Продукція > CSD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD19505KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19505KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19505KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm | на замовлення 534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19505KCS | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 3,8mOhm; 208A; 300W; -55°C ~ 175°C; CSD19505KCS TCSD19505kcs кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19505KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19505KCS | Texas Instruments | MOSFET N-CH 80V 150A TO220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19505KCS | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 6V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 40 V | на замовлення 1022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19505KCS | Texas Instruments | MOSFETs 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 532 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19505KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 150A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm | на замовлення 1737 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19505KTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7920 pF @ 40 V | на замовлення 1469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19505KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19505KTT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19505KTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 212 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: n-Kanal SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19505KTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7920 pF @ 40 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19505KTT | Texas Instruments | MOSFETs 80V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD19505KTTT | на замовлення 837 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19505KTT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19505KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19505KTT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19505KTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 212 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 212 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 2 - 1 Jahr Verlustleistung Pd: 300 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.6 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19505KTTT | Texas Instruments | MOSFETs 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19505KTT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19505KTTT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19505KTTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7920 pF @ 40 V | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19505KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19505KTTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7920 pF @ 40 V | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19505KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19506KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19506KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm | на замовлення 479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19506KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 350 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19506KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19506KCS | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 2,8mOhm; 273A; 375W; -55°C ~ 175°C; CSD19506KCS TCSD19506kcs кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19506KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 350 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19506KCS | Texas Instruments | MOSFETs 80V N-CH Power MOSFE T | на замовлення 524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19506KCS | Texas Instruments | MOSFET N-CH 80V 100A TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19506KCS | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 | на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19506KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 80V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19506KTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 40 V | на замовлення 730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19506KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 80V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19506KTT | Texas Instruments | MOSFETs 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTTT | на замовлення 1762 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19506KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 80V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19506KTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 40 V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19506KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 80V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19506KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 80V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19506KTTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 40 V | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19506KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 80V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19506KTTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 40 V | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19506KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 80V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19506KTTT | Texas Instruments | MOSFETs 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTT | на замовлення 927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19506KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 80V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19531KCS | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19531KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19531KCS | Texas Instruments | MOSFETs 100V 6.4mOhm Pwr MOS FET | на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19531KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19531KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19531KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0064 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: - Verlustleistung Pd: 179 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0064 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.7 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19531KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 214W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm | на замовлення 65 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19531KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19531KCS | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3870 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19531Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3870 pF @ 50 V | на замовлення 11944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19531Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 100V 5.3mOhm Pwr MOS FET A 595-CSD19531Q A 595-CSD19531Q5AT | на замовлення 3263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19531Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19531Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0053 ohm, SON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.3 Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.7 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19531Q5A | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 7,8mOhm; 110A; 125W; -55°C ~ 150°C; CSD19531Q5AT CSD19531Q5A TCSD19531q5a кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19531Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19531Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3870 pF @ 50 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19531Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19531Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 100A 8SON Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19531Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19531Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0053 ohm, SON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7 Verlustleistung: 3.3 Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19531Q5A | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 7,8mOhm; 110A; 125W; -55°C ~ 150°C; CSD19531Q5AT CSD19531Q5A TCSD19531q5a кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19531Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19531Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19531Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3870 pF @ 50 V | на замовлення 1337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19531Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 125W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 125W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm | на замовлення 296 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19531Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19531Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5300 µohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm | на замовлення 317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19531Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3870 pF @ 50 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19531Q5AT | Texas Instruments | MOSFETs 100V 5.3mOhm NexFET Power MOSFET A 595-C A 595-CSD19531Q5A | на замовлення 1571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19531Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19531Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19531Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5300 µohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm | на замовлення 317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532KTT | Texas Instruments | MOSFETs CSD19532Q5B Pkg spin A 595-CSD19532KTTT A 595-CSD19532KTTT | на замовлення 1338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532KTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 50 V | на замовлення 1263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532KTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 50 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532KTT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A | на замовлення 135 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532KTTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 50 V | на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532KTTT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A | на замовлення 66 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532KTTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 50 V | на замовлення 4971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532KTTT | Texas Instruments | MOSFETs 100V N-channel NexF ET Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD19532KTT | на замовлення 9576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532Q5B | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 100A; VSON-CLIP8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 4.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532Q5B | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4900 µohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 3.1W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm | на замовлення 1766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532Q5B | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 100A TDFN-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532Q5B | Texas Instruments | MOSFETs 100V 4.0 mOhm N-Ch N exFET Power MOSFET A 595-CSD19532Q5BT | на замовлення 131 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532Q5B | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19532Q5B - MOSFET, N CHANNEL, 100V, 100A, VSON-8 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 3.1W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532Q5B Код товару: 135706
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CSD19532Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532Q5BT | Texas Instruments | MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19532Q5B | на замовлення 1804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD19532Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 50 V | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD19532Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. |