Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFR3709ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
759+46.74 грн
1000+43.12 грн
Мінімальне замовлення: 759 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR3709ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.0052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.91 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 86A 6.5mOhm 17nC
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.09 грн
10+77.33 грн
100+44.06 грн
500+34.63 грн
1000+30.44 грн
3000+25.84 грн
6000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+51.94 грн
Мінімальне замовлення: 683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR3709ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.0052 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.78 грн
14+61.59 грн
100+43.01 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 17nC
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.45 грн
10+60.39 грн
100+36.66 грн
500+29.33 грн
1000+26.67 грн
2000+23.67 грн
4000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+51.94 грн
Мінімальне замовлення: 683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR3709ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.0052 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 86A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 17nC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
587+60.39 грн
1000+55.70 грн
Мінімальне замовлення: 587 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR3709ZTRRPBF - IRFR3709 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
597+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 86A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZPBFInternational RectifierTO252, D-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 69nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.76 грн
10+100.94 грн
25+100.01 грн
100+84.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRInternational RectifierTransistor N-MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 56A; 140W; -55°C~175°C; Substitute: IRFR3710ZTR; IRFR3710ZTRL; IRFR3710Z-GURT; IRFR3710Z Infineon TIRFR3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRJGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 19mOhm; 35A; 62W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR3710Z; IRFR3710ZTRL; IRFR3710ZTR; IRFR3710ZTRR; SP001555090; SP001567664; SP001560638; SP001567124; IRFR3710ZTR JGSEMI TIRFR3710z JGS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.37 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 50A; 85W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR3710Z; IRFR3710ZTRL; IRFR3710ZTR; IRFR3710ZTRR; SP001555090; SP001567664; SP001560638; SP001567124; IRFR3710ZTR-ML MOSLEADER TIRFR3710z MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.75 грн
10+123.15 грн
100+83.95 грн
500+63.07 грн
1000+58.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.58 грн
108+131.43 грн
151+94.00 грн
500+73.62 грн
1000+62.14 грн
3000+59.07 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR3710ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.67 грн
500+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 69nC
на замовлення 17966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.67 грн
10+108.41 грн
100+67.66 грн
500+53.84 грн
1000+49.58 грн
3000+46.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRLPBFInfineon
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR3710ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.41 грн
50+112.42 грн
100+79.67 грн
500+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+101.38 грн
500+91.24 грн
1000+84.14 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+67.93 грн
4000+67.25 грн
6000+64.44 грн
10000+57.31 грн
14000+52.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR3710ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.56 грн
50+118.12 грн
100+80.16 грн
500+57.87 грн
1000+50.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+68.89 грн
4000+68.20 грн
6000+65.38 грн
10000+58.15 грн
14000+53.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.87 грн
10+140.67 грн
25+129.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 51932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.89 грн
10+117.93 грн
100+80.25 грн
500+60.17 грн
1000+55.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+101.38 грн
500+91.24 грн
1000+84.14 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg
на замовлення 18100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.19 грн
10+119.65 грн
100+70.53 грн
500+59.42 грн
1000+53.14 грн
2000+50.28 грн
4000+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+177.82 грн
113+125.89 грн
150+95.11 грн
500+72.87 грн
1000+63.64 грн
2000+58.90 грн
4000+58.72 грн
6000+53.35 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+68.97 грн
4000+68.28 грн
6000+65.45 грн
10000+58.21 грн
14000+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR3710ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.16 грн
500+57.87 грн
1000+50.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+56.67 грн
4000+50.90 грн
6000+49.03 грн
10000+44.05 грн
14000+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+67.93 грн
4000+67.25 грн
6000+64.44 грн
10000+57.31 грн
14000+52.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+138.49 грн
5+106.91 грн
10+94.39 грн
25+78.50 грн
50+68.42 грн
100+60.10 грн
250+51.86 грн
500+47.15 грн
1000+43.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711IR07+ TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711TR
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711TRL
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711TRLPBF
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711TRLPBFInternational RectifierDescription: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
415+48.43 грн
Мінімальне замовлення: 415 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 20V 110A 6.5mOhm 29nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 29nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
415+48.85 грн
Мінімальне замовлення: 415 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZIR07+ TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZCTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRIOR03+
на замовлення 3523 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.95 грн
4000+41.20 грн
6000+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBFInfineonN-Ch 20V 93A 78W 0,0057R TO252AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.26 грн
6000+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF
Код товару: 173373
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.76 грн
4000+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR3711ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 93 A, 0.0045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.79 грн
14+60.53 грн
100+46.44 грн
500+38.96 грн
1000+30.44 грн
5000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.76 грн
4000+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+55.05 грн
273+52.10 грн
289+49.14 грн
500+47.27 грн
1000+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.34 грн
10+70.96 грн
100+55.19 грн
500+43.90 грн
1000+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.90 грн
4000+41.15 грн
6000+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 29nC
на замовлення 5327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.64 грн
10+55.65 грн
100+39.66 грн
500+35.82 грн
1000+32.89 грн
2000+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR3711ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 93 A, 0.0045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.44 грн
500+38.96 грн
1000+30.44 грн
5000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3715Z
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3717IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V SINGLE N-CH 15.8mOhms 22nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806PBFON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 43, Rds = 15,8 мОм, Р, Вт = 71, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd, DPak, SC-63, TO-252 (2 leads+tab) ,... Транзистори Корпус: D-Pak Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806PBF
Код товару: 54257
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806PBFInternational RectifierDPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRInfineonN-MOSFET 60V 43A 71W 15.0mOhm IRFR3806 TIRFR3806
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3193 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+43.23 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15,8mOhm; 43A; 71W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR3806; IRFR3806TR; SP001567646; SP001564890; IRFR3806TR UMW TIRFR3806 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]