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424H-F085AON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 40V 9A/6.5A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424H-F085AonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424H_F085onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424H_F085AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8426HonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 12A/10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2735pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 153W; DPAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 153W
Drain current: 50A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 89nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.28 грн
10+92.76 грн
50+70.15 грн
100+58.98 грн
500+46.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444
Код товару: 163329
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444onsemiMOSFETs LOW VOLTAGE
на замовлення 3117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444-F085onsemi / FairchildMOSFET LOW VOLTAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444-F085PON SemiconductorMOSFET 40V,50A,5.2 OHM, NCH DPAK,PwrTRENCHmosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444-F085PON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444-F085PonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 153W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8444. - MOSFET, N CHANNEL, 40V, 0.004OHM, 145A, TO-252-3
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 145
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 153
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+152.04 грн
1000+140.26 грн
10000+120.47 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+152.04 грн
1000+140.26 грн
10000+120.47 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 156175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+120.28 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 165739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+152.04 грн
1000+140.26 грн
10000+120.47 грн
100000+93.31 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 125148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+152.04 грн
1000+140.26 грн
10000+120.47 грн
100000+93.31 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+152.04 грн
1000+140.26 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.