Продукція > CSD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD19531Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19531Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5300 µohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm | на замовлення 419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19531Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3870 pF @ 50 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19531Q5AT | Texas Instruments | MOSFETs 100V 5.3mOhm NexFET Power MOSFET A 595-C A 595-CSD19531Q5A | на замовлення 1702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19531Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 125W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 125W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 37nC Dimensions: 5x6mm | на замовлення 296 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19531Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19531Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19531Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5300 µohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm | на замовлення 419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19531Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3870 pF @ 50 V | на замовлення 1337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | на замовлення 11500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532KTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 50 V | на замовлення 1383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532KTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 50 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532KTT | Texas Instruments | MOSFETs CSD19532Q5B Pkg spin A 595-CSD19532KTTT A 595-CSD19532KTTT | на замовлення 1277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532KTT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 6.6mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 200A Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 250W Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement | на замовлення 135 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532KTTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 50 V | на замовлення 5653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532KTTT | Texas Instruments | MOSFETs 100V N-channel NexF ET Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD19532KTT | на замовлення 9607 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532KTTT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 66 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532KTTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 50 V | на замовлення 5650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532Q5B | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4900 µohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532Q5B | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 100A TDFN-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532Q5B | Texas Instruments | MOSFETs 100V 4.0 mOhm N-Ch N exFET Power MOSFET A 595-CSD19532Q5BT | на замовлення 17150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532Q5B | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 100A; VSON-CLIP8; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 4.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532Q5B Код товару: 135706
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CSD19532Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532Q5B | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19532Q5B - MOSFET, N CHANNEL, 100V, 100A, VSON-8 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 3.1W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm | на замовлення 1771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 50 V | на замовлення 7289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 50 V | на замовлення 6900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 50 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 50 V | на замовлення 1577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532Q5BT | Texas Instruments | MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19532Q5B | на замовлення 2629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Power dissipation: 195W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19533KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19533KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19533KCS | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 55A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA | на замовлення 2410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19533KCS | Texas Instruments | MOSFETs 100V 8.7mOhm N-CH Pw r MOSFET | на замовлення 1809 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19533KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19533KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19533KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19533KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0087 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: - Verlustleistung Pd: 188 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0087 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.8 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19533KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19533KCS . | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19533KCS . - Leistungs-MOSFET, NexFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0087 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 188 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0087 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.8 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19533KCS транзистор Код товару: 195368
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CSD19533Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19533Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19533Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 9400 µohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19533Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V | на замовлення 10541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19533Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19533Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19533Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 9400 µohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19533Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19533Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 100V 7.8mOhm N-CH Pw r MOSFET A 595-CSD1 A 595-CSD19533Q5AT | на замовлення 10278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19533Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19533Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19533Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19533Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 96W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 27nC Dimensions: 5x6mm | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19533Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19533Q5AT | Texas Instruments | MOSFETs 100V 7.8mOhm SON5x6 N-ch NexFET A 595-CSD19533Q5A | на замовлення 592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19533Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V | на замовлення 513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19533Q5AT | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 11,1mOhm; 100A; 96W; -55°C ~ 150°C; CSD19533Q5AT CSD19533Q5A TCSD19533q5a кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19533Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19533Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19534KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534KCS - MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TO-220AB-3 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 118W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19534KCS | Texas Instruments | MOSFETs 100V N-Channel NexFE T Pwr MOSFET | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19534KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19534KCS | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 118W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 50 V | на замовлення 1167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19534KCS | Texas Instruments | N-Channel 100 V 100A (Ta) 118W (Tc) Through Hole TO-220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19534KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19534KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19534KCS | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 20mOhm; 100A; 118W; -55°C ~ 175°C; CSD19534KCS TCSD19534kcs кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19534Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19534Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V | на замовлення 61627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19534Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19534Q5A | Texas Instruments | MOSFETs N-Channel MOSFET A 5 95-CSD19534Q5AT A 5 A 595-CSD19534Q5AT | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19534Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19534Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19534Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Power dissipation: 63W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.6mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 17nC Dimensions: 5x6mm | на замовлення 2386 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19534Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V | на замовлення 11250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19534Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19534Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0151 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 63W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0126ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0151ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19534Q5AT | Texas Instruments | MOSFETs 100V NCh NexFET A 59 5-CSD19534Q5A A 595 A 595-CSD19534Q5A | на замовлення 3037 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19534Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19534Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Power dissipation: 63W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.6mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 17nC Dimensions: 5x6mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19534Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V | на замовлення 11289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19534Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0151 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0151ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19534Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19535KCS | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 4231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19535KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 650 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19535KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 650 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19535KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19535KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 150 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19535KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 650 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19535KCS | Texas Instruments | MOSFETs 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19535KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19535KTT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 4.1mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 200A Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 300W Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement | на замовлення 225 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19535KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |